CN203774316U - 对准标记 - Google Patents
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Abstract
本实用新型揭示了一种对准标记，用于背照式影像传感器制作过程中的对准，所述对准标记设置于晶圆正面，包括一对第一标记，分别位于以晶圆缺口所在直径的两侧的一个区域中，所述区域中心连线经过晶圆中心，并与所述直径呈55°夹角，所述区域靠近晶圆边缘，为沿连线方向长度小于等于11mm，垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形，位于所述直径左侧的区域到缺口的距离小于位于右侧的区域到缺口的距离；所述第一标记包括多个第二标记。本实用新型的对准标记能够避免占据额外的单元（shot），从而避免了对良率的影响，此外，由于不需要涉及特殊标记，简化了制作流程，提高了生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于背照式影像传感器制作过程中的对准标记。
背景技术
自21世纪以来，电子产品层出不穷，各种电子终端的性能得到了显著的提高，例如目前的智能手机在低照度下同样获得高质量的清晰图像，这是应用了背照式传感器，其比前照式传感器拥有更强的感光能力，获得了高分辨率的采集效果。
与此相对应的，其芯片的制造过程也与传统不同，目前，对于背照式成像传感器，是先对晶圆的一面（正面）进行加工，之后反转在另一面（背面，或反面）进行加工，将器件做在晶圆的正反两面上，形成立体结构。
对于所述的立体结构，其正反两面的器件并不是随意排布形成的，必须使其得到正确的对准才可以生效，对准精度通常需要达到小于0.1μm。如图1所示，由于常用的对准标记1是非对称性的，在进行背面工艺时，这种标记就无能为力。因此相比传统的单面操作工艺在设备和形成工艺上还是有着较大的差异。因此正面的器件图形如何对准背面的器件图形就是一大难题。
业内尝试在在晶圆的正面做出一些特殊的标记，从而实现背面的对准，但是这种标记较大，通常要占据两个单元（shot）的位置，因此会造成良率的下降，同时采用这种标记还需要进行额外的光刻刻蚀工艺，使得制造流程复杂。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供一种对准标记，既能够实现背面对准，又避免影响良率，并简化制作流程。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种对准标记，用于背照式影像传感器制作过程中的对准，所述对准标记设置于晶圆正面，包括一对第一标记，分别位于以晶圆缺口所在直径的两侧的一个区域中，所述区域中心连线经过晶圆中心，并与所述直径呈55°夹角，所述区域靠近晶圆边缘，为沿连线方向长度小于等于11mm，垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形，位于所述直径左侧的区域到缺口的距离小于位于右侧的区域到缺口的距离；所述第一标记包括多个第二标记。
可选的，对于所述的对准标记，所述第一标记包括多个第二标记，相邻第二标记之间的间距为大于500μm。
可选的，对于所述的对准标记，相邻第二标记呈镜像对称。
可选的，对于所述的对准标记，所述第一标记包括3个第二标记，每个第一标记中第二标记按照设定方向排列。
可选的，对于所述的对准标记，在每个第一标记中所述3个第二标记的排列方向平行于所述直径。
可选的，对于所述的对准标记，所述晶圆包括硅衬底，所述第二标记经过在所述硅衬底刻蚀出多个沟槽形成，所述沟槽的深度为
与现有技术相比，本实用新型提供的对准标记，所述对准标记设置于晶圆正面，包括一对第一标记，分别位于以晶圆缺口所在直径的两侧的一个区域中，所述区域中心连线经过晶圆中心，并与所述直径呈55°夹角，所述区域靠近晶圆边缘，为沿连线方向长度小于等于11mm，垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形，位于所述直径左侧的区域到缺口的距离小于位于右侧的区域到缺口的距离；所述第一标记包括多个第二标记。相比现有技术，本实用新型的对准标记能够避免占据额外的单元（shot），从而避免了对良率的影响，此外，由于不需要涉及特殊标记，简化了制作流程，提高了生产效率。
附图说明
图1为现有技术中对准标记的示意图；
图2为本实用新型一实施例中对准标记的示意图；
图3为图2中第一标记21的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本实用新型的对准标记进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
本实用新型的核心思想在于，提供一种对准标记，用于背照式影像传感器制作过程中的对准，所述对准标记设置于晶圆正面，包括一对第一标记，分别位于以晶圆缺口所在直径的两侧的一个区域中，所述区域中心连线经过晶圆中心，并与所述直径呈55°夹角，所述区域靠近晶圆边缘，为沿连线方向长度小于等于11mm，垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形，位于所述直径左侧的区域到缺口的距离小于位于右侧的区域到缺口的距离；所述第一标记包括多个第二标记。相比现有技术，本实用新型的对准标记能够避免占据额外的单元（shot），从而避免了对良率的影响，此外，由于不需要涉及特殊标记，简化了制作流程，提高了生产效率。
请参考图2，在所述晶圆10的正面的设定两个区域20，以晶圆10缺口（notch）朝下为基准，所述区域20分列于经过缺口的直径d1两侧，优选的，所述两个区域20的中心连线进过晶圆10的中心O，即也为一条直线。其中，位于所述直径左侧的区域20到缺口的距离小于位于右侧的区域20到缺口的距离，从而两个区域20的连线与所述直径d1呈夹角α，优选的，所述夹角α为55°。所述区域20靠近晶圆10边缘，为沿连线方向长度小于等于11mm，垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形。这里考虑的是在晶圆10上，零层（zerolayer）具有的标记通常是位于所述区域20的范围中，则在所述区域中进行本实用新型的对准标记的设计，不会占据用来制作芯片（die）的区域（即shot）。但是，本实用新型并不完全限制在这一11mm×8mm的规格中，本领域技术人员可以根据实际工艺需要对所述区域20的范围进行调整，此亦在本实用新型的思想中。
如图2中所示，在每个区域20中，设置有第一标记21，所述第一标记21可以在所述区域20的任意位置，例如是靠近边缘、或者中心区域。请参考图3，其为本实用新型较佳实施例中第一标记的结构示意图。在本实施例中，所述第一标记21包括3个第二标记22，每个第二标记包括四部分，所述第二标记22的主要结构与现有技术中的标记（如图1所示）相同，优选的，相邻第二标记22呈镜像对称，如位于中间的第二标记22与其两侧的第二标记22是镜像对称的，从而便于进行对准。所述第二标记22通过刻蚀所述晶圆10的硅衬底形成，在此不做赘述，区别在于，本实施例中，刻蚀所述硅衬底的深度为例如可以是等，经过刻蚀出比现有技术深得多（几倍至几十倍）的多个沟槽，形成了如图3所示的第二标记22。这个深度的沟槽能够保证在晶圆进行反转后，在背面进行后续工艺时，刻度依然能够被清晰辨认。在本实施例中，每个第一标记21中的第二标记22为3个，按照平行于所述直径d1的方向排列，相邻第二标记之间的间距L通常优选为大于500μm。但是，在其他实施例中，所述第二标记22的数量及排列方式可以是其他形式，例如第二标记22的数量可以是2个、4个或者更多，排列方向可以按照实际需要所设定的方向排列，例如可以与所述直径d1成一夹角等，为了简便有效，本实施例所列举的形式是一个较佳的选择。
由于在区域20中有着零层的标记，通过本实用新型的对准标记，同样能够起到零层的标记的作用，那么二者可以合一，从而不需要进行额外的光刻、刻蚀等制作工艺，大大的简化了制作流程。
在本实用新型的基础上，在进行后续的晶圆背面工艺时，可以适当的设定匹配于本对准标记的标记，这不会对后续工艺造成影响。
综上所述，本实用新型提供的对准标记，所述对准标记设置于晶圆正面，包括一对第一标记，分别位于以晶圆缺口所在直径的两侧的一个区域中，所述区域中心连线经过晶圆中心，并与所述直径呈55°夹角，所述区域靠近晶圆边缘，为沿连线方向长度小于等于11mm，垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形，位于所述直径左侧的区域到缺口的距离小于位于右侧的区域到缺口的距离；所述第一标记包括多个第二标记。相比现有技术，本实用新型的对准标记能够避免占据额外的单元（shot），从而避免了对良率的影响，此外，避免了额外加入光刻和刻蚀等制作工艺，简化了制作流程，提高了生产效率。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (6)
1.一种对准标记，用于背照式影像传感器制作过程中的对准，其特征在于，包括：
所述对准标记设置于晶圆正面，包括一对第一标记，分别位于以晶圆缺口所在直径的两侧的一个区域中，所述区域中心连线经过晶圆中心，并与所述直径呈55°夹角，所述区域靠近晶圆边缘，为沿连线方向长度小于等于11mm，垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形，位于所述直径左侧的区域到缺口的距离小于位于右侧的区域到缺口的距离；所述第一标记包括多个第二标记。
2.如权利要求1所述的对准标记，其特征在于，所述第一标记包括多个第二标记，相邻第二标记之间的间距为大于500μm。
3.如权利要求2所述的对准标记，其特征在于，相邻第二标记呈镜像对称。
4.如权利要求2所述的对准标记，其特征在于，所述第一标记包括3个第二标记，每个第一标记中第二标记按照设定方向排列。
5.如权利要求4所述的对准标记，其特征在于，在每个第一标记中所述3个第二标记的排列方向平行于所述直径。
6.如权利要求1所述的对准标记，其特征在于，所述晶圆包括硅衬底，所述第二标记经过在所述硅衬底刻蚀出多个沟槽形成，所述沟槽的深度为
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