CN204741021U - 一种共阴极全对称cob封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种COB封装结构,具体涉及一种共阴极全对称COB封装结构,属于LED技术领域,所述共阴极全对称COB封装结构包括RGB三色晶体、PCB集成块、托架和金线,所述RGB三色晶体固定在PCB集成块上,所述PCB集成块安装在托架上,所述RGB三色晶体通过金线与PCB集成块连接,所述RGB三色晶体为共阴极连接,所述RGB三色晶体的R晶体、G晶体和B晶体以公共阴极为对称中心呈三叉状120°旋转对称排列,若干个所述RGB三色晶体均匀设置在PCB集成块上,相邻的RGB三色晶体之间的间隙设有间隔层,每个所述RGB三色晶体上方均设有密封层,整个所述PCB集成块的上面压铸有透明磨砂保护层,本实用新型提高了LED效率、延长了LED使用寿命、增强了LED显色效果。
Description
技术领域
本实用新型属于LED技术领域,涉及一种COB封装结构,具体涉及一种共阴极全对称COB封装结构。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)作为一种新型的节能、环保绿色光源产品,是未来发展的趋势,被称为第四代新光源革命。LED具有寿命长、光效高、稳定性高、安全性好、无汞、无辐射、低功耗等优点。但高光效、低成本的集成光源产业技术的缺乏,是目前制约国内外LED室内通用照明迅速发展的瓶颈,是亟待解决的共性关键问题。
目前,LED比较常用的是白光LED和RGB LED两种,白光LED是直接以白光呈现,而RGB LED则是以红绿蓝三色混光而成,故RGB LED也称三色LED,通过红、绿、蓝三原色处理图像色彩,具有较好的光学特性,色彩表现优异。但在R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三色光混合时,需要对三种LED芯片发出的光的主波长和发光强度等进行优化组合,绝对不是简单地将LED芯片简单地排列封装在一起就能很好地混合成白光。
目前,LED封装形式多种多样,但总的来说,COB LED封装技术是目前国内外产业界趋于认同的LED通用照明产业主流技术方案。
COB(Chip on Board),即板上芯片封装,是一种最简单的裸芯片贴装技术,就是将裸芯片用导电或非导电胶粘附在互连基板上,然后进行引线键合实现其电气连接。此技术剔除了支架概念,无电镀、无回流焊,因此工序减少近三分之一,成本也节约了三分之一,COB光源为高功率集成面光源,能够根据产品外形结构设计光源的出光面积和外形尺寸,但目前这项技术还不成熟,还存在很多有待改善的环节。
目前,常见的LED的封装技术中,LED驱动芯片一般采用共阳极连接,其缺点是发光效能低,发热多,节能效果不理想,LED的寿命较短。中国专利201210166127.1公开了一种全彩直插LED灯珠,包括胶体、引脚和R、G、B三颗LED芯片,所述引脚为四个,分别是三个与所述R、G、B芯片相对应的负极引脚和一个作为公共阳极的引脚,其一端密封于所述胶体内,所述公共阳极的密封端还具有一个反射杯,所述R、G、B芯片呈一字依次排列在所述反射杯内,所述R、G、B芯片与所述引脚导线连接,所述反射杯和所述胶体两者至少一个的横截面为跑道形。其缺点是引脚的共阳极连接方式使得发光效能低,发热多,降低了芯片的反应速度,此外其R、G、B芯片呈一字排列,使得红、绿、蓝三色混合效果不理想,结果导致出光的色彩不均匀、不一致,颜色偏差大的问题。
申请号为201310092481.9的专利文件公开了一种RGB三色LED的封装结构,包括热沉铝基板、RGB三色LED芯片和硅胶透镜;所述热沉铝基板上设有反射槽和电极片,所述RGB三色LED芯片通过固晶胶固定在反射槽的底平面上,LED芯片的正负电极通过金线与热沉铝基板上的电极片连接;所述硅胶透镜覆于反射槽和RGB三色LED芯片上方;所述RGB三色LED芯片的出光侧面倾斜于反射槽的槽形方向,实现了RGB三色LED芯片封装于一体。其中,所述RGB三色LED芯片,各芯片沿反射槽的槽形方向等间距排列,即成一字型排列,同样具有出光色彩不均匀、不一致的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足,提供一种提高LED效率、延长LED使用寿命、增强LED显色效果的共阴极全对称COB封装结构。
本实用新型解决问题的技术方案是:一种共阴极全对称COB封装结构,包括RGB三色晶体、PCB集成块、托架和金线,所述RGB三色晶体固定在PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)集成块上,所述PCB集成块安装在托架上,所述RGB三色晶体通过金线与PCB集成块连接,所述RGB三色晶体为共阴极连接。
进一步地,所述共阴极连接为RGB三色晶体的R(红色)晶体、G(绿色)晶体和B(蓝色)晶体以公共阴极作为焊点进行焊接。
进一步地,所述RGB三色晶体的R晶体、G晶体和B晶体以公共阴极为对称中心呈三叉状120°旋转对称排列。
进一步地,RGB三色晶体的R晶体、G晶体和B晶体到公共阴极的距离均为0.000005mm~0.00001mm,这样能最大程度地保证R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三色重叠。从而实现颜色的完美融合,无角度色差。同时在无需高亮度的情况,保证发光的白平衡效果。
进一步地,所述RGB三色晶体的数目为若干个,若干个所述RGB三色晶体均匀设置在PCB集成块上,相邻的RGB三色晶体之间的间隙设有间隔层,实现每个所述RGB三色晶体的发光独立性。
进一步地,所述间隔层为黑色环氧树脂层。
进一步地,每个所述RGB三色晶体周围的间隔层呈正多边形,所述RGB三色晶体的公共阴极位于其周围的间隔层形成的正多边形的中心。
进一步地,每个所述RGB三色晶体的上方均设有密封层,用来保护RGB三色晶体,防止腐蚀,防止短路以及电路噪声干扰。
进一步地,所述密封层为灰色透明环氧树脂密封层。
进一步地,整个所述PCB集成块的上面压铸有透明磨砂保护层,所述透明磨砂保护层位于所有的RGB三色晶体及其密封层的上方,所述透明磨砂保护层为了实现表面的漫反射,以达到好的一致性。
本实用新型的有益效果为:
1.RGB三色晶体的共阴极电路结构使得LED中的电流均匀变化,延长了LED的使用寿命;
2.通过将RGB三色晶体的排列方式从传统的一字型排列改成三叉状120°旋转对称排列,一方面,大大改善了LED的可视角度以及角度色差,大大提高了LED显色效果,同时由于结构上的优势配合集成电路,很方便地放大了LED的低亮高灰效果,改善了白平衡问题。另一方面,由于结构上的优势,LED在相同的功率情况下,LED的亮度得到大幅度提升;在实现相同亮度的同时,LED的功耗得到大幅度降低。
附图说明
图1为本实用新型所述共阴极全对称COB封装结构的俯视结构示意图;
图2是图1所示的共阴极全对称COB封装结构的剖视图;
图3是图1所示的单个RGB三色晶体的共阴极连接示意图。
图中:1-RGB三色晶体,2-PCB集成块,3-托架,4-金线,5-间隔层,6-密封层,7-透明磨砂保护层。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型具体实施方式做进一步详细的说明。
如图1-图3所示,一种共阴极全对称COB封装结构,包括RGB三色晶体1、PCB集成块2、托架3和金线4,所述RGB三色晶体1固定在PCB集成块2上,所述PCB集成块2安装在托架3上,所述RGB三色晶体1通过金线4与PCB集成块2连接,所述RGB三色晶体1为共阴极连接。
所述共阴极连接为RGB三色晶体1的R晶体、G晶体和B晶体以公共阴极N作为焊点进行焊接。
所述RGB三色晶体1的R晶体、G晶体和B晶体以公共阴极N为对称中心呈三叉状120°旋转对称排列,所述RGB三色晶体1的R晶体、G晶体和B晶体到公共阴极N的距离均为0.000005mm。
所述RGB三色晶体1的数目为9个,9个所述RGB三色晶体1以三行三列的形式均匀设置在PCB集成块2上,相邻的RGB三色晶体1之间的间隙设有间隔层5。
所述间隔层5为黑色环氧树脂层。
每个所述RGB三色晶体1周围的间隔层5呈正方形,所述RGB三色晶体1的公共阴极N位于其周围的间隔层5形成的正方形的中心。
每个所述RGB三色晶体1的上方均设有密封层6。
所述密封层6为灰色透明环氧树脂密封层。
整个所述PCB集成块2的上面压铸有透明磨砂保护层7,所述透明磨砂保护层7位于所有的RGB三色晶体1及其密封层6的上方。
本实用新型并不限于上述实施方式,在不背离本实用新型的实质内容的情况下,本领域技术人员可以想到的任何变形,改进、替换均落入本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,包括RGB三色晶体、PCB集成块、托架和金线,所述RGB三色晶体固定在PCB集成块上,所述PCB集成块安装在托架上,所述RGB三色晶体通过金线与PCB集成块连接,所述RGB三色晶体为共阴极连接。
2.根据权利要求1所述的共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,所述共阴极连接为RGB三色晶体的R晶体、G晶体和B晶体以公共阴极作为焊点进行焊接。
3.根据权利要求2所述的共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,所述RGB三色晶体的R晶体、G晶体和B晶体以公共阴极为对称中心呈三叉状120°旋转对称排列。
4.根据权利要求3所述的共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,所述RGB三色晶体的R晶体、G晶体和B晶体到公共阴极的距离均为0.000005mm~0.00001mm。
5.根据权利要求1所述的共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,所述RGB三色晶体的数目为若干个,若干个所述RGB三色晶体均匀设置在PCB集成块上,相邻的RGB三色晶体之间的间隙设有间隔层。
6.根据权利要求5所述的共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,所述间隔层为黑色环氧树脂层。
7.根据权利要求5所述的共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,每个所述RGB三色晶体周围的间隔层呈正多边形,所述RGB三色晶体的公共阴极位于其周围的间隔层形成的正多边形的中心。
8.根据权利要求5所述的共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,每个所述RGB三色晶体的上方均设有密封层。
9.根据权利要求8所述的共阴极全对称COB封装结构,所述密封层为灰色透明环氧树脂密封层。
10.根据权利要求1所述的共阴极全对称COB封装结构,其特征在于,整个所述PCB集成块的上面压铸有透明磨砂保护层,所述透明磨砂保护层位于所有的RGB三色晶体及其密封层的上方。
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CN110854254A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-02-28 | 深圳市鑫和众电子科技有限公司 | 一种密集型led封装方式 |
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