CN205051872U - 一种mems麦克风 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种MEMS麦克风，包括一个封装结构，所述封装结构上设置有用于接收声音信号的声孔(3)，所述封装结构内部设置有用于声电转换的MEMS芯片(4)和用于放大电信号的ASIC芯片(5)，所述封装结构由金属外壳(1)和与所述金属外壳(1)相配合的多层电路板(2)构成；所述金属外壳(1)焊接在所述多层电路板(2)中的地层上。本实用新型的技术方案，通过将金属外壳焊接在多层电路板的地层上，利用金属外壳与地层形成的严密的屏蔽腔，来提高MEMS麦克风的屏蔽效果，以达到提高MEMS麦克风抗射频干扰性能的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及声电产品技术领域，特别涉及一种MEMS麦克风。
背景技术
在麦克风的实际应用中，受到外部电磁干扰是难以避免的，电磁干扰严重影响麦克风封装结构的内部芯片性能。
目前的MEMS麦克风封装结构，通常是将金属外壳直接焊接在电路板的线路层，如图1所示，图1中MEMS麦克风的金属外壳直接焊接在电路板顶层的线路层上，外界的电磁干扰会通过线路层进入封装结构内部，从而影响封装结构内部芯片。因此，有必要提供一种具备良好屏蔽性能的MEMS麦克风。
实用新型内容
鉴于上述问题，本实用新型提供了一种MEMS麦克风，以解决现有MEMS麦克风电磁屏蔽效果差的问题。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
本实用新型提供了一种MEMS麦克风，包括一个封装结构，封装结构上设置有用于接收声音信号的声孔3，封装结构内部设置有用于声电转换的MEMS芯片4和用于信号放大的ASIC芯片5，
封装结构由金属外壳1和与金属外壳1相配合的多层电路板2构成；金属外壳1焊接在多层电路板2中的地层上。
优选地，多层电路板2包括由上至下依次结合在一起的第一线路层21、第一基材层2、地层23、第二基材层24和第二线路层25；
多层电路板2的边缘设置有由第一线路层21和第一基材层22与地层23构成的台阶；
金属外壳1扣罩在台阶上，且金属外壳1的开口端焊接在台阶的地层23上。
优选地，第一线路层21的边缘与焊接在地层23上的金属外壳1的开口端具有空隙。
优选地，声孔3设置在金属外壳1上，或者，声孔3设置在多层电路板2上。
优选地，MEMS芯片6和ASIC芯片5均设置在第一线路层21上，二者通过导线连接，ASIC芯片5通过第一线路层21上的导电垫片PAD6与第一线路层21连接。
本实用新型实施例的有益效果是：本实用新型公开了一种MEMS麦克风，由于金属外壳直接焊接在多层电路板中的地层上，金属外壳和地层能够形成了一个严密的屏蔽腔，从而能够有效地提高MEMS麦克风封装结构的屏蔽效果，从而提高MEMS麦克风的抗射频干扰性能。
附图说明
图1为现有技术中MEMS麦克风的封装结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的MEMS麦克风的封装结构示意图；
图中：1、金属外壳；2、多层电路板；21、第一线路层；22、第一基材层；23、地层；24、第二基材层；25、第二线路层；3、声孔；4、MEMS芯片；5、ASIC芯片；6、导电垫片PAD。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
图2为本实施例提供的MEMS麦克风的封装结构示意图，如图2所示，图2中的MEMS麦克风包括一个封装结构，封装结构上设置有用于接收声音信号的声孔3，封装结构内部设置有用于声电转换的MEMS芯片4和用于信号放大的ASIC芯片5。
其中，封装结构由金属外壳1和与金属外壳1相配合的多层电路板2构成，金属外壳1焊接在多层电路板2中的地层上。
本实施例将金属外壳直接焊接在多层电路板中的地层上，利用金属外壳和地层形成完整的屏蔽腔体。相比于现有技术，本实施例能够有效地提高MEMS麦克风的屏蔽性能。
如图2所示，图2中的多层电路板2包括由上至下依次结合在一起的第一线路层21、第一基材层2、地层23、第二基材层24和第二线路层25；也即，第一线路层21和地层23通过第一基材层22结合在一起，地层23和第二线路层25通过第二基材层24结合在一起。
多层电路板2的边缘设置有由第一线路层21和第一基材层22与地层23构成的台阶，即第一线路层21和第一基材层22构成第一台阶，地层23构成第二台阶；
金属外壳1扣罩在台阶上，且金属外壳1的开口端焊接在台阶的地层23上。
在实际应用中，可以利用铣床获得图2中由第一线路层21和第一基材层22与地层23构成的台阶。
需要说明的是，本实施例设计第一线路层和第一基材层的尺寸小于金属外壳开口端的尺寸，以便于在各组件存在公差时，本实施例的金属外壳能够轻松地焊接到多层电路板的地层上。具体的，如图2所示，第一线路层21的边缘与焊接在地层23上的金属外壳1的开口端具有空隙。
继续参考图2，本实施例中的声孔3设置在金属外壳1上，当然本实施例中的声孔3也可以设置在多层电路板2上。
MEMS芯片6和ASIC芯片5均设置在第一线路层21上，二者通过导线连接，ASIC芯片5通过第一线路层21上的导电垫片PAD6与第一线路层21连接。
综上所述，本实用新型公开了一种MEMS麦克风，通过将金属外壳焊接在多层电路板的地层上，相比于将金属外壳直接焊接在电路板的线路层的现有技术，利用金属外壳和地层形成的严密屏蔽腔来提高MEMS麦克风的屏蔽效果，从而提高MEMS麦克风的抗射频干扰性能。
为了便于清楚描述本实用新型实施例的技术方案，在实用新型的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定。
鉴于MEMS芯片和ASIC芯片的适当调整对本实用新型的主旨没有影响，图样中的MEMS芯片和ASIC芯片仅采样简略图样表示。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (5)
1.一种MEMS麦克风，包括一个封装结构，所述封装结构上设置有用于接收声音信号的声孔(3)，所述封装结构内部设置有用于声电转换的MEMS芯片(4)和用于信号放大的ASIC芯片(5)，其特征在于：
所述封装结构由金属外壳(1)和与所述金属外壳(1)相配合的多层电路板(2)构成；所述金属外壳(1)焊接在所述多层电路板(2)中的地层上。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述多层电路板(2)包括由上至下依次结合在一起的第一线路层(21)、第一基材层(22)、地层(23)、第二基材层(24)和第二线路层(25)；
所述多层电路板(2)的边缘设置有由所述第一线路层(21)和第一基材层(22)与所述地层(23)构成的台阶；
所述金属外壳(1)扣罩在所述台阶上，且所述金属外壳(1)的开口端焊接在所述台阶的地层(23)上。
3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第一线路层(21)的边缘与焊接在所述地层(23)上的金属外壳(1)的开口端具有空隙。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述声孔(3)设置在所述金属外壳(1)上，或者，所述声孔(3)设置在所述多层电路板(2)上。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述MEMS芯片(6)和所述ASIC芯片(5)均设置在所述第一线路层(21)上，二者通过导线电连接，所述ASIC芯片(5)通过所述第一线路层(21)上的导电垫片PAD(6)与所述第一线路层(21)连接。
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| CN115425379A (zh) * | 2022-09-21 | 2022-12-02 | 河北美泰电子科技有限公司 | 一种mems环行器及其封装方法和微波元器件 |
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2015
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