CN203775141U - 一种振荡电路及振荡器 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于振荡信号生成控制领域，提供了一种振荡电路及振荡器。在本实用新型中，通过基准电压生产模块生成高精度的基准电压，驱动参考电流生成模块和参考电压生成模块生成高精度的参考电流和参考电压，振动信号生成模块接收所述参考电流和所述参考电压，生成并输出高精度的振动信号，解决了现有振动电路精度低，稳定性差的问题，而且不需要晶振，节约成本，不占用芯片的外围管脚。

Description

一种振荡电路及振荡器

技术领域

本实用新型属于振荡信号生成控制领域，尤其涉及一种振荡电路及振荡器。

背景技术

振荡电路是电路设计中常见的电路模块，依据系统或者芯片应用环境不同，振荡电路输出振荡频率范围不同，均要求振荡频率精度高、环境温度和工作电源电压变化对振荡频率影响小。

晶振可以实现高精度、高稳定性振荡频率的要求，且利用电路对晶振频率分频可得到多个范围段的振荡频率，晶振的不足之处是成本高，且在芯片应用设计时需要占用芯片外围管脚，不利于应用。

实用新型内容

本实用新型提供了一种振动电路，旨在解决现有振动电路精度低，稳定性差，而精度高的晶振成本高，占用芯片外围管脚的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型是这样实现的：一种振荡电路，接入电源电压，所述振荡电路包括：

基准电压生成模块、参考电流生成模块、参考电压生成模块以及振荡信号生成模块；

所述基准电压生成模块的输出端与所述参考电流生成模块的输入端连接，所述参考电流生成模块的参考电流输出端与所述振荡信号生成模块的电流输入端连接，所述参考电压生成模块的输入端与所述参考电流生成模块的控制输出端连接，所述参考电压生成模块的第一参考电压输出端和第二参考电压输出端分别与所述振荡信号生成模块的第一电压输入端和第二电压输入端连接；

所述基准电压生成模块为所述参考电流生成模块提供基准电压，所述参考电流生成模块根据所述基准电压为所述振荡信号生成模块提供工作电流并为所述参考电压生成模块提供参考电压生成控制信号，所述参考电流生成模块根据所述参考电压生成控制信号为所述振荡信号生成模块提供工作电压。

在本实用新型中，通过基准电压生产模块生成高精度的基准电压，驱动参考电流生成模块和参考电压生成模块生成高精度的参考电流和参考电压，振动信号生成模块接收所述参考电流和所述参考电压，生成并输出高精度的振动信号，解决了现有振动电路精度低，稳定性差的问题，而且不需要晶振，节约成本，不占用芯片的外围管脚。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的振荡电路的模块结构图；

图2是本实用新型实施例提供的振荡电路的电路结构图；

图3是本实用新型另一实施例提供的振荡电路的电路结构图；

图4是本实用新型第一实施例提供的振荡信号生成模块的电路结构图；

图5是本实用新型第二实施例提供的振荡信号生成模块的电路结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

图1是本实用新型实施例提供的振荡电路的模块结构，为了便于说明，仅列出与本实用新型实施例相关的部分，详述如下：

本实用新型实施例提供的振荡电路，接入电源电压VDD，该振荡电路包括：

基准电压生成模块101、参考电流生成模块102、参考电压生成模块103以及振荡信号生成模块104；

基准电压生成模块101的输出端与参考电流生成模块102的输入端连接，参考电流生成模块102的参考电流输出端与振荡信号生成模块104的电流输入端连接，参考电压生成模块103的输入端与参考电流生成模块102的控制输出端连接，参考电压生成模块103的第一参考电压输出端和第二参考电压输出端分别与振荡信号生成模块104的第一电压输入端和第二电压输入端连接；

基准电压生成模块101为参考电流生成模块102提供基准电压，参考电流生成模块102根据该基准电压为振荡信号生成模块104提供工作电流并为参考电压生成模块103提供参考电压生成控制信号，参考电流生成模块102根据参考电压生成控制信号为振荡信号生成模块104提供工作电压。

图2是本实用新型实施例提供的振荡电路的电路结构，为了便于说明，仅列出与本实用新型实施例相关的部分，详述如下：

作为本实用新型一实施例，基准电压生成模块101包括：

第四十电阻R40、第四十一电阻R41、第四十二电阻R42、第一运算放大器AMP41、第一开关管模块1011以及第四十一PNP三极管Q41；

第一运算放大器AMP41的电源端与电源电压VDD连接，第一运算放大器AMP41的正相输入端与第四十一电阻R41的第一端以及第四十一PNP三极管Q41的发射极连接，第四十一PNP三极管Q41的基极与集电极共接于地，第一运算放大器AMP41的反相输出端与第四十二电阻R42的第一端以及第四十电阻R40的第一端连接，第四十电阻R40的第二端与第一开关管模块1011的第一端连接，第一开关管模块1011的第二端接地，第四十一电阻R41的第二端和第四十二电阻R42的第二端与第一运算放大器AMP41的输出端连接，第一运算放大器AMP41的输出端为基准电压生成模块101的输出端。

作为本实用新型一实施例，第一开关管模块1011包括8个并联的PNP三极管，分别第三十三至第四十Q40PNP三极管Q33-Q40；

第三十三至第四十PNP三极管Q33—Q40的发射极共接为第一开关管模块1011的第一端，第三十三至第四十PNP三极管Q33—Q40的基极和集电极共接为第一开关管模块1011的第二端。

作为本实用新型一实施例，参考电流生成模块102包括：

第二运算放大器AMP42、第四十一电容C41、第四十四电阻R44、第四十五电阻R45、第四十二PNP三级管Q42、第四十P沟道场效应管MP40、第四十一P沟道场效应管MP41以及第四十二P沟道场效应管MP42；

第二运算放大器AMP42的反相输入端为参考电流生成模块102的输入端，第二运算放大器AMP42的电源端与电源电压VDD连接，第二运算放大器AMP42的正相输入端与第四十一电容C41的第一端、第四十四电阻R44的第一端以及第四十P沟道场效应管MP40的漏极连接，第四十四电阻R44的第二端接地，第四十一电容C41的第二端与第二运算放大器AMP42的输出端、第四十P沟道场效应管MP40的栅极、第四十一P沟道场效应管MP41的栅极以及第四十二P沟道场效应管MP42的栅极连接，第四十P沟道场效应管MP40的源极和第四十一P沟道场效应管MP41的源极以及第四十二P沟道场效应管MP42的源极与电源电压VDD连接，第四十一P沟道场效应管MP41的漏极为参考电流生成模块102的参考电流输出端，第四十二P沟道场效应管的漏极与第四十五电阻R45的第一端连接，第四十五电阻R45的第二端与第四十二PNP三级管的发射极连接，第四十二PNP三级管Q42的基极和集电极共接于地，第四十二P沟道场效应管MP42的漏极与第四十五电阻R45的第一端的公共连接端为参考电流生成模块102的控制输出端。

作为本实用新型一实施例，第四十P沟道场效应管MP40和第四十一P沟道场效应管MP41以及第四十二P沟道场效应管MP42的镜像系数比为1：1：1。

作为本实用新型一实施例，参考电压生成模块103包括：

第三运算放大器AMP43、第四十二电容C42、第四十三电容C43、第四十四电容C44、第四十六电阻R46、第四十七电阻R47、第四十八电阻R48、第四十九电阻R49以及第四十三P沟道场效应管；

第三运算放大器AMP43的反相输入端为参考电压生成模块103的输入端，第三运算放大器AMP43的正相输入端与第四十二电容C42的第一端、第四十六电阻R46的第一端、第四十八电阻R48的第一端以及第四十三P沟道场效应管MP43的漏极连接，第四十二电容C42的第二端与第三运算放大器AMP43的输出端以及第四十三P沟道场效应管MP43的栅极连接，第四十三P沟道场效应管MP43的源极与电源电压VDD连接，第四十八电阻R48的第二端为参考电压生成模块103的第一参考电压输出端，第四十三电容C43连接在第四十八电阻R48的第二端与地之间，第四十六电阻R46的第二端与第四十七电阻R47的第一端以及第四十九电阻R49的第一端连接，第四十七电阻R47的第二端接地，第四十九电阻R49的第二端为参考电压生成模块103的第二参考电压输出端，第四十四电容C44连接在第四十九电阻R49的第二端与地之间。

图3示出了本实用新型另一实施例提供的振荡电路的电路结构，为了便于说明，仅列出与本实用新型实施例相关的部分，详述如下：

作为本实用新型一实施例，振荡信号生成模块104包括：

第二十P沟道场效应管MP20、第二十一P沟道场效应管MP21、第二十N沟道场效应管MP22、第二十一N沟道场效应管MN21、第二十二N沟道场效应管MN22、充放电电容C、第二十一比较器CMP21、第二十二比较器CMP22、第一与非门NAND2_1、第二与非门NAND2_2、第一开关管1041、第二开关管1042以及反相器INV2；

第二十N沟道场效应MN20管的漏极为振荡信号生成模块104的电流输入端，第二十N沟道场效应管MN20的栅极和第二十一N沟道场效应管MN21的栅极以及第二十二N沟道场效应管MN22的栅极分别与第二十N沟道场效应管MN20的漏极连接，第二十N沟道场效应管MN20的源极和第二十一N沟道场效应管MN21的源极以及第二十二N沟道场效应管MN22的源极共接于地，第二十P沟道场效应管MP20的源极和第二十一P沟道场效应管MP21的源极与电源电压VDD连接，第二十P沟道场效应管MP20的漏极和栅极与第二十一P沟道场效应管MP21的栅极以及第二十一N沟道场效应管MN21的漏极连接，第二十一P沟道场效应管MP21的漏极与第一开关管1041的低电位端连接，第一开关管1041的高电位端与充放电电容C的第一端、第二十一比较器CMP21的反相输入端、第二十二比较器CMP22的正相输入端以及第二开关管1042的高电位端连接，充放电电容C的第二端接地，第二十一比较器CMP21的正相输入端为振荡信号生成模块104的第一电压输入端，第二十二比较器CMP22的反相输出端为振荡信号生成模块104的第二电压输入端，第二十一比较器CMP21的输出端与第一与非门NAND2_1的第一输入端连接，第一与非门NAND2_1的第二输入端与第二与非门NAND2_2的输出端连接，第二十二比较器CMP22的输出端与第二与非门NAND2_2的第一输入端连接，第二与非门NAND2_2的第二输入端与第一与非门NAND2_1的输出端连接，第一开关管1041的控制端和第二开关管1042的控制端以及第一与非门NAND2_1的输出端共接于反相器INV2的输入端，反相器INV2的输出端为振荡信号生成模块104的输出端。

如图4所示，本实用新型第一实施例提供的第一开关管1041为PNP型三极管Q1，PNP型三极管Q1的基极为第一开关管1041的控制端，PNP型三极管Q1的集电极为第一开关管1041的高电位端，PNP型三极管Q1的发射极为第一开关管1041的低电位端；

第二开关管1042为NPN型三极管Q2，NPN型三极管Q2的基极为第二开关管1042的控制端，NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管1042的高电位端，NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管1042的低电位端。

如图5所示，本实用新型第二实施例提供的第一开关管1041为P沟道场效应管MP1，P沟道场效应管MP1的栅极为第一开关管1041的控制端，P沟道场效应管MP1的漏极为第一开关管1041的高电位端，第一P沟道场效应管MP1的源极为第一开关管1041的低电位端；

第二开关管1042为N沟道场效应管MN1，N沟道场效应管MN1的栅极为第二开关管1042的控制端，N沟道场效应管1042的漏极为第二开关管1042的高电位端，N沟道场效应管MN1的源极为第二开关管1042的低电位端。

下面以第一开关管1041为P沟道场效应管MP1，第二开关管1042为N沟道场效应管MN1为例对本实用新型实施例提供的振荡电路的工作原理进行说明：

在本实用新型实施例中，第二十一比较器CMP21和第二十二比较器CMP22用于采样电容C的端口电压，I_OSC是参考电流生成模块102生成的参考电流，作为振荡信号生成模块104的工作电流；V_H和V_L为参考电压生成模块103输出的第一参考电压和第二参考电压，分别与第二十一比较器CMP21的正相输入端和第二十二比较器CMP22的反相输入端连接，且V_H>V_L，F_OSC是振荡信号生成模块104输出的振荡信号，N沟道场效应管MN21和MN22镜像第二十N沟道场效应管MN20的电流；P沟道场效应管MP21管镜像P沟道场效应管MP20管的电流；第一开关管1041控制电容C充电，第二开关管1042控制电容C放电；与非门NAND2_1和NAND2_2对第二十一比较器CMP21和第二十二比较器CMP22的输出进行选择，产生电容C充电或者放电控制信号；反相器INV2用于加强输出的振荡信号的驱动能力。

N沟道场效应管MN21、MN22和MN20间镜像系数为1:1，P沟道场效应管MP21和MP20间镜像系数也为1:1，则电容C的充、放电电流均等于I_OSC。

当电容C的电压高于参考电压V_H时，比较器CMP21输出低电平，NAND2_1输出高电平，反相器INV2输出低电平，第一开关管1041关闭、第二开关管1042导通，电容C通过N沟道场效应管MN22管对地放电，放电电流为I_OSC，电容C的电压开始降低，当电容C的电压下降低于V_H后，CMP21输出高电平，但此时NAND2_1输出电平不变化；电容C的电压下降低于参考电压V_L时，比较器CMP22输出由高电平变为低电平，NAND2_2输出为高电平，NAND2_1输出变为低电平，反相器INV2输出高电平，第二开关管1042关闭，第一开关管1041导通，电容C开始充电，充电电流为I_OSC，电容C的电压开始升高。当电容C充电使得其电压高于V_H时，重复上述电容C的放电过程。

依据电容C的充、放电时间t的计算公式：

$t=\frac{\mathrm{\ΔU}*C}{I};---\left(1\right)$

其中C是电容C的容值，ΔU是电容C两端电压变化量，I是电容C充、放电电流。忽略比较器CMP21和CMP22的电压翻转时间，电容C的充、放电时间t_r和t_f分别为：

$t_r=t_f\frac{(V_H-V_L)*C}{I_{\mathrm{OSC}}};---\left(2\right)$

电路输出振荡频率F_OSC为：

$F_{\mathrm{OSC}}=\frac{I_{\mathrm{OSC}}}{2*(V_H-V_L)*C};---\left(3\right)$

依据（3）的频率计算公式，参考电流I_OSC和参考电压V_H、V_L差值的特性决定振荡频率性能。

基准电压V_REF由基准电压生成模块101产生，基准电压生成模块101为带隙基准电压电路，精度高、与环境温度和电源电压无关。参考电压V_H和V_L由电阻分压产生，其各项特性与V_REF相同，电阻R44将基准电压V_REF转化为参考电流，电阻R45与Q42产生低温度系数的参考电压V_REF4，R46和R47是V_REF4的分压电阻，C41和C42分别为AMP42和APM43的补偿电容，R48和C43，R49和C44分别为参考电压V_H和V_L进行滤波，P沟道场效应管MP40、MP41和MP42作为电流镜像管，本实用新型电路中的电阻均为正温度系数，R40、R41和R42匹配设计，R44和R45匹配设计，R46和R47匹配设计。

三极管Q41与第一开关管模块1011的比例为1:8，基准电压V_REF值计算公式为：

$V_{\mathrm{REF}}=\frac{R_{41}}{R_{40}}*\ln 8*V_T+V_{\mathrm{be}};---\left(4\right)$

其中V_T是P-N结特性参数，正温度系数；V_be是三极管导通电压降，负温度系数。V_REF电压精度由三极管特性参数V_T和V_be决定，精度高。

电压值V_REF的温度特性表达式为：

$\frac{{\∂V}_{\mathrm{REF}}}{\∂t}=\frac{R_{41}}{R_{40}}*\ln 8*\frac{{\∂V}_T}{\∂t}+\frac{{\∂V}_{\mathrm{be}}}{\∂t};---\left(5\right)$

运算放大器AMP42将基准电压V_REF跟随至电阻R44两端，MP40、MP41和MP42管之间的镜像系数为1:1:1，则参考电流I_OSC为：

$I_{\mathrm{OSC}}=\frac{V_{\mathrm{REF}}}{R_{44}}=(\frac{R_{41}}{R_{40}}*\ln 8*V_T+V_{\mathrm{be}})/R_{44};---\left(6\right)$

由公式（6）可知，I_OSC的电流精度由电阻R44决定。

参考电流I_OSC温度特性表达式为：

$\frac{{\∂I}_{\mathrm{OSC}}}{\∂t}=\frac{\left(\frac{{\∂V}_{\mathrm{REF}}}{\∂t}\right)*R_{44}-V_{\mathrm{REF}}*\left(\frac{{\∂R}_{44}}{\∂t}\right)}{{R_{44}}^2};---\left(7\right)$

调整公式（5）中电阻R41和R40之间的比值，可调整基准电压V_REF为正温度系数，抵消电阻R44的正温度系数，因此参考电流I_OSC的温度系数接近为零。

参考电压V_REF4由电阻R45和三极管Q42产生：

$V_{\mathrm{REF}4}=I_{\mathrm{OSC}}*R_{45}+V_{\mathrm{be}}=\frac{R_{45}}{R_{44}}*V_{\mathrm{REF}}+V_{\mathrm{be}};---\left(8\right)$

可以看出V_REF4的电压精度由V_REF和V_be决定，其精度高。

参考电压V_REF4的温度特性为：

$\frac{{\∂V}_{\mathrm{REF}4}}{\∂t}=\frac{R_{45}}{R_{44}}*\frac{{\∂V}_{\mathrm{REF}}}{\∂t}+\frac{{\∂V}_{\mathrm{be}}}{\∂t};---\left(9\right)$

基准电压V_REF具有正温度系数，调整电阻R45与R44的比值，可将参考电压V_REF4的温度系数调至零。

振荡信号生成模块104输入的参考电压V_H和V_L的表达式分别为：

V_H＝V_REF4；（10）

$V_L=\frac{R_{47}}{R_{46}+R_{47}}*V_{\mathrm{REF}4};---\left(11\right)$

根据表达式（9），参考电压V_H和V_L均为零温度系数，且精度仅由参考电压V_REF4决定，精度高。

根据公式（3）的振荡电路输出频率表达式，振荡信号生成模块104输出频率F_OSC为：

$F_{\mathrm{OSC}}=\frac{I_{\mathrm{OSC}}}{2*(V_H-V_L)*C};$

其中C为振荡器充、放电电容值，参考电流低温度系数、参考电压低温度系数情况下，选用高精度的工艺电阻，可得到精度高、且具有低温漂特性的振荡频率F_OSC。

本实用新型实施例还提供了一种振荡器，与电源电压VDD连接，该振荡器包括上述振荡电路。

在本实用新型中，通过基准电压生产模块生成高精度的基准电压，驱动参考电流生成模块和参考电压生成模块生成高精度的参考电流和参考电压，振动信号生成模块接收所述参考电流和所述参考电压，生成并输出高精度的振动信号，解决了现有振动电路精度低，稳定性差的问题，而且不需要晶振，节约成本，不占用芯片的外围管脚。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种振荡电路，接入电源电压，其特征在于，所述振荡电路包括：

基准电压生成模块、参考电流生成模块、参考电压生成模块以及振荡信号生成模块；

所述基准电压生成模块的输出端与所述参考电流生成模块的输入端连接，所述参考电流生成模块的参考电流输出端与所述振荡信号生成模块的电流输入端连接，所述参考电压生成模块的输入端与所述参考电流生成模块的控制输出端连接，所述参考电压生成模块的第一参考电压输出端和第二参考电压输出端分别与所述振荡信号生成模块的第一电压输入端和第二电压输入端连接；

所述基准电压生成模块为所述参考电流生成模块提供基准电压，所述参考电流生成模块根据所述基准电压为所述振荡信号生成模块提供工作电流，并为所述参考电压生成模块提供参考电压生成控制信号，所述参考电流生成模块根据所述参考电压生成控制信号为所述振荡信号生成模块提供工作电压。

2.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述基准电压生成模块包括：

第四十电阻R40、第四十一电阻R41、第四十二电阻R42、第一运算放大器、第一开关管模块以及第四十一PNP三极管；

所述第一运算放大器的电源端与所述电源电压连接，所述第一运算放大器的正相输入端与所述第四十一电阻R41的第一端以及所述第四十一PNP三极管的发射极连接，所述第四十一PNP三极管的基极与集电极共接于地，所述第一运算放大器的反相输出端与所述第四十二电阻R42的第一端以及所述第四十电阻R40的第一端连接，所述第四十电阻R40的第二端与所述第一开关管模块的第一端连接，所述第一开关管模块的第二端接地，所述第四十一电阻R41的第二端和所述第四十二电阻R42的第二端与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第一运算放大器的输出端为所述基准电压生成模块的输出端。

3.如权利要求2所述的振荡电路，其特征在于，所述第一开关管模块包括8个并联的PNP三极管，分别为第三十三至第四十PNP三极管；

所述第三十三至第四十PNP三极管的发射极共接为所述第一开关管模块的第一端，所述第三十三至第四十PNP三极管的基极和集电极共接为所述第一开关管模块的第二端。

4.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述参考电流生成模块包括：

第二运算放大器、第四十一电容C41、第四十四电阻R44、第四十五电阻R45、第四十二PNP三级管、第四十P沟道场效应管、第四十一P沟道场效应管以及第四十二P沟道场效应管；

所述第二运算放大器的反相输入端为所述参考电流生成模块的输入端，所述第二运算放大器的电源端与所述电源电压连接，所述第二运算放大器的正相输入端与所述第四十一电容C41的第一端、所述第四十四电阻R44的第一端以及所述第四十P沟道场效应管的漏极连接，所述第四十四电阻R44的第二端接地，所述第四十一电容C41的第二端与所述第二运算放大器的输出端、所述第四十P沟道场效应管的栅极、所述第四十一P沟道场效应管的栅极以及第四十二P沟道场效应管的栅极连接，所述第四十P沟道场效应管的源极和所述第四十一P沟道场效应管的源极以及所述第四十二P沟道场效应管的源极与所述电源电压连接，所述第四十一P沟道场效应管的漏极为所述参考电流生成模块的参考电流输出端，所述第四十二P沟道场效应管的漏极与所述第四十五电阻R45的第一端连接，所述第四十五电阻R45的第二端与所述第四十二PNP三级管的发射极连接，所述第四十二PNP三级管的基极和集电极共接于地，所述第四十二P沟道场效应管的漏极与所述第四十五电阻R45的第一端的公共连接端为所述参考电流生成模块的控制输出端。

5.如权利要求4所述的的振荡电路，其特征在于，所述第四十P沟道场效应管和所述第四十一P沟道场效应管以及所述第四十二P沟道场效应管的镜像系数比为1：1：1。

6.如权利要求1所述的的振荡电路，其特征在于，所述参考电压生成模块包括：

第三运算放大器、第四十二电容C42、第四十三电容C43、第四十四电容C44、第四十六电阻R46、第四十七电阻R47、第四十八电阻R48、第四十九电阻R49以及第四十三P沟道场效应管；

所述第三运算放大器的反相输入端为所述参考电压生成模块的输入端，所述第三运算放大器的正相输入端与所述第四十二电容C42的第一端、所述第四十六电阻R46的第一端、所述第四十八电阻R48的第一端以及所述第四十三P沟道场效应管的漏极连接，所述第四十二电容C42的第二端与所述第三运算放大器的输出端以及所述第四十三P沟道场效应管的栅极连接，所述第四十三P沟道场效应管的源极与所述电源电压连接，所述第四十八电阻R48的第二端为所述参考电压生成模块的第一参考电压输出端，所述第四十三电容C43连接在所述第四十八电阻R48的第二端与地之间，所述第四十六电阻R46的第二端与所述第四十七电阻R47的第一端以及所述第四十九电阻R49的第一端连接，所述第四十七电阻R47的第二端接地，所述第四十九电阻R49的第二端为所述参考电压生成模块的第二参考电压输出端，所述第四十四电容C44连接在所述第四十九电阻R49的第二端与地之间。

7.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述振荡信号生成模块包括：

第二十P沟道场效应管、第二十一P沟道场效应管、第二十N沟道场效应管、第二十一N沟道场效应管、第二十二N沟道场效应管、充放电电容C、第二十一比较器、第二十二比较器、第一与非门、第二与非门、第一开关管、第二开关管以及反相器；

所述第二十N沟道场效应管的漏极为所述振荡信号生成模块的电流输入端，所述第二十N沟道场效应管的栅极和所述第二十一N沟道场效应管的栅极以及所述第二十二N沟道场效应管的栅极分别与所述第二十N沟道场效应管的漏极连接，所述第二十N沟道场效应管的源极和所述第二十一N沟道场效应管的源极以及所述第二十二N沟道场效应管的源极共接于地，所述第二十P沟道场效应管的源极和所述第二十一P沟道场效应管的源极与所述电源电压连接，所述第二十P沟道场效应管的漏极和栅极与所述第二十一P沟道场效应管的栅极以及所述第二十一N沟道场效应管的漏极连接，所述第二十一P沟道场效应管的漏极与所述第一开关管的低电位端连接，所述第一开关管的高电位端与所述充放电电容C的第一端、所述第二十一比较器的反相输入端、所述第二十二比较器的正相输入端以及所述第二开关管的高电位端连接，所述充放电电容C的第二端接地，所述第二十一比较器的正相输入端为所述振荡信号生成模块的第一电压输入端，所述第二十二比较器的反相输出端为所述振荡信号生成模块的第二电压输入端，所述第二十一比较器的输出端与所述第一与非门的第一输入端连接，所述第一与非门的第二输入端与所述第二与非门的输出端连接，所述第二十二比较器的输出端与所述第二与非门的第一输入端连接，所述第二与非门的第二输入端与所述第一与非门的输出端连接，所述第一开关管的控制端和所述第二开关管的控制端以及所述第一与非门的输出端共接于所述反相器的输入端，所述反相器的输出端为所述振荡信号生成模块的输出端。

8.如权利要求7所述的振荡电路，其特征在于，所述第一开关管为PNP型三极管，所述PNP型三极管的基极为所述第一开关管的控制端，所述PNP型三极管的集电极为所述第一开关管的高电位端，所述PNP型三极管的发射极为所述第一开关管的低电位端；

所述第二开关管为NPN型三极管，所述NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

9.如权利要求7所述的振荡电路，其特征在于，所述第一开关管为P沟道场效应管，所述P沟道场效应管的栅极为所述第一开关管的控制端，所述P沟道场效应管的漏极为所述第一开关管的高电位端，所述第一P沟道场效应管的源极为所述第一开关管的低电位端；

所述第二开关管为为N沟道场效应管，所述N沟道场效应管的栅极为所述第二开关管的控制端，所述N沟道场效应管的漏极为所述第二开关管的高电位端，所述N沟道场效应管的源极为所述第二开关管的低电位端。

10.一种振荡器，与电源电压连接，其特征在于，所述振荡器包括如权利要求1-9任一所述的振荡电路。