CN203967072U - 用于温测组件的晶圆级封装结构 - Google Patents

用于温测组件的晶圆级封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN203967072U
CN203967072U CN201420391490.8U CN201420391490U CN203967072U CN 203967072 U CN203967072 U CN 203967072U CN 201420391490 U CN201420391490 U CN 201420391490U CN 203967072 U CN203967072 U CN 203967072U
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
level packaging
wafer level
packaging structure
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201420391490.8U
Other languages
English (en)
Inventor
姜崇义
邱云贵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jia Lin Science And Technology Co Ltd
Original Assignee
Jia Lin Science And Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jia Lin Science And Technology Co Ltd filed Critical Jia Lin Science And Technology Co Ltd
Priority to CN201420391490.8U priority Critical patent/CN203967072U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203967072U publication Critical patent/CN203967072U/zh
Priority to TW104119292A priority patent/TWI560812B/zh
Priority to US14/800,422 priority patent/US9406860B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • H10N19/101—Multiple thermocouples connected in a cascade arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/82—Connection of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种用于温测组件的晶圆级封装结构，其包含晶圆盖体以及基板。晶圆盖体用红外线可穿透的材料所形成，晶圆盖体具有多个封装墙，并且多个封装墙在晶圆盖体形成多个第一凹槽。基板包含多个芯片区、多个焊接区以及多个接脚区，多个芯片区分别设置温测芯片且分别对应多个第一凹槽，多个焊接区与多个封装墙相对应地焊接，使得多个芯片区与多个第一凹槽分别形成多个真空密封空间，而多个接脚区被切割以形成多个温测组件封装件。

Description

用于温测组件的晶圆级封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种封装结构，特别涉及一种用于温测组件的晶圆级封装结构。
背景技术
目前，红外线(IR)视频摄影机已经被应用于记录及贮存连续的热影像，在红外线(IR)视频摄影机中包含温测芯片，其包含温度感测组件数组(array)，每个温度感测组件可根据其接收到的红外线辐射能量而对应地改变其电阻值，因此每个温度感测组件的电阻值改变可对应热能量的强弱，每个温度感测组件数组便可产生热影像。
温测芯片设置在基座上，然后以盖体与基座封装，而且为了避免封装空间中产生热对流而影响温度感测组件数组所感测的热能量，封装空间维持在真空状态，而温度感测组件数组的灵敏度与封装空间的真空程度有关。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
由于移动电话已普遍设置相机，因此，如何增加此相机的应用便是许多制造商重视的领域。如果热感应技术可应用于移动电话上，对消费者将是一大福音。然而，目前温测镜头的价格仍然偏高，不利于普及。
(二)技术方案
有鉴于上述现有技术的问题，本实用新型的目的就是在提供一种用于温测组件的晶圆级封装结构，以提高温测组件的封装效率。
有鉴于上述现有技术的问题，本实用新型的另一目的就是在提供一种用于温测组件的晶圆级封装结构，以提高温测组件的封装强度。
有鉴于上述现有技术的问题，本实用新型的另一目的就是在提供一种用于温测组件的晶圆级封装结构，可于封装后切割前便进行测试，以缩短温测组件封装件的制造时程。
根据本实用新型的目的，提出一种用于温测组件的晶圆级封装结构，其包含晶圆盖体以及基板。晶圆盖体用红外线可穿透的材料所构成，晶圆盖体具有多个封装墙且多个封装墙在晶圆盖体形成多个第一凹槽。基板包含多个芯片区、多个焊接区以及多个接脚区，多个芯片区分别设置温测芯片且分别对应多个第一凹槽，多个焊接区与多个封装墙相对应地焊接，使得多个芯片区与多个第一凹槽分别形成多个真空密封空间，而多个接脚区被切割以形成多个温测组件封装件。
其中，红外线可穿透的材料可包含锗。
其中，多个封装墙包含多个封装环，而每个封装环所围的区域对应一个芯片区，而每个封装环的环墙对应一个焊接区。
其中，多个焊接区均可包含测试电路。
其中，多个焊接区均可包含凹状结构，凹状结构的形状对应多个封装墙的形状。
其中，多个接脚区均分别透过焊接区的下方与温测芯片电性连接。
其中，多个封装墙均可为多层墙结构。
其中，多个焊接区均可包含凹状结构，凹状结构的形状对应每个所述多个封装墙的多层墙结构的形状。
附图说明
图1为本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第一实施例的剖面图。
图2为本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第一实施例的晶圆盖体的示意图。
图3为本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第一实施例的切割成温测组件封装件的示意图。
图4为本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第二实施例的晶圆盖体的示意图。
图5为本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第三实施例的剖面图。
图6为本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第四实施例的剖面图。
图7为本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第五实施例的剖面图。
图8为本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第五实施例的晶圆盖体的示意图。
附图标记说明
1、3、4、5  晶圆级封装结构
10、18、19  晶圆盖体
11    封装墙
111   多层墙结构
12    第一凹槽
13    第二凹槽
14    封装环
20    基板
21    导电层
30    芯片区
31    温测芯片
311   像素
32    像素区
40    焊接区
41    凹状结构
50    接脚区
51    导电接垫
60    真空密封空间
D1、D2 切割线
具体实施方式
为便于审查员了解本实用新型的技术特征、内容与优点及其所能达成的功效，现将本实用新型结合附图，并以实施例的表达形式详细说明如下，其中所使用的图式，其主旨仅为示意及辅助说明书，未必为本实用新型实施后的真实比例与精准配置，故不应就所示附图的比例与配置关系限制本实用新型权利要求的保护范围。
以下将参照相关附图，说明本实用新型的智能型车用摄影机的实施例，为便于理解，下述实施例中的相同组件以相同的附图标记来说明。
如图1、2所示，图1为根据本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第一实施例的剖面图，而图2为根据本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第一实施例的晶圆盖体的示意图。图中，晶圆级封装结构1包含晶圆盖体10以及基板20。
晶圆盖体10用红外线可穿透的材料所构成，晶圆盖体10具有多个封装墙11，且多个封装墙11在晶圆盖体10形成多个第一凹槽12。实施上，红外线可穿透的材料可包含锗(Ge)。
基板20包含多个芯片区30、多个焊接区40以及多个接脚区50，每个芯片区30对应第一凹槽12，用以设置至少一个温测芯片31或是其他电路组件。
焊接区40可由铝或其他金属形成，用以与相对应的封装墙11相对应地焊接，而且焊接封装过程在真空室内进行，如此可使芯片区30与第一凹槽12形成多个真空密封空间60，其真空度的高低影响温测芯片31的灵敏度。
每个接脚区50中设置多个导电接垫51，分别透过焊接区40的下方的导电层21与温测芯片31以及其他电路电性连接。
请参阅图3，其示出本实用新型的晶圆级封装结构的第一实施例的切割成温测组件封装件的示意图。晶圆盖体10与基板20相焊接而封装完成后，可沿着切割线D1将晶圆盖体10中对应接脚区50的部分切除而露出导电接垫51。如此，测试仪器的探针便可接触到导电接垫51以输入或接收测试讯号来测试封装后的温测芯片31以及其他电路的功能是否正常，是否在封装过程中受到损坏。
测试完成后，再沿着切割线D2切开接脚区50，以形成多个温测组件封装件。而外露的导电接垫51变成为此温测组件封装件的接脚。
此外，除了导电接垫51，每个焊接区40根据需要可包含测试电路，以辅助温测芯片31的测试。
请参阅图4，其为根据本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第二实施例的晶圆盖体的示意图。第二实施例的结构与第一实施例相似，但是第二实施例与第一实施例之间的差异在于，第二实施例中使用多个封装环14来形成多个第一凹槽12，每个封装环14所围的区域对应芯片区30，而每个封装环14的环墙对应焊接区40。而多个封装环14之外的区域便是所有的焊接区40，用以设置导电接垫51或是测试电路。
请参阅图5，其为根据本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第三实施例的剖面图。第三实施例的晶圆级封装结构3与第一实施例相似，但是第三实施例与第一实施例之间的差异在于，每个焊接区40可包含凹状结构41，凹状结构41的形状对应每个封装墙11的形状。如此，进行焊接时，封装墙11与凹状结构41之间有更多的接触面积，可强化焊接强度，以利于封装完成后真空密封空间60内的真空度能维持的更久。
每个焊接区40的凹状结构41亦可应用于第二实施例，而在此不再赘述。
请参阅图6，其为根据本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第四实施例的剖面图。图中，第四实施例的晶圆级封装结构4与第一实施例相似，但是第四实施例与第一实施例之间的差异在于，封装墙11为多层墙结构111，由多层墙体与焊接区40相焊接以形成真空密封空间60。
多层墙结构111可加强与焊接区4焊接强度，以利于封装完成后真空密封空间60内的真空度能维持的更久。
此外，第三实施例所示出的凹状结构亦可应用于第四实施例，其凹状结构的形状可对应多层墙结构111的形状。如此，可更进一步加强多层墙结构111可加强与焊接区4焊接强度。
请参阅图7以及图8，其为根据本实用新型的用于温测组件的晶圆级封装结构的第五实施例的剖面图以及晶圆盖体的示意图。该第五实施例与上述实施利不同的处在于温测芯片的每个像素311皆用封装墙11密封，即每个像素311有独立的真空密封空间。如此，即使有几个像素311的密封空间的真空度下降，也不会影响其他像素311，即使真空度下降的像素311对红外线的感测值有误差，仍可用其周围像素311的感测值来补偿估算，使温测芯片整体的感测数据不受影响。
此外，上述实施例中封装墙11的其他结构亦可应用于第五实施例。
以上所述为本实用新型的优选实施例，并非对本实用新型做任何形式上的限制，虽然本实用新型已以优选实施例示出如上，然而并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型技术方案的范围内，可利用上述示出的技术内容作出更新或修改等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修改，均属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种用于温测组件的晶圆级封装结构，其特征在于：包括：
晶圆盖体，以红外线可穿透的材料所构成，所述晶圆盖体具有多个封装墙，且所述多个封装墙在所述晶圆盖体形成多个第一凹槽；以及
基板，包含多个芯片区、多个焊接区以及多个接脚区，所述多个芯片区分别设置温测芯片且分别对应所述多个第一凹槽，所述多个焊接区与所述多个封装墙相对应地焊接，使得所述多个芯片区与所述多个第一凹槽分别形成多个真空密封空间，而所述多个接脚区被切割以形成多个温测组件封装件。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述红外线可穿透的材料包含锗。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述多个封装墙包含多个封装环，而每个所述封装环所围的区域对应每个所述芯片区，而每个所述封装环的环墙对应每个所述焊接区。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述焊接区包含测试电路。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述焊接区包含凹状结构，所述凹状结构形状对应每所述封装墙的形状。
6.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述接脚区分别透过所述焊接区的下方与所述温测芯片电性连接。
7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述封装墙为多层墙结构。
8.根据权利要求7所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述焊接区包含凹状结构，所述凹状结构的形状对应每个所述封装墙的所述多层墙结构的形状。
9.一种用于温测组件的晶圆级封装结构，其特征在于：包括：
晶圆盖体，以红外线可穿透的材料所构成，所述晶圆盖体具有多个封装墙，且所述多个封装墙在所述晶圆盖体形成多个第一凹槽；以及
基板，包含多个像素区、多个焊接区以及多个接脚区，所述多个像素区分别设置至少一个温测芯片的多个像素且分别对应所述多个第一凹槽，所述多个焊接区与所述多个封装墙相对应地焊接，使得所述多个像素区与所述多个第一凹槽分别形成多个真空密封空间，而所述多个接脚区被切割以形成多个温测组件封装件。
10.根据权利要求9所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述红外线可穿透材料包含锗。
CN201420391490.8U 2014-07-16 2014-07-16 用于温测组件的晶圆级封装结构 Expired - Fee Related CN203967072U (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201420391490.8U CN203967072U (zh) 2014-07-16 2014-07-16 用于温测组件的晶圆级封装结构
TW104119292A TWI560812B (en) 2014-07-16 2015-06-15 Wafer level packaging structure for temperatrue sensing element
US14/800,422 US9406860B2 (en) 2014-07-16 2015-07-15 Wafer level package structure for temperature sensing elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201420391490.8U CN203967072U (zh) 2014-07-16 2014-07-16 用于温测组件的晶圆级封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203967072U true CN203967072U (zh) 2014-11-26

Family

ID=51927622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201420391490.8U Expired - Fee Related CN203967072U (zh) 2014-07-16 2014-07-16 用于温测组件的晶圆级封装结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9406860B2 (zh)
CN (1) CN203967072U (zh)
TW (1) TWI560812B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104649218A (zh) * 2015-02-12 2015-05-27 上海集成电路研发中心有限公司 一种晶圆级真空封装方法
TWI561799B (en) * 2015-08-24 2016-12-11 Chiang Chung I Packaging method, cover structure of temperature sensing element and method for fabricating the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7936062B2 (en) * 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US9310363B2 (en) * 2010-01-07 2016-04-12 Sensor-Kinesis Corporation Method and apparatus for forming of an automated sampling device for the detection of salmonella enterica utilizing an electrochemical aptamer biosensor
DE102012216618A1 (de) * 2012-09-18 2014-03-20 Robert Bosch Gmbh Anordnung von mindestens zwei Wafern zum Detektieren von elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zum Herstellen der Anordnung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104649218A (zh) * 2015-02-12 2015-05-27 上海集成电路研发中心有限公司 一种晶圆级真空封装方法
CN104649218B (zh) * 2015-02-12 2018-08-10 上海集成电路研发中心有限公司 一种晶圆级真空封装方法
TWI561799B (en) * 2015-08-24 2016-12-11 Chiang Chung I Packaging method, cover structure of temperature sensing element and method for fabricating the same
CN106486385A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 姜崇义 温测组件的封装方法、盖体结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201604997A (zh) 2016-02-01
US9406860B2 (en) 2016-08-02
TWI560812B (en) 2016-12-01
US20160020377A1 (en) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11727879B2 (en) Display device
CN103681703B (zh) 3d堆叠背照式图像传感器及其制造方法
CN103985648B (zh) 半导体的晶圆级封装方法和半导体封装件
CN108417733A (zh) 显示面板及其制造方法和显示终端
CN103512596A (zh) 晶片级光电子器件封装及其制造方法
CN203967072U (zh) 用于温测组件的晶圆级封装结构
CN103855259A (zh) Led封装方法
US9952089B2 (en) Optical sensing module and method of manufacturing the same
CN104124223A (zh) 电子系统及其核心模块
CN106057964A (zh) 具有串音屏障的晶圆级光电子器件封装及其制造方法
CN103178023B (zh) 混合基板、半导体器件的封装方法和封装结构
US20210226178A1 (en) Organic electroluminescence display panel, manufacturing method thereof and display device
CN201796875U (zh) 近接感测封装结构
CN103094252B (zh) 硅通孔测试结构及测试方法
CN103855278A (zh) 一种led封装结构及照明设备
CN205016524U (zh) 邻近传感器和电子设备
CN105609472A (zh) 压力传感器的封装结构及其制造方法
CN203705782U (zh) 一种液晶透镜及液晶盒
CN201680915U (zh) 微小化的红外线热感测组件
CN104426050A (zh) 半导体激光二极管及其封装方法
CN103811480A (zh) 具有感应装置的载板封装结构及制作方法
CN105074925B (zh) 半导体光检测装置
CN103855066A (zh) 可保护芯片的影像感应芯片封装方法
CN103855283A (zh) 一种led封装体及照明装置
CN206156743U (zh) 一种光学芯片的封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20141126

Termination date: 20160716

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee