CN102856265A - 一种具有弧形凸起的igbt模块用底板 - Google Patents

一种具有弧形凸起的igbt模块用底板 Download PDF

Info

Publication number
CN102856265A
CN102856265A CN2012103710535A CN201210371053A CN102856265A CN 102856265 A CN102856265 A CN 102856265A CN 2012103710535 A CN2012103710535 A CN 2012103710535A CN 201210371053 A CN201210371053 A CN 201210371053A CN 102856265 A CN102856265 A CN 102856265A
Authority
CN
China
Prior art keywords
base plate
back side
cambered surface
igbt
bottom plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012103710535A
Other languages
English (en)
Inventor
于凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CRRC Xian Yongdian Electric Co Ltd
Original Assignee
Xian Yongdian Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Yongdian Electric Co Ltd filed Critical Xian Yongdian Electric Co Ltd
Priority to CN2012103710535A priority Critical patent/CN102856265A/zh
Publication of CN102856265A publication Critical patent/CN102856265A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

一种IGBT模块用底板,通过将该底板的正面设计成平面结构,背面设计成弧形凸起结构,可以在取得表面应力分布均匀的情况下,同时降低中间区域的形变量,从而使得位于该底板上的IGBT器件具有更加稳定的承载面,提高整个IGBT模块的可靠性。

Description

一种具有弧形凸起的IGBT模块用底板
技术领域
本发明涉及IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件领域,具体地说,是一种IGBT模块用底板结构。
背景技术
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国际上公认的电力电子技术第二次革命的最具代表性的产品,是目前电力电子技术领域中最具有优势的功率器件之一。IGBT是一种具有MOS输入、双极输出功能的MOS、双极相结合的器件。IGBT广泛应用于电机节能、冶金、新能源、输变电、汽车电子、轨道交通、家用电器等国民经济各领域,是中国建设资源节约型和环境友好型社会不可缺少的关键技术之一。IGBT在上世纪80年代初研制成功,其性能经过二十几年的不断提高和改进,己成熟地应用于中高频大功率领域。它将MOSFET的电压控制、控制功率小、易于并联、开关速度高的特点和双极晶体管的电流密度大、电流处理能力强、饱和压降低的特点集中于一身,表现出易驱动、低导通压降、较快开关速度、高耐压、大电流、高频率等优越的综合性能。IGBT器件目前的电压范围己经扩到600至6500伏,电流范围己经扩到几千安培,频率范围己经扩到几十千赫。IGBT芯片根据电流应用范围采用混合封装技术为基础的多芯片功率模块或传统的分立功率器件封装形式。
底板是大功率IGBT模块必不可少的一部分,它不仅为整个模块提供物理支撑,更是功率模块的散热通道,底板的设计既要保证自身具有良好的物理特性,又要能够实现与DBC基片和散热器的良好接触。对于大功率IGBT模块,由于功率损耗很大,应用时要在模块外部安装散热器,请见图1和图2,图1是一种现有的IGBT模块内部结构示意图。如图所示,IGBT模块中底板3的正面焊接有DBC芯片1,背面则通过6颗螺钉21安装了散热器3。普通结构的底板与散热器3进行组装后,由于底板正反两面都是平板,表面的应力分布以螺钉处最大,然后向外辐射,整个底板2的应力分布非常不均匀,焊接在底板2正面的DBC基片容易受应力影响而损坏,给正常使用带来影响。
为了解决上述问题,一种解决方法是将底板设计成弧形结构,如图3所示。底板的正面和反面为互相平行的弧面。在这种结构中,当在底板背面固定散热器时,在旋紧螺钉的过程中能够依赖底板自身的弹性应力中和掉一部分螺钉的旋紧带来的应力,使得底板表面的应力更加平均。然而这种结构中,底板受螺钉向外的拉力作用,会在径向方向上发生一个明显的形变。这种形变也会导致DBC基片的损坏。
因此,有必要对现有的底板结构进行设计,以改进现有技术中底板对DBC基片的不良影响。
发明内容
有鉴于此,本发明提出了一种IGBT模块的底板结构,该底板不仅可以降低由固定散热器带来的表面应力不均问题,同时也不会在因为在旋紧螺钉的过程中使底板产生太多的形变,从而保护了位于底板正面的IGBT器件,提高了产品的可靠性。
根据本发明的目的提出的一种IGBT模块的底板,该底板包括用于焊接DBC基片的正面,以及相对于该正面的背面,所述正面为平面结构,所述背面为弧面凸起结构。
优选的,所述背面的弧面凸起结构以所述背面的中心为最高点,沿两条对角线往边缘逐渐下降。
进一步地,上述弧面最高点处相对边缘最低点处的高度约为100um-500um之间。
优选的,所述弧面凸起结构为同半径的球面截面、弧面上各点处半径不相同的非球面弧面或抛物面中的一种。
优选的,所述背面在固定散热器后,其弧面凸起结构产生的形变恰巧使得该背面与该散热器的接触面贴合。
上述的底板结构,通过将正面设计成平面结构,背面设计成弧形凸起结构,可以在取得表面应力分布均匀的情况下,同时降低中间区域的形变量,从而使得位于该底板上的IGBT的器件具有更加稳定的承载面,提高整个IGBT模块的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种现有的IGBT模块内部结构示意图;
图2是图1中的底板与散热器组装后的示意图;
图3是另一种现有技术中的底板结构示意图;
图4是本发明的IGBT模块底板的结构示意图;
图5A至5C给出了底板在固定散热器之后,本发明的底板结构同现有技术中两个底板结构的应力模拟图;
图6A至6B给出了底板在固定散热器之后,本发明的底板结构同现有技术中双面弧形结构的底板的形变模拟图。
具体实施方式
正如背景技术中所述,现有技术中,平板型的底板,在接受散热器固定后,受螺钉的影响,底板表面的应力分布不均,容易导致与之连接的DBC基片的损坏。而双面弧形的底板,虽然能够缓解表面应力不均的问题,但是在固定散热器之后,受螺钉拉力的影响,会产生比较大的形变,这也会造成DBC基片的损坏。
有鉴于此,本发明提出的一种能够解决上述两个弊端的底板结构。该底板在焊接DBC基片的正面设置成平面,而相对于正面的背面则设置成弧面凸面。如此一来,在固定散热器时,对于散热器四周的螺钉在旋紧的过程中产生的应力,依赖背面的弧面凸起的抵持作用,使底板正面表面的应力分布集中于螺钉处,而在DBC基片分布较集中的中间区域的应力,则形成应力较小且变化梯度均匀的区域,使得IGBT模块内部受应力的影响减少到最少。同时,相对于两面都是弧形结构的底板结构来说,背面的弧形结构发生的形变带动正面的形变量大大减小,因此进一步减少了对IGBT模块内部的影响。
进一步地,通过对弧面弧度的优化,使得固定完成散热器之后,背面的弧面产生的形变恰巧使得该背面与散热器的接触面贴合。如此一来,可以使得散热器的接触面积最大化,保证散热效果。
另外,对于背面的这种弧面凸起结构本身,可以是一种较广意义上的弧面定义,即该弧面除了可以是同半径的球面截面之外,还可以是弧面上各点出半径不相同的非球面弧面,还可以是开口较大的抛物面等。对于各种不同结构的弧面,可以结合底板本身的材料性质,以及底板厚度、面积等尺寸定义,进行搭配。只要能满足本发明上述两个优点即可。
下面将通过具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参见图4,图4是本发明的IGBT模块底板的结构示意图。如图所示,该底板10具有用于焊接DBC基片的正面110,以及相对于该正面的背面120。其中正面110为平面结构,背面120为弧面凸起结构。
底板10的材质可以是铜、铜合金、铝、铝合金以及其它一些具有热导率高、强度高、热膨胀系数小和重量轻的材质。
背面120的弧面凸起结构以该背面120的中心为最高点,沿两条对角线往边缘逐渐下降。其中该最高点相对边缘最低点的高度约为100um-500um之间,视不同尺寸规格和材质的底板而定。
进一步地,该弧面凸起结构可以是同半径的球面截面、弧面上各点出半径不相同的非球面弧面、开口较大的抛物面等。对于各种不同结构的弧面,可以结合底板本身的材料性质,以及底板厚度、面积等尺寸定义,进行搭配。比如在底板的面积较大时,由于相对的弹性形变量也大,可以将弧面的设计成具有大曲率的凸起。而当底板本身材质较硬时,则可以设计较为平坦的弧面。
进一步地,通过对弧面弧度的优化,使得固定完成散热器之后,背面的弧面产生的形变恰巧使得该背面与散热器的接触面贴合。如此一来,可以使得散热器的接触面积最大化,保证散热效果。该优化即是指对于弧面形状、各点处的曲率半径、以及最高点的厚度等等的优化。
请参见图5A-5C,图5A至5C给出了底板在固定散热器之后,本发明的底板结构同现有技术中两个底板结构的应力模拟图。IGBT模块通过6个螺钉固定于散热器上,这6个螺钉的位置参见图2其中,图5A是底板为两个互相平行的平面结构,可以看出在这种结构的底板表面,应力由6颗螺钉为中心向周围辐射,对于整个底板的中间区域,如图中方虚线标示的区域,应力分布大约为0.08833~0.26677MPa。图5B是底板为两个互相平行的弧面结构,可以看出在这种结构的底板表面,应力由6颗螺钉为中心向周围辐射,对于整个底板的中间区域,如图中方虚线标示的区域,应力分布大约为0.05867~0.18903MPa。图5C是本发明中一面是平面,一面是弧形凸起结构的底板,可以看出在这种结构的底板表面,应力由6颗螺钉为中心向周围辐射,对于整个底板的中间区域,如图中方虚线标示的区域,应力分布大约为0.083851~0.25686MPa。比较这三种结构的中间区域应力情况,可以发现双面弧形结构的底板的应力最小,但是从应力的分布情况可以看出,在第一种结构和第二种结构中,螺钉外围存在明显的应力带,影响中间区域的应力均匀性,如圆实线圈出的区域,而在本发明的结构中,该外围应力带消失,使得底板中间区域的应力分布更加均匀。
请再参见图6A和6B,图6A至6B给出了底板在固定散热器之后,本发明的底板结构同现有技术中双面弧形结构的底板的形变模拟图。其中图6A是双面弧形结构的形变模拟图,如图所示,该双面弧形结构中,其中间区域的形变量在3.5135×10-8mm~3.5135×10-5mm之间。图6B是本发明的底板结构的形变模拟图,如图所示,在该底板结构中,其中间区域的形变量在3.3067×10-8mm~3.3067×10-5mm之间,小于双面弧形结构的底板形变量。
综上所述,本发明提出的一面平面另一面为弧形凸起的底板结构,可以在取得表面应力分布均匀的情况下,同时降低中间区域的形变量,从而使得位于该底板上的IGBT的器件具有更加稳定的承载面,提高整个IGBT模块的可靠性。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (5)

1.一种IGBT模块用底板,该底板包括用于焊接DBC基片的正面,以及相对于该正面的背面,其特征在于:所述正面为平面结构,所述背面为弧面凸起结构。
2.如权利要求1所述的IGBT模块用底板,其特征在于:所述背面的弧面凸起结构以所述背面的中心为最高点,沿两条对角线往边缘逐渐下降。
3.如权利要求2所述的IGBT模块用底板,其特征在于:所述最高点相对边缘的高度为100um-500um之间。
4.如权利要求1所述的IGBT模块用底板,其特征在于:所述弧面凸起结构为同半径的球面截面、弧面上各点处半径不相同的非球面弧面或抛物面中的一种。
5.如权利要求1所述的IGBT模块用底板,其特征在于:所述背面固定于一散热器上,且当该背面固定在散热器之后其弧面凸起结构产生的形变恰巧使得该背面与该散热器的接触面贴合。
CN2012103710535A 2012-09-28 2012-09-28 一种具有弧形凸起的igbt模块用底板 Pending CN102856265A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012103710535A CN102856265A (zh) 2012-09-28 2012-09-28 一种具有弧形凸起的igbt模块用底板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012103710535A CN102856265A (zh) 2012-09-28 2012-09-28 一种具有弧形凸起的igbt模块用底板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102856265A true CN102856265A (zh) 2013-01-02

Family

ID=47402719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012103710535A Pending CN102856265A (zh) 2012-09-28 2012-09-28 一种具有弧形凸起的igbt模块用底板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102856265A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165588A (zh) * 2013-02-27 2013-06-19 西安永电电气有限责任公司 Igbt模块
CN103258754A (zh) * 2013-05-06 2013-08-21 江苏爱普特半导体有限公司 一种半导体模块的键合工装及其加工工艺
CN104339059A (zh) * 2013-07-23 2015-02-11 西安永电电气有限责任公司 Igbt模块一次焊接的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129675A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
CN101587867A (zh) * 2009-04-02 2009-11-25 嘉兴斯达微电子有限公司 一种用于绝缘栅双极型晶体管模块的基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129675A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
CN101587867A (zh) * 2009-04-02 2009-11-25 嘉兴斯达微电子有限公司 一种用于绝缘栅双极型晶体管模块的基板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165588A (zh) * 2013-02-27 2013-06-19 西安永电电气有限责任公司 Igbt模块
CN103258754A (zh) * 2013-05-06 2013-08-21 江苏爱普特半导体有限公司 一种半导体模块的键合工装及其加工工艺
CN104339059A (zh) * 2013-07-23 2015-02-11 西安永电电气有限责任公司 Igbt模块一次焊接的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102856265A (zh) 一种具有弧形凸起的igbt模块用底板
CN104913247A (zh) 一种高耦光效率的背光单元
CN208608696U (zh) 一种低压母线槽
CN202813503U (zh) 散热结构及电磁炉
CN204696102U (zh) 一种功率器件的散热安装结构
CN205670907U (zh) 一种双基板散热器
CN209845587U (zh) 一种相变散热式微波功率放大器
CN208862607U (zh) 一种电动设备用的充放电模块组件
CN206708822U (zh) 一种快速热传导led灯条背光结构
CN203617275U (zh) 大功率器件用的引线框架
CN202712234U (zh) 具有散热封装结构的太阳能电池组件
CN214070483U (zh) 一种易于散热的冰箱控制板
CN204652863U (zh) 一种散热器鳍片扣合装置
CN109427713A (zh) 一种压接型igbt阀的同管径均压结构
CN219612112U (zh) Pcb板及便携式储能电源
CN210956652U (zh) 一种散热性能好的功率晶体管
CN204157208U (zh) 一种高效散热片结构
CN202957449U (zh) 一种半导体泵浦固体激光器
CN107329551A (zh) 一种用于机组散热器的组件
CN211909289U (zh) 一种pcba板用散热结构
CN216795350U (zh) 一种可快速散热的多层印制pcb线路板
CN208606630U (zh) 一种铝板散热器的散热结构
CN215452045U (zh) 一种高功率准连续半导体激光器芯片
CN208570584U (zh) 散热片及烹饪器具
CN208622605U (zh) 一种具有散热功能的电容器垫片

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130102