CN205152388U - 一种带隔离阀的单晶炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种带隔离阀的单晶炉，属于单晶炉的制造领域。本实用新型包括侧开式副室、炉筒和晶体提升机构，侧开式副室下部设有隔离阀，隔离阀包括隔离电机、连轴、阀座、阀盖和转动臂，阀座安装于侧开式副室下部横截面上，连轴的一端固连有连轴齿轮，连轴的另一端通过转动臂与阀盖固连，阀盖与阀座上的圆形通孔相配合；连轴齿轮上固连有光电感应块三，光电限位开关四、光电限位开关五分别位于光电感应块三的两侧；炉筒位于侧开式副室的下方且炉筒内部与侧开式副室内部相连通，晶体提升机构安装于侧开式副室的上方。本实用新型主要解决了采用人力进行隔离操作容易造成掉棒风险的问题。

Description

一种带隔离阀的单晶炉

技术领域

本实用新型涉及单晶炉的制造领域，更具体地说，涉及一种带隔离阀的单晶炉，特别是针对生产12英寸及以上半导体级硅晶圆的单晶炉。

背景技术

硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值，硅晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以生产大约427个处理器核心，300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆面积的2.25倍，而出产的处理器个数却是后者的2.385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆高多少，因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯片生产商所追求的。然而，硅晶圆具有的一个特性却限制了生产商随意增加硅晶圆的尺寸，那就是在晶圆生产过程中，离晶圆中心越远就越容易出现坏点。因此从硅晶圆中心向外扩展，坏点数呈上升趋势，这样现有技术中就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。

根据SEMI发布的半导体材料市场信息，2013年全球全年硅片材料市场消耗约100亿平方英寸，其中300mm约占70％，折合12英寸硅片月消耗量为516万片。然而12英寸以上大直径硅片市场中，日本、德国、美国和韩国资本控制的6大硅片公司的销量占世界硅片销售额的90％，全球寡头垄断已经形成。国内每月硅片需求量：12英寸(约20万片/月)、8英寸(约50万片/月)、6英寸(约35万片/月)，其中8英寸及12英寸硅片基本依赖国外进口。

中国目前进口第一多的商品不是原油，是芯片，一年进口2500亿美元。我国集成电路产业处在世界的中下端，属于集成电路消费大国、制造大国，具有粗放型、高投入、低利润的缺陷。特别是晶圆制造行业，受限于国外对大直径单晶硅生长设备、工艺和检测设备的封锁，我国晶圆制造一直处于4～6英寸的工艺水平。因此，如何突破技术封锁，实现12英寸硅片的国产化，已经迫在眉睫。而要实现12英寸硅片的国产化，首先必须要解决的就是生产设备的国产化。

传统单晶炉的结构示意图如图1所示，该单晶炉的副室包括上部圆筒形的封闭式副室1-1和下部的副室隔离仓1-2，因为在对副室进行清洗时，只能打开下部较小的副室隔离仓1-2，所以不能有效地清理整个副室内的氧化物等尘埃污染物，使得单晶硅在生产过程中因沾污而影响其品质，特别是对于生产12英寸及以上半导体级的硅晶圆，其品质要求更高，如何有效地清理整个副室内的尘埃污染物显得尤为重要。

目前CZ晶体生长方法的工艺大致可以分为清炉→装料→抽空→检漏→熔料→穏温→引晶→放肩→等径→收尾→停炉→取棒等步骤，其中，在出现晶体生长异常时，均会需要进行隔离操作。隔离操作的原理是以一个临时的密封装置，隔离炉筒与副室，通过充氩气操作可以将副室内部充至常压760torr状态，而炉筒内部继续维持低压0～20torr状态，隔离操作通常用在取出晶体生长过程中生长失败的晶体或者进行更换籽晶的场合。

传统单晶炉在进行隔离操作时，都是采用人力，用手转动把手带动阀盖旋转从而进行隔离操作，采用人力进行隔离操作缺点也很明显，人力转动把手时往往在用力及转动速度方面存在差异，使得隔离操作时容易引起副室震动，特别是在取棒过程中，轻微的震动就容易造成晶体在副室内晃动，带来掉棒的风险；且采用人力进行隔离操作工作效率十分低下。

现有技术中关于隔离操作使用的旋转隔离阀已有公开，例如专利公开号：CN201321510Y，公开日：2009年10月7日，发明创造名称为：一种晶体生长设备用旋转隔离阀，该申请案公开了一种晶体生长设备用旋转隔离阀，包括阀体、阀盖，阀体上的炉口与阀盖相匹配，阀盖与阀盖拉板一端相固装，阀盖拉板的另一端与旋转轴相固装，旋转轴竖直安装于阀体上的竖孔内，旋转轴与竖孔为间隙配合且能作上下和周向运动，旋转轴的上端与旋转压紧装置相固联，采用该申请案的旋转隔离阀，由于阀盖的打开方式由翻开式改进为水平旋开式，使设备厂房高度降低，节约了设备的装机成本。但是，该申请案的旋转隔离阀仍旧是采用人力进行隔离操作，容易引起副室震动而造成掉棒等风险。

实用新型内容

1.实用新型要解决的技术问题

本实用新型的目的在于克服现有技术中的上述不足，提供了一种带隔离阀的单晶炉，主要解决了采用人力进行隔离操作容易造成掉棒风险的问题。

2.技术方案

为达到上述目的，本实用新型提供的技术方案为：

本实用新型的带隔离阀的单晶炉，包括侧开式副室、炉筒和晶体提升机构，所述侧开式副室为一体式结构，该侧开式副室包括内部设有空腔的副室主体和门板，所述副室主体一侧面上设有开口，所述门板通过铰链转动连接在副室主体上，门板与副室主体侧面上的开口相配合；

所述铰链包括主体连接件、门板连接件和转轴，所述主体连接件与副室主体固连，所述门板连接件与门板固连，所述门板连接件的上下两端均向外延伸构成转轴，所述主体连接件的上下两端均设有腰型孔，所述转轴安装在所述腰型孔内；

所述侧开式副室下部设有隔离阀，所述隔离阀包括隔离电机、连轴、阀座、阀盖和转动臂，所述阀座安装于侧开式副室下部横截面上，阀座上设有圆形通孔；所述隔离电机的输出轴上固连有隔离电机齿轮，连轴的一端固连有连轴齿轮，所述隔离电机齿轮与连轴齿轮啮合传功；所述连轴的另一端通过转动臂与阀盖固连，阀盖与阀座上的圆形通孔相配合；

所述连轴齿轮上固连有光电感应块三，光电限位开关四、光电限位开关五分别固定于侧开式副室侧面的两个支架上且光电限位开关四、光电限位开关五分别位于光电感应块三的两侧；

所述炉筒位于侧开式副室的下方且炉筒内部与侧开式副室内部相连通，所述晶体提升机构安装于侧开式副室的上方。

作为本实用新型更进一步的改进，还包括打开开关和关闭开关，其中，打开开关与控制隔离电机正转的电路连锁控制，关闭开关与控制隔离电机反转的电路连锁控制。

作为本实用新型更进一步的改进，并联的两路一端与电源连接，另一端与隔离电机相连，所述并联的两路中一路为串联的打开开关和光电限位开关四，另一路为串联的关闭开关和光电限位开关五。

作为本实用新型更进一步的改进，所述主体连接件和门板连接件上均设有通孔，采用螺钉穿过主体连接件上的通孔将主体连接件与副室主体固连，采用螺钉穿过门板连接件上的通孔将门板连接件与门板固连。

作为本实用新型更进一步的改进，所述铰链的数量为两个，两个铰链分别固定在副室主体的上部、下部。

作为本实用新型更进一步的改进，所述阀座上固定有连轴轴套，所述连轴安装于连轴轴套内。

作为本实用新型更进一步的改进，所述阀座上的圆形通孔处设有陶瓷密封圈。

作为本实用新型更进一步的改进，所述打开开关和关闭开关共同组成一个旋转开关，该旋转开关旋至一侧时打开开关闭合，旋至另一侧时关闭开关闭合。

3.有益效果

采用本实用新型提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：

(1)本实用新型中，隔离阀采用电动控制的隔离电机作为动力源，利用齿轮传动的方式来实现隔离阀的自动“打开/关闭”，实现了自动化操作、消除了安全隐患、生产效率明显提高；具体采用2个光电限位开关进行信号检测，通过光电限位开关四和光电限位开关五进行自动限位动作，以闭合打开开关或关闭开关进行隔离阀的“打开/关闭”动作，对晶体生长工艺的自动化及操作性都有很大的提升。

(2)本实用新型中采用光电限位开关作为信号检测装置，在电路设计过程中很好的采用信号进行断路，提高了操作的安全性和防呆效果，且采用光电限位开关作为信号检测装置，不需要接触即可采集信号，相比于利用行程块接触来采集信号的方式，光电限位开关可靠性更高。同时，阀盖设计为自动匀速旋转，很好地解决了隔离操作时的副室震动问题，特别是降低了取棒过程中副室震动带来的掉棒风险，更符合大直径晶体生长的需求。

(3)本实用新型中，腰型孔的设计使得转轴可以发生径向的移动，在真空泵的作用下，门板被外界大气压紧紧地压在侧开式副室的侧面开口上，此时转轴在腰型孔内相应地发生径向位置调整，使得门板沿侧开式副室侧面开口的法线方向压向密封圈，使密封圈均衡受力，保持了密封圈的平整状态，避免出现密封圈局部受力不均而导致的漏气行为。

附图说明

图1为传统单晶炉的结构示意图；

图2为本实用新型的带隔离阀的单晶炉的结构示意图；

图3为本实用新型中侧开式副室的门板打开时的主视结构示意图；

图4为本实用新型中侧开式副室的门板关闭时的侧视结构示意图；

图5为本实用新型中铰链的结构示意图；

图6为本实用新型中铰链的俯视结构示意图；

图7为本实用新型中隔离阀的俯视结构示意图；

图8为本实用新型中隔离电机齿轮与连轴齿轮相配合时的侧视结构示意图；

图9为本实用新型中隔离阀的电路原理图。

示意图中的标号说明：

1-1、封闭式副室；1-2、副室隔离仓；2、侧开式副室；2-1、副室主体；2-2、门板；2-3、铰链；2-3-1、主体连接件；2-3-1-1、腰型孔；2-3-2、门板连接件；2-3-3、转轴；3、炉筒；4、隔离阀；5、晶体提升机构；4-1、隔离电机；4-1-1、隔离电机齿轮；4-2、连轴；4-2-1、连轴齿轮；4-3、阀座；4-4、阀盖；4-5、转动臂；4-6、光电感应块三；4-7、连轴轴套；SQ4、光电限位开关四；SQ5、光电限位开关五；SB3、打开开关；SB4、关闭开关。

具体实施方式

为进一步了解本实用新型的内容，结合附图和实施例对本实用新型作详细描述。

实施例1

结合图2～9，本实施例的带隔离阀的单晶炉，包括侧开式副室2、炉筒3和晶体提升机构5，侧开式副室2为一体式结构，该侧开式副室2包括内部设有空腔的副室主体2-1和门板2-2，副室主体2-1一侧面上设有开口，门板2-2通过铰链2-3转动连接在副室主体2-1上，门板2-2与副室主体2-1侧面上的开口相配合。

现有传统的单晶炉，其单晶炉的副室不是一体式结构，而是包括上部圆筒形的封闭式副室和下部的副室隔离仓，因为在对副室进行清洗时，只能打开下部较小的副室隔离仓，所以不能有效地清理整个副室内的氧化物等尘埃污染物，使得单晶硅在生产过程中因沾污而影响其品质，特别是对于生产12英寸及以上半导体级的硅晶圆，其品质要求更高，如何有效地清理整个副室内的尘埃污染物显得尤为重要。本实施例的带隔离阀的单晶炉，包括一体式结构的侧开式副室2，该侧开式副室2一侧面上设有开口，门板2-2通过铰链2-3转动连接在副室主体2-1上，门板2-2与副室主体2-1侧面上的开口相配合，因此打开侧开式副室2的门板2-2时保持了一个相对大的开放面积，可以提供大面积的开口用于炉体的日常清理，能够有效地清理副室结构内的氧化物等尘埃垃圾，有效降低了杂质沾污，避免因沾污影响单晶硅的品质。

本实施例中，铰链2-3包括主体连接件2-3-1、门板连接件2-3-2和转轴2-3-3，主体连接件2-3-1与副室主体2-1固连，门板连接件2-3-2与门板2-2固连，门板连接件2-3-2的上下两端均向外延伸构成转轴2-3-3，主体连接件2-3-1的上下两端均设有腰型孔2-3-1-1，转轴2-3-3安装在腰型孔2-3-1-1内。

在需要将门板2-2关闭从而对侧开式副室2进行密封时，腰型孔2-3-1-1的设计使得转轴2-3-3可以发生径向的移动(即转轴2-3-3可以在腰型孔2-3-1-1内移动)，在真空泵的作用下(由于侧开式副室2内被真空泵抽成近真空状态，外界大气压对门板2-2有压力作用)，门板2-2被外界大气压紧紧地压在侧开式副室2的侧面开口上，此时转轴2-3-3在腰型孔2-3-1-1内相应地发生径向位置调整，使得门板2-2沿侧开式副室2侧面开口的法线方向压向侧开式副室2侧面开口处的密封圈，使该密封圈均衡受力，保持了密封圈的平整状态，避免出现密封圈局部受力不均而导致的漏气行为。

传统单晶炉在进行隔离操作时，都是采用人力，即用手转动把手带动阀盖旋转从而进行隔离操作，采用人力进行隔离操作缺点也很明显，人力转动把手时往往在用力及转动速度方面存在差异，使得隔离操作时容易引起副室震动，特别是在取棒过程中，轻微的震动就容易造成晶体在副室内晃动，带来掉棒的风险。

为了克服上述缺陷，本实施例中提供了隔离阀4，侧开式副室2下部设有隔离阀4，该隔离阀4用于根据使用需要将炉筒3内部与侧开式副室2内部相互隔离，隔离阀4包括隔离电机4-1(本实施例中的隔离电机4-1与减速机相连，构成减速电机，减速机的比例及速度选择，根据需求调节减速机比例和设定齿轮比例)、连轴4-2、阀座4-3、阀盖4-4和转动臂4-5，阀座4-3安装于侧开式副室2下部横截面上，阀座4-3上设有圆形通孔；隔离电机4-1的输出轴上固连有隔离电机齿轮4-1-1，连轴4-2的一端固连有连轴齿轮4-2-1，隔离电机齿轮4-1-1与连轴齿轮4-2-1啮合传功；连轴4-2的另一端通过转动臂4-5与阀盖4-4固连，阀盖4-4与阀座4-3上的圆形通孔相配合；连轴齿轮4-2-1上固连有光电感应块三4-6(通过在连轴齿轮4-2-1上打孔固定光电感应块三4-6)，光电限位开关四SQ4、光电限位开关五SQ5分别固定于侧开式副室2侧面的两个支架上且光电限位开关四SQ4、光电限位开关五SQ5分别位于光电感应块三4-6的两侧(调节光电限位开关四SQ4、光电限位开关五SQ5的相对位置，以便于后续的限位动作)；炉筒3位于侧开式副室2的下方且炉筒3内部与侧开式副室2内部相连通，晶体提升机构5安装于侧开式副室2的上方，该晶体提升机构5主要用于实际生产时提升籽晶以拉制晶体。本实施例的带隔离阀的单晶炉，还包括打开开关SB3和关闭开关SB4，其中，打开开关SB3与控制隔离电机4-1正转的电路连锁控制(即打开开关SB3闭合后隔离电机4-1在带电情况下保持正转)，关闭开关SB4与控制隔离电机4-1反转的电路连锁控制(即关闭开关SB4闭合后隔离电机4-1在带电情况下保持反转)。并联的两路一端与电源连接，另一端与隔离电机4-1相连，并联的两路中一路为串联的打开开关SB3和光电限位开关四SQ4，另一路为串联的关闭开关SB4和光电限位开关五SQ5。

如图9所示，准备“打开”隔离阀4时，将打开开关SB3闭合，此时隔离电机4-1与电源接通开始工作，由于打开开关SB3与控制隔离电机4-1正转的电路连锁控制，此时隔离电机4-1将保持正转，带动连轴齿轮4-2-1以匀速逆时针转动进而旋转抬起阀盖4-4，使得阀盖4-4与阀座4-3上的圆形通孔脱离，从而“打开”隔离阀4，当阀盖4-4被旋转抬起至一定程度时，光电限位开关五SQ5正好感应到前方连轴齿轮4-2-1上的光电感应块三4-6，此时光电限位开关五SQ5自动变为断开状态，隔离电机4-1与电源断开停止工作，阀盖4-4的旋转抬起动作立即停止，完成隔离阀4“打开”动作。

准备“关闭”隔离阀4时，将关闭开关SB4闭合，此时隔离电机4-1与电源接通开始工作，由于关闭开关SB4与控制隔离电机4-1反转的电路连锁控制，此时隔离电机4-1将保持反转，带动连轴齿轮4-2-1以匀速顺时针转动进而旋转落下阀盖4-4，使得阀盖4-4与阀座4-3上的圆形通孔闭合，从而“关闭”隔离阀4，当阀盖4-4完全与阀座4-3上的圆形通孔闭合时，光电限位开关四SQ4正好感应到前方连轴齿轮4-2-1上的光电感应块三4-6，此时光电限位开关四SQ4自动变为断开状态，隔离电机4-1与电源断开停止工作，阀盖4-4的旋转落下动作立即停止，完成隔离阀4“关闭”动作。

该隔离阀4采用电动控制的隔离电机4-1作为动力源，利用齿轮传动(隔离电机齿轮4-1-1和连轴齿轮4-2-1)的方式来实现隔离阀4的自动“打开/关闭”，实现了自动化操作、消除了安全隐患、生产效率明显提高；具体采用2个光电限位开关进行信号检测，通过光电限位开关四SQ4和光电限位开关五SQ5进行自动限位动作，以闭合打开开关SB3或关闭开关SB4进行隔离阀4的“打开/关闭”动作，对晶体生长工艺的自动化及操作性都有很大的提升。本实施例中采用光电限位开关作为信号检测装置，在电路设计过程中很好的采用信号进行断路，提高了操作的安全性和防呆效果，且采用光电限位开关作为信号检测装置，不需要接触即可采集信号，相比于利用行程块接触来采集信号的方式(利用行程块接触来采集信号的方式存在响应速度低、精度差、寿命短和容易撞击损坏开关自身的缺点)，光电限位开关可靠性更高。同时，阀盖4-4设计为自动匀速旋转，很好地解决了隔离操作时的副室震动问题，特别是降低了取棒过程中副室震动带来的掉棒风险，更符合大直径晶体生长的需求。

实施例2

本实施例的带隔离阀的单晶炉，其基本结构与实施例1相同，其不同之处在于：本实施例中主体连接件2-3-1和门板连接件2-3-2上均设有通孔，采用螺钉穿过主体连接件2-3-1上的通孔将主体连接件2-3-1与副室主体2-1固连，采用螺钉穿过门板连接件2-3-2上的通孔将门板连接件2-3-2与门板2-2固连，通过上述结构，能够方便的将门板2-2通过铰链2-3转动连接在副室主体2-1上，便于拆卸、维修铰链2-3。

实施例3

本实施例的带隔离阀的单晶炉，其基本结构与实施例1相同，其不同之处在于：本实施例中铰链2-3的数量为两个，两个铰链2-3分别固定在副室主体2-1的上部、下部，两个铰链2-3上下均匀受力，提高了铰链2-3的连接强度。

实施例4

本实施例的带隔离阀的单晶炉，其基本结构与实施例1相同，其不同之处在于：本实施例中阀座4-3上固定有连轴轴套4-7，连轴4-2安装于连轴轴套4-7内，连轴轴套4-7对连轴4-2起到周向定位作用，有利于减少连轴4-2旋转过程中的周向晃动，从而避免隔离操作时的副室震动问题。

实施例5

本实施例的带隔离阀的单晶炉，其基本结构与实施例1相同，其不同之处在于：本实施例中阀座4-3上的圆形通孔处设有陶瓷密封圈，提高了阀盖4-4与阀座4-3上圆形通孔闭合时的气密性，确保隔离阀4的隔离效果。在实际生产过程中，侧开式副室2内部的温度较高，因此采用耐高温的陶瓷密封圈，提高了使用可靠性；且陶瓷密封圈具有较好的机械性能和耐磨性能，解决了密封面因物料冲刷而易被冲蚀、寿命不高的问题，具有较长的使用寿命。

实施例6

本实施例的带隔离阀的单晶炉，其基本结构与实施例1相同，其不同之处在于：本实施例中打开开关SB3和关闭开关SB4共同组成一个旋转开关，该旋转开关分为三挡，中间一挡为不进行任何操作，该旋转开关旋至左侧一档时打开开关SB3闭合，旋至右侧一档时关闭开关SB4闭合。本实施例中旋转开关的设计方便了“打开/关闭”隔离阀4的动作，用一个开关即可实现两个动作的操作，操作简便，工作效率更高。

以上示意性的对本实用新型及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本实用新型的保护范围。

Claims (8)

1.一种带隔离阀的单晶炉，其特征在于：包括侧开式副室(2)、炉筒(3)和晶体提升机构(5)，所述侧开式副室(2)为一体式结构，该侧开式副室(2)包括内部设有空腔的副室主体(2-1)和门板(2-2)，所述副室主体(2-1)一侧面上设有开口，所述门板(2-2)通过铰链(2-3)转动连接在副室主体(2-1)上，门板(2-2)与副室主体(2-1)侧面上的开口相配合；

所述铰链(2-3)包括主体连接件(2-3-1)、门板连接件(2-3-2)和转轴(2-3-3)，所述主体连接件(2-3-1)与副室主体(2-1)固连，所述门板连接件(2-3-2)与门板(2-2)固连，所述门板连接件(2-3-2)的上下两端均向外延伸构成转轴(2-3-3)，所述主体连接件(2-3-1)的上下两端均设有腰型孔(2-3-1-1)，所述转轴(2-3-3)安装在所述腰型孔(2-3-1-1)内；

所述侧开式副室(2)下部设有隔离阀(4)，所述隔离阀(4)包括隔离电机(4-1)、连轴(4-2)、阀座(4-3)、阀盖(4-4)和转动臂(4-5)，所述阀座(4-3)安装于侧开式副室(2)下部横截面上，阀座(4-3)上设有圆形通孔；所述隔离电机(4-1)的输出轴上固连有隔离电机齿轮(4-1-1)，连轴(4-2)的一端固连有连轴齿轮(4-2-1)，所述隔离电机齿轮(4-1-1)与连轴齿轮(4-2-1)啮合传功；所述连轴(4-2)的另一端通过转动臂(4-5)与阀盖(4-4)固连，阀盖(4-4)与阀座(4-3)上的圆形通孔相配合；

所述连轴齿轮(4-2-1)上固连有光电感应块三(4-6)，光电限位开关四(SQ4)、光电限位开关五(SQ5)分别固定于侧开式副室(2)侧面的两个支架上且光电限位开关四(SQ4)、光电限位开关五(SQ5)分别位于光电感应块三(4-6)的两侧；

所述炉筒(3)位于侧开式副室(2)的下方且炉筒(3)内部与侧开式副室(2)内部相连通，所述晶体提升机构(5)安装于侧开式副室(2)的上方。

2.根据权利要求1所述的带隔离阀的单晶炉，其特征在于：还包括打开开关(SB3)和关闭开关(SB4)，其中，打开开关(SB3)与控制隔离电机(4-1)正转的电路连锁控制，关闭开关(SB4)与控制隔离电机(4-1)反转的电路连锁控制。

3.根据权利要求2所述的带隔离阀的单晶炉，其特征在于：并联的两路一端与电源连接，另一端与隔离电机(4-1)相连，所述并联的两路中一路为串联的打开开关(SB3)和光电限位开关四(SQ4)，另一路为串联的关闭开关(SB4)和光电限位开关五(SQ5)。

4.根据权利要求1所述的带隔离阀的单晶炉，其特征在于：所述主体连接件(2-3-1)和门板连接件(2-3-2)上均设有通孔，采用螺钉穿过主体连接件(2-3-1)上的通孔将主体连接件(2-3-1)与副室主体(2-1)固连，采用螺钉穿过门板连接件(2-3-2)上的通孔将门板连接件(2-3-2)与门板(2-2)固连。

5.根据权利要求1所述的带隔离阀的单晶炉，其特征在于：所述铰链(2-3)的数量为两个，两个铰链(2-3)分别固定在副室主体(2-1)的上部、下部。

6.根据权利要求1所述的带隔离阀的单晶炉，其特征在于：所述阀座(4-3)上固定有连轴轴套(4-7)，所述连轴(4-2)安装于连轴轴套(4-7)内。

7.根据权利要求1或2所述的带隔离阀的单晶炉，其特征在于：所述阀座(4-3)上的圆形通孔处设有陶瓷密封圈。

8.根据权利要求2或3所述的带隔离阀的单晶炉，其特征在于：所述打开开关(SB3)和关闭开关(SB4)共同组成一个旋转开关，该旋转开关旋至一侧时打开开关(SB3)闭合，旋至另一侧时关闭开关(SB4)闭合。