CN204536066U - 用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置 - Google Patents

用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置 Download PDF

Info

Publication number
CN204536066U
CN204536066U CN201520247398.9U CN201520247398U CN204536066U CN 204536066 U CN204536066 U CN 204536066U CN 201520247398 U CN201520247398 U CN 201520247398U CN 204536066 U CN204536066 U CN 204536066U
Authority
CN
China
Prior art keywords
trap
cold
liquid nitrogen
alkali lye
flexible pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201520247398.9U
Other languages
English (en)
Inventor
苟文娜
郭张利
杜娜
蒋晓龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi Tianhong Silicon Material Co Ltd
Original Assignee
Shaanxi Tianhong Silicon Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi Tianhong Silicon Material Co Ltd filed Critical Shaanxi Tianhong Silicon Material Co Ltd
Priority to CN201520247398.9U priority Critical patent/CN204536066U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN204536066U publication Critical patent/CN204536066U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

提供一种用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置,包括冷阱、液氮罐和碱液瓶,液氮罐中装有液氮,碱液瓶中装有碱液,冷阱的下端置于液氮中,冷阱的上端伸出液氮罐的外部,冷阱的进气口与四氟软管Ⅰ的一端连接,四氟软管Ⅰ的另一端与废气管道上的取样口连接,冷阱的出气口与四氟软管Ⅱ的一端连接,四氟软管Ⅱ的另一端与塑料漏斗连接并置于碱液瓶中的碱液中。本实用新型是液氮通过冷阱将废气中的氯硅烷气体冷凝成氯硅烷液体并收集在冷阱内,无法冷凝的废气成分通过四氟软管Ⅱ导入碱液中吸收或排除,结构简单,取样方便快速。

Description

用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置
技术领域
本实用新型属多晶硅生产设备技术领域,具体涉及一种用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置。
背景技术
西门子法生产多晶硅是经过精馏提纯的高纯度三氯氢硅通过高纯度氢气还原而制得的多晶硅,这种方法在制造多晶硅的过程中会产生大量的废气排出,废气中主要成分为氯硅烷(三氯氢硅,四氯化硅,二氯二氢硅)、氢气、氯化氢、氮气及微量杂质等,由于氯硅烷会对环境造成一定的影响,所以多晶硅生产中需要对废气进行取样分析,为了快速取得废气样品,因此有必要提出这一改进。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题:提供一种用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置,液氮罐中的液氮通过冷阱将废气中的氯硅烷气体冷凝成氯硅烷液体并收集在冷阱内,无法冷凝的废气成分通过四氟软管Ⅱ导入碱液中吸收或溢出,从而达到快速取样的目的,保证检测的顺利进行。
本实用新型采用的技术方案:用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置,包括冷阱、液氮罐和碱液瓶,所述液氮罐中装有液氮,所述碱液瓶 中装有碱液,所述冷阱的下端置于液氮中,所述冷阱的上端伸出液氮罐的外部,所述冷阱的进气口与四氟软管Ⅰ的一端连接,所述四氟软管Ⅰ的另一端与废气管道上的取样口连接,所述冷阱的出气口与四氟软管Ⅱ的一端连接,所述四氟软管Ⅱ的另一端与塑料漏斗连接并置于碱液瓶中的碱液中。
其中,所述四氟软管Ⅰ上设有截止阀。
进一步地,所述取样口的直径为15mm。
本实用新型与现有技术相比的有益效果:
1、采用冷阱有利于提高液氮溶液的蒸发密度,使废气中的氯硅烷气体更易于凝结;
2、液氮作为制冷剂,性质稳定且熔沸点都很低,冷凝效果好;
3、在四氟软管Ⅱ一端连接塑料漏斗并置于碱液中,可有效吸收废气中的氯化氢气体。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1描述本实用新型的一种实施例。
用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置,包括冷阱1、液氮罐2和碱液瓶8,所述液氮罐2中装有液氮3,液氮3是用于冷凝废气中氯硅烷气体的制冷剂,由于废气中氯硅烷的不同组分沸点的差异(即三氯硅烷、四氯化硅、二氯二氢硅的沸点分别为31.8℃、57.6℃、8.2℃),所以采用常压下温度为-196℃的液氮3,性质稳定,可有效的将废气中氯硅烷气体通过冷阱1 冷凝下来;所述碱液瓶8中装有碱液9,碱液9可有效吸收废气中不能冷凝的氯化氢气体,并将废气中的氢气和氮气溢出,无碱液9时也可用水代替;所述冷阱1必须提前进行干燥,所述冷阱1的下端置于液氮3中,所述冷阱1的上端伸出液氮罐2的外部,所述冷阱1的进气口11与四氟软管Ⅰ 4的一端连接,所述四氟软管Ⅰ 4的另一端与废气管道5上的取样口51连接,具体的,所述取样口51的直径为15mm,所述四氟软管Ⅰ 4上设有截止阀41,可通过截止阀41打开或关闭四氟软管Ⅰ 4开始取样或停止取样;所述冷阱1的出气口12与四氟软管Ⅱ 6的一端连接,所述四氟软管Ⅱ 6的另一端与塑料漏斗7连接并置于碱液瓶8中的碱液9中,四氟软管Ⅱ 6通过塑料漏斗7将冷阱1中未冷凝的废气导入碱液中。按照上述方法将本装置安装好,打开截止阀41,开始取样,取样完毕后将冷凝下来的氯硅烷液体导入专用的分析器皿中,即可进行检测。
取样时注意以下几点:
1、取液氮3和取样过程中注意防护,小心冻伤;
2、取样过程中由于氯硅烷在空气中是危险品,连接时一定注意封闭良好,且做好个人防护;
3、冷阱1要提前进行干燥,切勿有水取样;
4、取样过程中通入碱液9中的导气管反应较剧烈,注意飞溅。
上述实施例,只是本实用新型的较佳实施例,并非用来限制本实用新型实施范围,故凡以本实用新型权利要求所述内容所做的等效变化,均应包括在本实用新型权利要求范围之内。

Claims (3)

1.用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置,其特征在于:包括冷阱(1)、液氮罐(2)和碱液瓶(8),所述液氮罐(2)中装有液氮(3),所述碱液瓶(8)中装有碱液(9),所述冷阱(1)的下端置于液氮(3)中,所述冷阱(1)的上端伸出液氮罐(2)的外部,所述冷阱(1)的进气口(11)与四氟软管Ⅰ(4)的一端连接,所述四氟软管Ⅰ(4)的另一端与废气管道(5)上的取样口(51)连接,所述冷阱(1)的出气口(12)与四氟软管Ⅱ(6)的一端连接,所述四氟软管Ⅱ(6)的另一端与塑料漏斗(7)连接并置于碱液瓶(8)中的碱液(9)中。
2.根据权利要求1所述的用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置,其特征在于:所述四氟软管Ⅰ(4)上设有截止阀(41)。
3.根据权利要求1或2所述的用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置,其特征在于:所述取样口(51)的直径为15mm。
CN201520247398.9U 2015-04-22 2015-04-22 用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置 Expired - Fee Related CN204536066U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520247398.9U CN204536066U (zh) 2015-04-22 2015-04-22 用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520247398.9U CN204536066U (zh) 2015-04-22 2015-04-22 用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204536066U true CN204536066U (zh) 2015-08-05

Family

ID=53750055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520247398.9U Expired - Fee Related CN204536066U (zh) 2015-04-22 2015-04-22 用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN204536066U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109569262A (zh) * 2018-12-25 2019-04-05 亚洲硅业(青海)有限公司 一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法、装置及应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109569262A (zh) * 2018-12-25 2019-04-05 亚洲硅业(青海)有限公司 一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法、装置及应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN204214707U (zh) 一种用于分析三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置
CN101551378B (zh) 一种测定煤气氧含量的方法及设备
CN106145037A (zh) 从硅外延炉放空尾气中回收氢气的装置及制高纯氢的方法
CN204536066U (zh) 用于多晶硅生产中含氯硅烷废气的快速取样装置
CN204365107U (zh) 一种实验室防倒吸废气吸收装置
CN106621757B (zh) 氯硅烷分析废气回收处理装置和处理方法
CN202649009U (zh) 蒸汽中不溶性气体的取样装置
CN203275111U (zh) 一种高纯金属有机化合物的取样设备
CN203965272U (zh) 一种多晶硅还原尾气中的氯化氢的检测装置
CN202844850U (zh) 一种无水三氯化铝生产尾气吸收装置
CN201051096Y (zh) 一种新型的凯氏定氮装置
CN102381710A (zh) 一种混合气体微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法
CN202808348U (zh) 一种氯化氢脱氯硅烷装置
CN200982931Y (zh) 高效酸蒸气吸收装置
CN109444303B (zh) 一种原液处理装置
CN207556918U (zh) 一种氢氟酸取样装置
CN202631495U (zh) 一种蛋白质测定凯氏定氮装置
CN202893379U (zh) 套管螺旋复式冷凝管
CN205940216U (zh) 一种稀硝节能器出口热量回收装置
CN217466837U (zh) 一种测量样气中微量氧含量的气体分析仪的预处理装置
CN204101360U (zh) 一种石墨消解系统的酸气处理装置
CN204043949U (zh) 一种反应釜取样器
CN208568712U (zh) 一种氮气管网用氧含量分析仪
CN204346773U (zh) 检测前还原采集气体及低吸附性的六氟化硫取样器
CN109592656A (zh) 一种杂质分析用酸的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: 712038 Xianyang city of Shaanxi province Zhengyang town Weicheng District East Road Embankment

Patentee after: Shaanxi Tianhong Silicon Material Co., Ltd.

Address before: High road high tech Zone of Xi'an City, Shaanxi province 710006 Xi'an City No. 51 Gaoxin building 6 floor

Patentee before: Shaanxi Tianhong Silicon Material Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150805

Termination date: 20200422