CN203882992U - 大功率半导体元件贴片封装结构 - Google Patents
大功率半导体元件贴片封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203882992U CN203882992U CN201420140737.9U CN201420140737U CN203882992U CN 203882992 U CN203882992 U CN 203882992U CN 201420140737 U CN201420140737 U CN 201420140737U CN 203882992 U CN203882992 U CN 203882992U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pin
- semiconductor element
- power semiconductor
- cavity volume
- high power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及电子元器件技术领域，特别是一种大功率半导体元件贴片封装结构；半导体元件放置于一带开口的容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接；通过把半导体元件密闭于一容腔内做成贴片封装的形式，同传统的直插零件相比，一方面，其功率等技术性能指标能达到直插零件的水平，另一方面，在使用时，通过采用自动化贴片设备进行贴片生产能有效提高组装效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子元器件技术领域，特别是一种大功率半导体元件贴片封装结构。
背景技术
传统硅材料芯片贴片的保护元件一般都是SOD-123,SMA,SMB,SMC等封装形态，其能承受的功率一般只有200W、400W、600W、1000W、1.5KW、3KW，最高为6.6KW，电流一般只有从几十安培到几百安培不等；而传统直插的保护元件可以达到几十KW甚至更高，电流可以达到几千安培甚至到几十千安培。
传统金属氧化物材料贴片的保护元件一般都是0402、0603、4532、2220、3220等，其能承载的功率及耐受电流能力都只能达到从几十安培到几百安培水平，这些都只能防止一些较低的脉冲浪涌及过电压保护，而传统直插的零件可以达到上千安培甚至到几十千安培。
以上很明显的发现贴片零件技术性能指标远远落后于直插零件的水平，而贴片零件要达到同等规格直插零件技术性能指标水平还有很长的一段路要走，然而市场对高性能自动化贴片需求以渐形成趋势。因此设计一款大功率型半导体贴片保护元件在现阶段尤为重要。
实用新型内容
本实用新型为了解决传统功率型保护器件贴片封装形态功率远远低于直插零件的问题而提供的一种大功率半导体元件贴片封装结构。
为达到上述功能，本实用新型提供的技术方案是：
一种大功率半导体元件贴片封装结构，半导体元件放置于一带开口的容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接。
优选地，所述半导体元件通过环氧树脂密封在所述容腔内。
优选地，所述第一引脚和所述第二引脚延伸到所述容腔外的部分处于同一平面上。
优选地，所述的半导体元件包括一个以上的半导体芯片，半导体芯片为硅材料芯片的瞬态抑制二极管TVS Diodes、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料芯片的压敏电阻MOV。
优选地，所述半导体芯片通过焊料或导热电极材料组合而成。
本实用新型的有益效果在于：一种大功率半导体元件贴片封装结构，半导体元件放置于一带开口的容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接；通过把半导体元件密闭于一容腔内做成贴片封装的形式，同传统的直插零件相比，一方面，其功率等技术性能指标能达到直插零件的水平，另一方面，在使用时，通过采用自动化贴片设备进行贴片生产能有效提高组装效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为半导体元件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1和附图2对本实用新型作进一步阐述：
如图1所示的一种大功率半导体元件贴片封装结构，半导体元件1放置于一带开口的容腔2内，第一引脚3和第二引脚4分别与半导体元件1电连接且分别延伸至容腔2的开口的上方，第一引脚3和第二引脚4互不相连接。半导体元件1通过环氧树脂密封在容腔2内。为了减少本实用新型的体积，容腔2的形状与半导体元件1的形状相配合。在本实施例中，第一引脚3呈长方形状，第一引脚3的下端部与半导体元件1的上端面电连接，第一引脚3的上端部略高于容腔2的上表面；第二引脚4的下端部与半导体元件1的下端面电连接，第二引脚4的下端部弯曲延伸到容腔2的开口上方且具有一水平部，该水平部与第一引脚3的上端面处于同一水平面上。
在生产的过程中，半导体元件1包括半导体芯片5，半导体芯片5可采用硅材料芯片的瞬态抑制二极管TVS Diodes、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料芯片的压敏电阻MOV等。硅材料芯片或金属氧化物材料芯片通过焊料或导热电极材料组合而成。
在本实施例中，如图2所示，半导体元件1包括两片的半导体芯片5，两片半导体芯片5之间通过导热电材料6连接，第一引脚3、第二引脚4与半导体芯片5之间通过焊料进行焊接。半导体芯片5的数量可根据不同的电压规格或技术性能指标进行适当地增减。
以上所述实施例，只是本实用新型的较佳实例，并非来限制本实用新型的实施范围，故凡依本实用新型申请专利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括于本实用新型专利申请范围内。
Claims (5)
1.一种大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：半导体元件放置于一带开口的容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接。
2.如权利要求1所述的大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：所述半导体元件通过环氧树脂密封在所述容腔内。
3.如权利要求1所述的大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：所述第一引脚和所述第二引脚延伸到所述容腔外的部分处于同一平面上。
4.如权利要求1所述的大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：所述的半导体元件包括一个以上的半导体芯片，半导体芯片为硅材料芯片的瞬态抑制二极管TVS Diodes、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料芯片的压敏电阻MOV。
5.如权利要求4所述的大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：所述半导体芯片通过焊料或导热电极材料组合而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420140737.9U CN203882992U (zh) | 2014-03-26 | 2014-03-26 | 大功率半导体元件贴片封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420140737.9U CN203882992U (zh) | 2014-03-26 | 2014-03-26 | 大功率半导体元件贴片封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203882992U true CN203882992U (zh) | 2014-10-15 |
Family
ID=51683466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420140737.9U Expired - Lifetime CN203882992U (zh) | 2014-03-26 | 2014-03-26 | 大功率半导体元件贴片封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203882992U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105070700A (zh) * | 2015-08-09 | 2015-11-18 | 广东百圳君耀电子有限公司 | 一种高效导热半导体芯片制作及封装方法 |
| CN106783782A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-05-31 | 广东百圳君耀电子有限公司 | 多引脚贴片元件及其制作方法 |
-
2014
- 2014-03-26 CN CN201420140737.9U patent/CN203882992U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105070700A (zh) * | 2015-08-09 | 2015-11-18 | 广东百圳君耀电子有限公司 | 一种高效导热半导体芯片制作及封装方法 |
| CN105070700B (zh) * | 2015-08-09 | 2018-03-13 | 广东百圳君耀电子有限公司 | 一种高效导热半导体芯片制作及封装方法 |
| CN106783782A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-05-31 | 广东百圳君耀电子有限公司 | 多引脚贴片元件及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203882992U (zh) | 大功率半导体元件贴片封装结构 | |
| CN207165564U (zh) | 一种双面散热高可靠功率模块 | |
| CN204497239U (zh) | 金属封装大电流、高电压、快恢复二极管 | |
| CN206370420U (zh) | 功率型贴片半导体元件 | |
| CN205140965U (zh) | 双向耐压碳化硅固态开关 | |
| CN204886715U (zh) | 一种直插单相三相兼容整流桥堆 | |
| CN203983728U (zh) | 一种采用铝基板封装的大功率半导体激光器 | |
| CN106098649A (zh) | 大功率贴片元件及其加工工装、制作方法 | |
| CN206099739U (zh) | 一种igbt半桥电路 | |
| CN204732416U (zh) | 一种结构新颖的贴片式二极管 | |
| CN201185187Y (zh) | 大功率小封装三极管 | |
| CN201038138Y (zh) | 一种光伏二极管 | |
| CN106206883A (zh) | 一种倒装高压led芯片 | |
| CN203775524U (zh) | 基于印刷电路板的开关电路结构 | |
| CN203055890U (zh) | 腔体直插式功率外壳 | |
| CN206908524U (zh) | 一种高密度封装结构节能电源集成系统模块 | |
| CN205160486U (zh) | 一种热敏电阻压电石英晶体谐振器 | |
| CN207542240U (zh) | 稳定型贴片二极管 | |
| CN204651306U (zh) | 一种潜脚式表面贴装功率器件封装结构 | |
| CN204516534U (zh) | 一种电路保护用平板式半导体元器件 | |
| CN207282481U (zh) | 高可靠性二极管 | |
| CN205122630U (zh) | 全串联的高功率密度led芯片封装结构 | |
| CN203423159U (zh) | 大功率陶瓷封装igbt高效双面制冷整体管壳 | |
| CN204760433U (zh) | 一种新结构的贴片式二极管 | |
| CN203644755U (zh) | 大功率方片可控硅封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20141015 |