CN203800024U - 一种高频小功率晶体管的封装装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高频小功率晶体管的封装装置,包括下电极(1)和上电极(2),下电极(1)底部为圆管状,圆管外圆的半径小于晶体管管座中心与极性标志(3)根部之间的距离。本实用新型通过对上电极的改进,避免了晶体管管座上极性标志与下电极之间的放电,使得晶体管封装的合格率由现有的不足75%提高至95%以上,封装效果良好。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高频小功率晶体管的封装装置,属于晶体管封装技术领域。
背景技术
由于高频小功率晶体管的封装外形很小,现有的封装电极在封装过程中晶体管底座上的极性标志处极易放电,致使极性标志与封装装置上的下电极熔接在一起,造成封装好的晶体管不易从下电极上取出,或取出后产品外观收到严重损伤;也有可能还会造成晶体管管壳内产生不必要的多余物,产品封装成品率较低,在70%左右。随着电子产品的高集成度,小型化的发展,高频小功率晶体管的市场需求量越来越大,产品的封装成品率严重影响到产品的供货周期及加工成本。
发明内容
本实用新型的目的在于,提供一种高频小功率晶体管的封装装置,以解决高频小功率晶体管封装过程中晶体管底座上的极性标志与下电极焊接在一起的问题。
本实用新型的技术方案:
一种高频小功率晶体管的封装装置,包括下电极和上电极,下电极底部为圆管状,圆管外圆的半径小于晶体管管座中心与极性标志根部之间的距离。
上述下电极底部的圆管内外径之差小于1mm。
由于采用了上述技术方案,本实用新型与现有技术相比,本实用新型通过对上电极的改进,避免了晶体管管座上极性标志与下电极之间的放电,使得晶体管封装的合格率由现有的不足75%提高至95%以上,封装效果良好。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是上电极与晶体管管座的接触面的示意图。
图中的标记为:1-下电极,2-上电极,3-极性标志,4-晶体管管座,5-晶体管外壳,6-上电极与晶体管管座的接触面,S-晶体管管座中心与极性标志根部之间的距离。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明,但不作为对本实用新型的任何限制。
实施例
本实用新型是根据下述的一种高频小功率晶体管的封装方法所构建的,如图1所示,该方法是通过改变上电极与晶体管管座的接触位置,使上电极2与晶体管管座4接触时能够有效避开极性标志3;同时通过减小上电极2与晶体管管座4的接触面积,使焊接时可以减小焊接电流而确保焊接处的电流密度不变而不影响晶体管管座与晶体管管壳5之间的焊接质量。上电极2底部为圆管状,圆管底部与晶体管管座4的接触面为环形,环形的内外径之差小于1mm。
根据上述方法构建的本实用新型的一种高频小功率晶体管的封装装置的结构示意图如图1所示,该装置包括下电极1和上电极2,下电极1底部为圆管状,圆管外圆的半径R小于晶体管管座中心与极性标志3根部之间的距离S;其下电极1底部的圆管内外径之差小于1mm。
Claims (2)
1.一种高频小功率晶体管的封装装置,包括下电极(1)和上电极(2),其特征在于:下电极(1)底部为圆管状,圆管外圆的半径小于晶体管管座中心与极性标志(3)根部之间的距离。
2.根据权利要求1所述装置,其特征在于:所述下电极(1)底部的圆管内外径之差小于1mm。
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CN201420206320.8U CN203800024U (zh) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | 一种高频小功率晶体管的封装装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104078370B (zh) * | 2014-04-25 | 2017-04-19 | 中国振华集团永光电子有限公司 | 一种高频小功率晶体管的封装方法及装置 |
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2014
- 2014-04-25 CN CN201420206320.8U patent/CN203800024U/zh not_active Withdrawn - After Issue
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20140827 Effective date of abandoning: 20170419 |