CN204417652U - 用于生长SiC晶体的石墨坩埚 - Google Patents
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: Graphite crucible for SiC crystal growth Effective date of registration: 20160826 Granted publication date: 20150624 Pledgee: Chinese for key construction fund limited Pledgor: Hebei Tongguang Crystal Co., Ltd. Registration number: 2016990000669 |
|
PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20201207 Granted publication date: 20150624 Pledgee: Chinese for key construction fund Ltd. Pledgor: HEBEI TONGGUANG CRYSTAL Co.,Ltd. Registration number: 2016990000669 |
|
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 071066 No. 6001, North Third Ring Road, Baoding City, Hebei Province Patentee after: Hebei Tongguang Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 071051 room A007, 4th floor, block B, building 6, University Science Park, 5699 Second Ring Road, Baoding City, Hebei Province Patentee before: HEBEI TONGGUANG CRYSTAL Co.,Ltd. |