CN106206883A - 一种倒装高压led芯片 - Google Patents
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- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 241000826860 Trapezium Species 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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Abstract
本发明公开了一种倒装高压LED芯片，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面将N型电极、P型电极和N型焊盘、P型焊盘隔绝起来，起到良好的钝化保护作用。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，更为具体的说，涉及一种倒装高压LED芯片。
背景技术
LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。近年来，随着对LED芯片研究的不断深入，LED芯片的发光效率得到的极大的提高，目前已经被广泛应用于显示等各个领域。倒装高压芯片在大功率芯片的应用市场中，有广阔的空间。但是，如何提高倒装高压芯片的出光效率已成为倒装高压芯片大规模生产需要解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种倒装高压LED芯片，提高倒装高压LED芯片的出光效率。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种倒装高压LED芯片，包括：
衬底；
发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层表面的有源层和N型电极，位于所述有源层表面的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层表面的金属反射层，位于所述金属反射层表面的P型电极, N型电极与P型电极之间相互绝缘；
连接电极，所述连接电极将相连的发光微结构的N型电极和P型电极导电连接形成串联结构；
分布布拉格反射层，所述分布布拉格反射层覆盖在所述发光微结构表面、且延伸覆盖至所述衬底表面；
N型焊盘，所述N型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形，且与所述N型电极连接；
P型焊盘，所述P型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形，且与所述P型电极连接。
优选的，所述发光微结构为梯形结构。
优选的，所述发光微结构具有预设区域即为形成所述N型电极的区域，其中，N型电极的面积小于预设区域的面积，避免N型电极与有源层、P型氮化镓层等叠层接触。
优选的，在所述分布布拉格反射层对应所述N型电极的区域内形成一导电通孔，而后通过所述导电通孔的两端分别连接所述N型电极和所述N型焊盘，以使所述N型电极与所述N型焊盘电连接；同样的，在所述分布布拉格反射层对应所述P型电极的区域内形成一导电通孔，而后通过所述导电通孔的两端分别连接第所述P型电极和所述P型焊盘，以使所述P型电极与所述P型焊盘电连接。
优选的，所述分布布拉格反射层具有高钝化性能和高反射性能。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供的一种倒装高压LED芯片，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面将N型电极、P型电极和N型焊盘、P型焊盘隔绝起来，起到良好的钝化保护作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种倒装高压LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供了一种防倒装高压LED芯片，如图1所示，包括：
衬底100；
发光结构200，发光结构200位于衬底100表面包括：位于衬底100表面的N型氮化镓层201，位于N型氮化镓层201表面的有源层202和N型电极205，位于有源层202表面的P型氮化镓层203，位于P型氮化镓层203表面的金属反射层204，位于金属反射层204表面的P型电极205；
连接电极210，连接电极210将相连的发光微结构200的N型电极205和P型电极206导电连接形成串联结构；
分布布拉格反射层300，分布布拉格反射层300覆盖在发光微结构200表面、且延伸覆盖至衬底100表面；
N型焊盘401，N型焊盘401位于在分布布拉格反射层300表面形，且与N型电极205连接；
P型焊盘402，P型焊盘402位于在分布布拉格反射层300表面形，且与P型电极206连接。
具体的，所述发光微结构300为梯形结构。
优选的，所述发光微结构300具有预设区域即为形成所述N型电极205的区域，其中，N型电极205的面积小于预设区域的面积，避免N型电极205与有源层202、P型氮化镓层203等叠层接触。
优选的，在所述分布布拉格反射层300对应所述N型电极205的区域内形成一导电通孔，而后通过所述导电通孔的两端分别连接所述N型电极205和所述N型焊盘401，以使所述N型电极205与所述N型焊盘401电连接；同样的，在所述分布布拉格反射层300对应所述P型电极206的区域内形成一导电通孔，而后通过所述导电通孔的两端分别连接第所述P型电极206和所述P型焊盘402，以使所述P型电极206与所述P型焊盘402电连接。
优选的，所述分布布拉格反射层300具有高钝化性能和高反射性能。
由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面将N型电极、P型电极和N型焊盘、P型焊盘隔绝起来，起到良好的钝化保护作用。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (5)
1.一种倒装高压LED芯片，包括：
衬底；
发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层表面的有源层和N型电极，位于所述有源层表面的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层表面的金属反射层，位于所述金属反射层表面的P型电极, N型电极与P型电极之间相互绝缘；
连接电极，所述连接电极将相连的发光微结构的N型电极和P型电极导电连接形成串联结构；
分布布拉格反射层，所述分布布拉格反射层覆盖在所述发光微结构表面、且延伸覆盖至所述衬底表面；
N型焊盘，所述N型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形，且与所述N型电极连接；
P型焊盘，所述P型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形，且与所述P型电极连接。
2.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，其特征在于，所述发光微结构为梯形结构。
3.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，所述发光微结构具有预设区域即为形成所述N型电极的区域，其中，N型电极的面积小于预设区域的面积，避免N型电极与有源层、P型氮化镓层等叠层接触。
4.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，在所述分布布拉格反射层对应所述N型电极的区域内形成一导电通孔，而后通过所述导电通孔的两端分别连接所述N型电极和所述N型焊盘，以使所述N型电极与所述N型焊盘电连接；同样的，在所述分布布拉格反射层对应所述P型电极的区域内形成一导电通孔，而后通过所述导电通孔的两端分别连接第所述P型电极和所述P型焊盘，以使所述P型电极与所述P型焊盘电连接。
5.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，所述分布布拉格反射层具有高钝化性能和高反射性能。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610824765.6A CN106206883A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 一种倒装高压led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610824765.6A CN106206883A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 一种倒装高压led芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106206883A true CN106206883A (zh) | 2016-12-07 |
Family
ID=58067585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610824765.6A Pending CN106206883A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 一种倒装高压led芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106206883A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110491976A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-22 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种抗水解的倒装led芯片及其制备方法 |
| CN112802953A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-05-14 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及制备方法 |
-
2016
- 2016-09-18 CN CN201610824765.6A patent/CN106206883A/zh active Pending
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