CN203772422U - 微测辐射热计及焦平面阵列 - Google Patents
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Abstract
本文公开了微测辐射热计及焦平面阵列。微测辐射热计包括底部多层电介质（510），其具有第一氮氧化硅层（514）和位于第一氮氧化硅层（514）之上的第二氮氧化硅层（516），第一（514）和第二（516）氮氧化硅层具有不同的折射率。该微测辐射热计还包括位于底部多层电介质（510）之上的探测器层（520）和位于探测器层（520）之上的顶部电介质（530），其中该探测器层（520）由温敏电阻材料组成。
Description
技术领域
本公开文本大体上涉及红外摄像机，并且更具体地，涉及微测辐射热计探测器和焦平面阵列。
背景技术
在19世纪80年代，开发了被称为测辐射热计的红外探测器。该测辐射热计运行的原理是：测辐射热计材料的电阻关于测辐射热计的温度变化，而测辐射热计的温度又响应于吸收的入射红外辐射的量而变化。这些特性可以被开发用来通过感知测辐射热计电阻的最终变化而测量其上的入射红外辐射。当用作红外探测器时，测辐射热计通常与其支撑基板或周围环境热隔离，从而允许吸收的入射红外辐射在测辐射热计材料中产生温度变化。
微测辐射热计阵列通常通过构建紧密间隔的涂覆有温敏电阻材料的空气桥结构的二维阵列而制造在单片硅基板或集成电路上，温敏电阻材料（例如氧化钒）吸收红外辐射。空气桥结构提供了微测辐射热计探测器和硅基板之间的热隔离。
利用在阵列中充当一像素的每个微测辐射热计，可以通过将每个微测辐射热计的电阻的变化转换成时间复用的电信号而生成代表入射辐射的二维图像或照片，所述时间复用的电信号能够显示在监视器上或存储在存储器中。用于执行该转换的电路通常被称为读出集成电路（ROIC），并且可以制造为硅基板中的集成电路。随后，微测辐射热计阵列可以制造在ROIC的顶部。ROIC和微测辐射热计阵列的组合通常被称为微测辐射热计红外焦平面阵列（FPA）。
常规微测辐射热计可能具有多种性能限制，例如，由于热隔离不充分 而导致的灵敏度下降，电路元件的电阻不匹配的温度系数，光学吸收光谱的收缩和/或受限的光谱响应范围。因此，需要改进的探测器以及能够增强探测器功能的制造工艺。
实用新型内容
根据一种或多种实施方式，本公开提供了多种有利的微测辐射热计、焦平面阵列以及制造微测辐射热计的方法。例如，根据一种实施方式，一种微测辐射热计包括底部多层电介质，其具有第一氮氧化硅层和位于第一氮氧化硅层之上的第二氮氧化硅层，第一和第二氮氧化硅层具有不同的折射率。该微测辐射热计还可包括位于底部多层电介质之上的探测器层和位于探测器层之上的顶部电介质，其中该探测器层由温敏电阻材料组成。
根据本公开的另一实施方式，一种焦平面阵列包括读出电路（ROIC）及电耦接至ROIC的多个微测辐射热计，每个微测辐射热计包括如上文和本文所述的那些元件。
根据本公开的又一实施方式，用于制造微测辐射热计的方法包括形成具有第一折射率的第一氮氧化硅层，以及在第一氮氧化硅层上形成第二氮氧化硅层，该第二氮氧化硅层具有不同于第一折射率的第二折射率。该方法还可包括在第二氮氧化硅层上形成探测器层以及在探测器层之上形成顶部电介质，该探测器层由温敏电阻材料组成。
本公开文本的范围由权利要求限定，通过引用将权利要求合并至本部分中。通过考虑下文中一个或多个实施方式的详细说明，将给本领域技术人员提供对本公开文本的实施方式的更全面理解及其额外优势的实现。下文将参考附图，首先简要地介绍附图。
附图说明
图1A和1B分别示出了根据本公开实施方式的具有两个端子互连的单个微测辐射热计探测器的示意图和透视图。
图2A和2B分别示出了根据本公开实施方式的双端子微测辐射热计探测器的3*3阵列的示意图和透视图。
图3示出了读出集成电路（ROIC）的实例。
图4示了根据本公开一种实施方式的具有多层电介质的微测辐射热计桥的横截面视图。
图5示了根据本公开另一种实施方式的具有多层电介质的微测辐射热计桥的横截面视图。
图6示了根据本公开另一种实施方式的具有多层电介质的微测辐射热计桥的横截面视图。
图7示了根据本公开一种实施方式的用于捕捉图像的系统的框图。
图8示了根据本公开一种实施方式的包括多层电介质的微测辐射热计的制造方法的流程。
图9示了根据本公开一种实施方式的吸收曲线图。
通过参阅下文的详细说明将最佳地理解本公开文本的实施方式及其优势。应该意识到，类似的附图标记用于标识一幅或多幅附图中的类似元件。
具体实施方式
图1A和1B分别示出了根据本公开实施方式的两个端子互相连接的单个微测辐射热计探测器100的示意图和透视图。
微测辐射热计100与其支撑基板或周围环境热隔离，从而允许吸收的入射红外辐射102在微测辐射热计材料中产生温度变化。这种隔离通常由探测器100周围的虚线方框表示。热隔离的微测辐射热计100响应于测量微测辐射热计电阻期间的入射辐射水平、基板中的温度变化和探测器中消散的电力而改变温度。
在使用单个探测器的系统中，两个导线可以附接到微测辐射热计材料，其提供使电流传导通过微测辐射热计的手段，从而感知其电阻。图1A 和1B示出了至微测辐射热计探测器的电连接。在这种情况下，在存在入射红外辐射102时示出了热隔离的微测辐射热计100，其中两个导线连接到微测辐射热计端子R+和R-。图1B示出了微测辐射热计100的物理实施的实例。至微测辐射热计的R+和R-电连接形成在支腿104的端部，其中微测辐射热计在该端部处与基板106接触。
图2A和2B分别示出了根据本公开实施方式的双端子微测辐射热计探测器100的3*3阵列200的示意图和透视图，其示出了九个正和负的互连端子。
在期望感知微测辐射热计探测器阵列的电阻或温度的情况下，为每个探测器提供独立的导线连接可能在物理上变得不切实际。图2A、2B和3示出了互连到微测辐射热计探测器阵列的方法。图2A和2B中示出的是需要九个正和负互连的3*3探测器阵列200。用于阵列中的单个微测辐射热计探测器100的互连被创建为制造工艺的一部分，并且接触硅基板106中的电路。
微测辐射热计的大型二维阵列可以利用读出集成电路(ROIC)来提供需要的测辐射热计接口，其一个实例在图3中示出。ROIC结合了在空间上靠近探测器的电路以执行探测器接口和复用功能。与具体微测辐射热计探测器关联的电路可以在硅基板中位于探测器的正下方，并且可以被称为晶胞。
通过微测辐射热计探测器的时间复用信号，需要的电互连导线的数量可以大幅减少。为了简化复用过程和系统接口，ROIC可以包括数字逻辑电路以生成控制阵列中的行和列地址切换所需的信号。
图3示出了用于微测辐射热计探测器的8X8阵列的示例性ROIC。晶胞的阵列、列放大器、列复用器306以及行复用器308可以集成到单个ROIC硅裸片（die）302上。微测辐射热计阵列可以构建在晶胞阵列的顶部上。ROIC还包括偏压生成和定时控制电路304以及输出放大器310。ROIC为微测辐射热计探测器阵列和外部系统都提供了关键接口。ROIC和微测辐射热计电路的进一步描述可以在美国专利No.6,028,309中找到，为了所有的目的，通过引用将其全文并入本文中。
图4示了根据本公开一种实施方式的具有多层电介质的微测辐射热计桥400的沿图1B和2B中的线I-I'截取的横截面视图。
微测辐射热计桥400包括底部多层电介质410、位于底部多层电介质410之上的探测器层420以及位于探测器层420之上的顶部电介质430。在一个实例中，底部多层电介质410可以由多个电介质层组成，电介质层例如氮氧化硅（SiON）和/或氮化硅。在一个实例中，探测器层420可以由温敏电阻材料组成。例如，探测器层420可以由氧化钒组成并且其厚度在大约300埃和大约800埃之间。作为具体实例，探测器层420可以由氧化钒组成并且具有大约600埃的厚度。在一个实例中，顶部电介质430可以由单个电介质层或多个电介质层组成，电介质层例如SiON和/或氮化硅。
图5示了根据本公开另一种实施方式的微测辐射热计桥500的沿图1B和2B中的线I-I'截取的横截面视图。
微测辐射热计桥500包括底部多层电介质510、位于底部多层电介质510之上的探测器层520以及位于探测器层520之上的顶部电介质530。下面的表1示出了根据一个实例的微测辐射热计桥500的各个层的厚度范围及折射率。
表1
在一个实例中，底部多层电介质510包括第一氮化硅层512、位于第一氮化硅层512之上的第一氮氧化硅层514以及位于第一氮氧化硅层514之上的第二氮氧化硅层516。在一个实例中，第一和第二氮氧化硅层514、516具有不同的折射率。
在一个实例中，第一氮化硅层512具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率，第一氮氧化硅层514具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率，并且第二氮氧化硅层516具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率。
在一个实例中，第一氮化硅层512具有大约200埃的厚度以及大约2.1的折射率，第一氮氧化硅层514具有大约750埃的厚度以及大约1.7的折射率，并且第二氮氧化硅层516具有大约500埃的厚度以及大约1.5的折射率。在一个实例，第一氮氧化硅层514和第二氮氧化硅层516在一个生长期(growth run)中连续地形成。
在另一个实例中，第一氮化硅层512具有大约200埃的厚度以及大约2.1的折射率，第一氮氧化硅层514具有大约750埃的厚度以及大约1.7的折射率，并且第二氮氧化硅层516具有大约1500埃的厚度以及大约1.5的折射率。在一个实例，第一氮氧化硅层514和第二氮氧化硅层516在一个生长期中连续地形成。
在一个实例中，探测器层520可以由温敏电阻材料组成。例如，探测器层520可以由氧化钒组成并且其厚度在大约300埃和大约800埃之间。作为具体实例，探测器层520可以由氧化钒组成并且具有大约600埃的厚度。
在一个实例中，顶部电介质530是顶部多层电介质，其包括位于探测器层520之上的第三氮氧化硅层532、位于第三氮氧化硅层532之上的第 四氮氧化硅层534以及位于第四氮氧化硅层534上的第二氮化硅层536。
在一个实例中，第三氮氧化硅层532具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率，第四氮氧化硅层534具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率，并且第二氮化硅层536具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率。
在一个实例中，第三氮氧化硅层532具有大约700埃的厚度以及大约1.5的折射率，第四氮氧化硅层534具有大约750埃的厚度以及大约1.7的折射率，并且第二氮化硅层536具有大约700埃的厚度以及大约1.8的折射率。在一个实例，第三氮氧化硅层532和第四氮氧化硅层534在一个生长期中连续地形成。
在另一个实例中，第三氮氧化硅层532具有大约800埃的厚度以及大约1.5的折射率，第四氮氧化硅层534具有大约400埃的厚度以及大约1.7的折射率，并且第二氮化硅层536具有大约200埃的厚度以及大约2.1的折射率。在一个实例，第三氮氧化硅层532和第四氮氧化硅层534在一个生长期中连续地形成。
图6示了根据本公开另一种实施方式的具有多层电介质的微测辐射热计桥600的横截面视图。
微测辐射热计桥600包括底部多层电介质610、位于底部多层电介质610之上的探测器层620以及位于探测器层620之上的顶部电介质630。下面的表2示出了根据一个实例的微测辐射热计桥600的各个层的厚度范围及折射率。
表2
在一个实例中，底部多层电介质610包括第一氮氧化硅层612以及位于第一氮氧化硅层612之上的第二氮氧化硅层614。在一个实例中，第一和第二氮氧化硅层612、614具有不同的折射率。
在一个实例中，第一氮氧化硅层612具有大约200埃和大约1500埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率，并且第二氮氧化硅层614具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率。
在一个实例中，第一氮氧化硅层612具有大约750埃的厚度以及大约1.5的折射率，并且第二氮氧化硅层614具有大约1500埃的厚度以及大约1.7的折射率。作为一个实例，第一氮氧化硅层612和第二氮氧化硅层614在一个生长期中连续地形成。
在一个实例中，探测器层620可以由温敏电阻材料组成。例如，探测器层620可以由氧化钒组成并且其厚度在大约300埃和大约800埃之间。作为具体实例，探测器层620可以由氧化钒组成并且具有大约600埃的厚度。
在一个实例中，顶部电介质630由氮化硅组成并且位于探测器层620之上。在一个实例中，顶部电介质630由氮化硅组成并且具有大约800埃和大约1800埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率。在一个实例中，顶部电介质630由氮化硅组成并且具有大约1200埃的厚度以及大约2.1的折射率。
在一个实例中，上述氮化硅层和氮氧化硅层可以通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）利用硅烷（SiH4）、氮气（N2）、氨水（NH3）和/ 或氧化亚氮（N2O）前驱气体沉积，但是可以应用其他沉积方法和前驱气体。
在一个实例中，折射率大约为1.5的氮氧化硅层可以通过PECVD以大约3.0托的压力、大约53瓦的功率并且利用大约100sccm的SiH4和大约2800sccm的N2O形成。
在另一个实例中，折射率大约为1.7的氮氧化硅层可以通过PECVD以大约4.0托的压力、大约260瓦的功率并且利用大约126sccm的SiH4、大约850sccm的N2和大约100sccm的N2O形成。
在又一个实例中，具有压应力且折射率大约为2.1的氮化硅层可以通过PECVD以大约4.4托的压力、大约330瓦的功率并且利用大约190sccm的SiH4、大约30sccm的NH3和大约2000sccm的N2形成。
现在参考图7，该框图示出了根据一种或多种实施方式的用于捕捉图像和处理的系统700（例如红外摄像机）。在一种实施中，系统700包括处理元件710、存储元件720、图像捕捉元件730、控制元件740和/或显示元件750。系统700还可包括感知元件760。
举例来说，系统700可以代表用于捕捉和处理图像（例如场景770的视频图像）的红外成像设备。系统700可代表任何类型的适于检测红外辐射并提供代表性数据和信息（例如场景的红外图像数据）的红外摄像机，或者更一般地，可以代表任何类型的光电传感器系统。在一个实例中，系统700可以代表红外摄像机、双波段成像仪（例如运行用于感知反射的可见光和/或SWIR光（用于高分辨率图像）和LWIR辐射（用于热成像）的夜视成像仪）或者用于同时感知短波和长波辐射以提供独立图像信息的成像仪。系统700可以包括便携式设备，并且举例来说，可以结合到需要存储和/或显示的红外图像的交通工具（例如：机动车或其他类型的陆基交通工具、飞行器、海船或航天器）或非移动设施，并且可以包括分布式网络系统。
在各种实施方式中，处理元件710可以包括任意类型的处理器或逻辑设备（例如配置用于执行处理功能的可编程逻辑设备（PLD））。如本领域 内技术人员理解的那样，处理元件710可以适于与元件720、730、740以及750交互和通信以执行如本文所述的方法和处理步骤和/或操作，包括常规系统处理功能。
在一种实施方式中，存储元件720包括一个或多个用于存储数据和信息（例如，包括红外数据和信息）的存储设备。存储设备720可以包括一个或多个不同类型的存储设备，包括易失性和非易失性存储设备和/或能够以机器可读的格式存储数据的机器可读介质。处理元件710可以适于执行存储在存储元件720中的软件，从而执行本文描述的方法和处理步骤和/或操作。
在一种实施方式中，图像捕捉元件730包括任意类型的图像传感器，例如一个或多个用于捕捉代表图像（例如场景770）的红外图像数据（例如静止图像数据和/或视频数据）的红外传感器（例如任意类型的多像素红外探测器，例如本文描述的微测辐射热计探测器和焦平面阵列）。在一种实施中，图像捕捉元件730的红外传感器用于将捕捉到的图像数据表示（例如转换）为数字数据（例如：经由作为红外传感器的一部分的或与红外传感器分离而作为系统700的一部分的模数转换器）。一方面，红外图像数据（例如红外视频数据）可以包括图像（例如场景770）的非均匀数据（例如真实图像数据）。处理元件710可以适于处理红外图像信号（例如，用于提供处理过的图像数据）、将红外图像数据存储在存储元件720中和/或从存储元件720中检索存储的红外图像数据。例如，处理元件710可以适于处理存储在存储元件720中的红外图像数据以提供处理过的图像数据和信息（例如，捕捉的和/或处理过的红外图像数据）。
在一种实施方式中，控制元件740包括用户输入和/或接口设备。例如，用户输入和/或接口设备可以代表可旋转钮（例如电位计）、按钮、滑杆、键盘等，其适于生成用户控制输入信号。处理元件710可以适于通过控制元件740感知来自用户的控制输入信号并且响应从其接收的任何感知的控制输入信号。处理元件710可以适于将这种控制输入信号解释为参数值，如本领域技术人员理解的那样。
在一种实施方式，控制元件740可以包括控制单元（例如有线或无线 手持式控制单元），其具有适于与用户交互并接收用户输入控制值的按钮。在一种实施中，控制单元的按钮可以用于控制系统700的各种功能，例如：自动对焦、菜单启用和选择、视场、亮度、对比度、噪声过滤、高通滤波、低通滤波和/或本领域内技术人员所理解的各种其他功能。
在一种实施方式中，显示元件750包括图像显示设备（例如：液晶显示器（LCD）或各种其他类型的公知视频显示器或监测器）。处理元件710可以适于在显示元件750上显示图像数据和信息。处理元件710可以适于从存储元件720中检索图像数据和信息并将任何检索到的图像数据和信息显示在显示元件750上。显示元件750可以包括显示电子设备，其可以由处理元件710使用以显示图像数据和信息（例如：红外图像）。显示元件750可以适于经由处理元件710直接从图像捕捉元件730接收图像数据和信息，或者图像数据和信息可以从存储元件720经由处理元件710传输。
在一种实施方式中，感知元件760包括不同类型的一个或多个传感器，这取决于应用或实施需求，如本领域内技术人员理解的那样。可选的感知元件760的传感器至少为处理元件710提供数据和/或信息。一方面，处理元件710可以适于与感知元件760通信（例如，通过从感知元件760接收传感器信息）并且与图像捕捉元件730通信（例如，通过从图像捕捉元件730接收数据和信息并且给和/或从系统700的一个或多个其他元件提供和/或接收命令、控制和/或其他信息）
在各种实施方式中，感知元件760可以提供与环境状况相关的信息，例如外部温度、光照条件（例如，白天、夜晚、黄昏和/或黎明）、湿度水平、具体天气状况（例如：晴天、下雨和/或下雪）、距离（例如激光测距仪）和/或是否进入或离开隧道或其他类型的封闭物。感知元件760可以代表本领域技术人员公知的常规传感器以监测各种状况（例如环境状况），这些状况可能影响（例如，在图像表现方面）图像捕捉元件730所提供的数据。
在一些实施中，可选的感知元件760（例如，传感器中的一个或多个）可以包括将信息经由有线和/或无线通信中继给处理元件710的设备。例如，可选的感知元件760可以从卫星通过本地广播（例如无线电频率（RF）） 传输、通过移动或蜂窝网络和/或通过基础设施中的信息信标（例如：基础设施中的传输或高速信息信标）或各种其他有线和/或无线技术接收信息。
在各种实施方式中，根据需要或取决于应用或需求，系统700的元件可以组合和/或实施，或者不被组合和/或实施，其中系统700代表相关系统的各种功能块。在一个实例中，处理元件710可以与存储元件720、图像捕捉元件730、显示元件750和/或可选的感知元件760组合。在另一实例中，处理元件710可以与图像捕捉元件730组合，并且仅处理元件710的某些功能由图像捕捉元件730内的电路（例如：处理器、微处理器、逻辑设备、微控制器等）执行。此外，系统700的各种元件可以彼此远离（例如，图像捕捉元件730可以包括具有处理元件710等设备的远程传感器，其代表可以或可以不与图像捕捉元件730通信的计算机。）
现在参考图8，图8示了根据本公开实施方式的制造微测辐射热计的方法800的流程。方法800包括：形成底部多层电介质，包括形成具有第一折射率的第一氮氧化硅层，如框802中所示；以及在第一氮氧化硅层上形成第二氮氧化硅层，如框804所示，该第二氮氧化硅层具有不同于第一折射率的第二折射率。方法800还包括在第二氮氧化硅层上形成探测器层（如框806所示）以及在探测器层之上形成顶部电介质（如框808所示）。
应该注意到，在图8的方法800之前、期间和之后可以提供额外的程序，并且本文可能仅简要地描述了一些其他程序。
根据一种实施方式，形成第一氮氧化硅层以及形成第二氮氧化硅层包括在一个生长期中连续地形成这些层。
根据一种实施方式，形成底部多层电介质包括形成第一氮化硅层以及随后在第二氮化硅层之上形成第一氮氧化硅层，并且形成顶部电介质包括形成顶部多层电介质，形成顶部多层电介质包括：在探测器层之上形成第三氮氧化硅层，在第三氮氧化硅层之上形成第四氮氧化硅层，以及在第四氮氧化硅层之上形成第二氮化硅层。
根据一种实施方式，形成顶部电介质包括在探测器层之上形成氮化硅层。
根据一种实施方式，该方法还可以包括经由接触支腿将微测辐射热计电耦接至读出电路（ROIC），将处理器耦接至ROIC以处理从ROIC输出的图像信息，和/或将显示器耦接至处理器以显示处理过的图像信息。
鉴于本公开文本，应该意识到，列举在本文中的装置、系统和方法可以有利地为微测辐射热计探测器提供更高的敏感度和/或更宽的光谱响应范围。在一个实例中，多层氮氧化硅膜的使用有利地扩展了微测辐射热计探测器的光谱吸收和光谱响应。在一个实例中，微测辐射热计探测器的吸收电介质层可以吸收范围在大约7微米至大约14微米的IR，其中吸收峰值从大约9.5微米变换到大约7微米。
现在参考图9，图9示出了根据本公开实施方式的不同电介质层A-E的吸收曲线图。电介质层A是厚度大约为的标准SiN层。电介质层B是厚度大约为的压应变SiN层。电介质层C是折射率大约为1.5（并且氧含量比电介质层D高）且厚度大约为的的SiONx层。电介质层D是折射率大约为1.7（并且氧含量比电介质层C和E低）且厚度大约为的的SiONx层。电介质层E是厚度大约为并且总氧含量比电介质层C和D高的SiONx层。换言之，氧含量从电介质层D（最低）到电介质层C再到电介质层E（最高）逐渐增加。通过如上所述的技术和方法形成电介质层A-E。例如，通过调整反应气体的比率来创建从富氧逐渐变化至纯氮化硅的层。
如图9所示，氧含量增加（层D->层C->层E）且折射率降低的SiONx层显示出吸收带的增加和光吸收的最大值偏向较短波长。相反地，光吸收的最大值随着电介质层的氧含量降低和折射率增加而偏向较长波长。
应该理解，该公开提供了众多不同的实施方式或实例以实施本实用新型的不同特征。本文描述了元件和布置的具体实例以简化本公开文本。当然，这些仅仅是示例并且其意并不在于限制。此外，在本文的说明书中，第一特征在第二特征的之上或上形成可以包括第一和第二特征直接接触形成的实施方式，并且也可以包括额外特征可以插入形成在第一和第二特征之间以使第一和第二特征可不直接接触的实施方式。出于简单和清楚的目的，各种特征可以以不同比例随意绘制。
上文描述的实施方式是示例性的，并非限制本公开文本。应该理解，根据本公开文本的原理，众多改进和变化是可能的。因此，本公开文本的范围仅由随附权利要求限定。
Claims (18)
1.一种微测辐射热计，包括：
底部多层电介质，其包括第一氮氧化硅层和位于第一氮氧化硅层之上的第二氮氧化硅层，第一和第二氮氧化硅层具有不同的折射率；
位于底部多层电介质之上的探测器层，该探测器层由温敏电阻材料组成；及
位于探测器层之上的顶部电介质。
2.如权利要求1所述的微测辐射热计，其特征在于，底部多层电介质包括位于第一氮氧化硅层之下的第一氮化硅层。
3.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层在一个生长期中连续地形成。
4.如权利要求2所述的微测辐射热计，
其特征在于，第一氮化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率，
其中，第一氮氧化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率，及
其中，第二氮氧化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率。
5.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，探测器层由氧化钒组成并且厚度在大约300埃和大约800埃之间。
6.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，顶部电介质是顶部多层电介质，该顶部多层电介质包括：
位于探测器层之上的第三氮氧化硅层；
位于第三氮氧化硅层之上的第四氮氧化硅层；及
位于第四氮氧化硅层之上的第二氮化硅层；
7.如权利要求6所述的微测辐射热计，其特征在于，第三氮氧化硅层和第四氮氧化硅层在一个生长期中连续地形成。
8.如权利要求6所述的微测辐射热计，
其特征在于，第三氮氧化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率，
其中，第四氮氧化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率，及
其中，第二氮化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率。
9.如权利要求1所述的微测辐射热计，其特征在于，第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层在一个生长期中连续地形成。
10.如权利要求1所述的微测辐射热计，其特征在于，探测器层由氧化钒组成并且厚度在大约300埃和大约800埃之间。
11.如权利要求1所述的微测辐射热计，
其特征在于，第一氮氧化硅层具有大约200埃和大约1500埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率，及
其中，第二氮氧化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率。
12.如权利要求11所述的微测辐射热计，其特征在于，顶部电介质包括位于探测器层之上的氮化硅层，该氮化硅层具有大约800埃和大约1800埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率。
13.一种焦平面阵列，包括：
读出电路（ROIC）；及
电耦接至ROIC的多个微测辐射热计，每个微测辐射热计包括：
底部多层电介质，其包括第一氮氧化硅层和位于第一氮氧化硅层之上的第二氮氧化硅层，第一和第二氮氧化硅层具有不同的折射率；
位于底部多层电介质之上的探测器层，该探测器层由温敏电阻材料组成；及
位于探测器层之上的顶部电介质。
14.如权利要求13所述的焦平面阵列，其特征在于，每个微测辐射热计经由布置在相邻微测辐射热计之间的接触支腿电耦接至ROIC。
15.如权利要求14所述的焦平面阵列，其特征在于，至少一个接触支腿是布置在相邻微辐射热测定仪之间的共享接触支腿。
16.如权利要求13所述的焦平面阵列，还包括耦接至ROIC的用于处理从ROIC输出的图像信息的处理器以及耦接至处理器的用于显示处理过的图像信息的显示器。
17.如权利要求13所述的焦平面阵列，
其特征在于，底部多层电介质包括位于第一氮氧化硅层之下的第一氮化硅层；及
其中，顶部电介质是顶部多层电介质，该顶部多层电介质包括：
位于探测器层之上的第三氮氧化硅层，
位于第三氮氧化硅层之上的第四氮氧化硅层，及
位于第四氮氧化硅层之上的第二氮化硅层。
18.如权利要求13所述的焦平面阵列，其特征在于，顶部电介质层包括位于探测器层之上的氮化硅层。
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