CN204633909U - 成像器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。根据本实用新型的一个方面，提供一种成像器，包括:图像传感像素的阵列；和与所述图像传感像素的阵列相关联的滤色器阵列。所述滤色器阵列包括：基体；和所述基体内的金属纳米粒子，所述金属纳米粒子过滤入射光。本实用新型的一个优点是可以提供改进的成像器。
Description
本申请要求提交于2014年5月30日的美国专利申请No.14/291,628的优先权，通过引用将其完全结合在此。
技术领域
本实用新型一般涉及成像系统，并且更具体地，涉及成像系统的金属纳米粒子滤光器。
背景技术
现代电子设备诸如蜂窝电话、照相机和计算机通常使用数字图像传感器。成像器(即,图像传感器)经常包括图像感测像素的二维阵列。每一个像素通常包括光电传感器，诸如接收入射光子(光)并且将光子转换为电信号的光电二极管。
传统的成像系统包括滤色器阵列和其他滤光器，所述滤光器通常通过旋涂工艺形成。由传统的旋涂工艺形成的滤光器经常具有不理想的缺陷，所述缺陷导致采集的图像中的条纹(streak)、条带(band)和其他问题。另外，这些缺陷会减少有效的制造产量。
因此希望能够提供改进的图像传感器的滤光器。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。
根据本实用新型的一个方面，提供一种成像器，包括:图像传感像素的阵列；和与所述图像传感像素的阵列相关联的滤色器阵列。所述滤色器阵列包括：基体；和所述基体内的金属纳米粒子，所述金属纳米粒子过滤入射光。
根据一个实施例，所述滤色器阵列包括过滤不同颜色的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域中的每个包括所述基体内的金属纳米粒子，所述第一区域包括第一金属纳米粒子，所述第二区域包括第二金属纳米粒子，并且所述第一金属纳米粒子和第二金属纳米粒子在以下方面中的至少一项是不同的：尺寸、形状、金属的类型和在所述基体内的浓度。
根据一个实施例，所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子具有不同的形状。
根据一个实施例，所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子由不同类型的金属形成。
根据一个实施例，所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子以更高的在所述基体内的浓度形成。
根据一个实施例，所述滤色器阵列包括过滤不同颜色的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域中的每个包括金属纳米粒子，所述第一区域包括第一基体，并且所述第二区域包括由不同于所述第一基体的材料形成的第二基体。
根据一个实施例，所述成像器还包括由所述基体内的金属纳米粒子形成的像素内光栅。
根据一个实施例，所述滤色器阵列包括与所述基体分开的至少一层，并且所述至少一层包括滤色器颜料或滤色器染料。
根据一个实施例，所述成像传感像素的阵列包括多个暗像素，所述成像器还包括：包括介质内的金属纳米粒子的光阻挡膜，所述光阻挡膜遮蔽所述暗像素以挡住入射光。
根据一个实施例，所述成像器还包括：多个反射表面，所述多个反射表面包括导电的像素内光栅或互连所述图像传感像素的导电线路；光阻挡膜，所述光阻挡膜遮盖所述反射表面，所述光阻挡膜包括介质内的金属纳米粒子。
本实用新型的一个优点是可以提供改进的成像器。
附图说明
图1是根据本实用新型的实施例，可以包括具有金属纳米粒子滤光器的图像传感器的电子设备和计算装置的示意图。
图2是根据本实用新型的实施例，可以形成诸如图1的图像传感器的图像传感器的光敏感成像像素的例示的阵列的示意图。
图3是根据本实用新型的实施例，可以包括由金属纳米粒子滤光器形成的滤色器阵列的例示的图像传感器的截面侧视图。
图4是根据本实用新型的实施例，例示的图像传感器的截面侧视图，所述图像传感器可以包括像素内的由金属纳米粒子滤光器形成的光栅并且可以包括在导电的基体内形成的金属纳米粒子。
图5是根据本实用新型的实施例，例示的图像传感器的截面侧视图，所述例示的图像传感器可以包括能用作红外线过滤器和/或紫外线过滤器的金属纳米粒子滤光器。
图6是根据本实用新型的实施例，采用图1-5的实施例中个一个或多个的成像器的框图。
图7是根据本实用新型的实施例，采用图6的成像器的处理器系统的框图。
具体实施方式
在电子设备中数字照相机模块被广泛地使用。图1所示的是具有数字照相机模块的电子设备。电子设备10可以是数字照相机、手提电脑、显示器、计算机、蜂窝电话或其它电子设备。设备10可以包括一个或多个成像系统，诸如成像系统12A和12B(例如，照相机模块12A和12B)，所述成像系统12A和12B的每一个可以包括一个或多个图像传感器14和相应的透镜。在操作期间，透镜将光聚焦在图像传感器14上。所述透镜可以具有固定的孔径(aperture)。图像传感器14中的像素包括将光转化成数字数据的光敏元件。图像传感器可以具有任意数量的像素(例如，上百或上千或更多)。例如，典型的图像传感器可以具有上百万的像素(例如，兆像素)。在高端的装置中，具有10兆像素以上的传感器是常见的。在至少一些布置中，设备10可以包括两个(或更多)图像传感器14，所述图像传感器可以从不同视角采集图像。当设备10包括两个图像传感器14时，设备14可以能够采集立体图像。
来自照相机传感器14的静态的和视频的图像数据可以通过路径26提供给图像处理和数据格式化电路16。图像处理和数据格式化电路16可以用于执行图像处理功能(诸如调整白平衡和曝光)和实现视频图像稳定、图像剪裁、图像缩放等等。图像处理和数据格式化电路16也可以用于压缩原始的照相机图像文件，如果希望的话(例如，压缩成联合照相专家组或JPEG格式)。
在一些布置中，所述布置有时候指的是片上系统或SOC布置，照相机传感器14和图像处理和数据格式化电路16被当作共同单元15(例如，在共同的集成电路上，或堆叠在一起)来实现。使用单个集成电路来实现照相机传感器14和图像处理和数据格式化电路16可以有助于最小化成本。然而如果希望的话，多个集成电路可以用于实现电路15。在设备10包括多个照相机传感器14的布置中，每个照相机传感器14及相关联的图像处理和数据格式化电路16可以在单独的SOC集成电路上形成(例如，在诸如模块12A和12B的芯片模块上可以有多个照相机系统)。
为了节约空间和简化照相机或者(其中需要成像功能的)其他电子设备的制造商的装配，希望可以堆叠处理器(例如，处理电路16或照相机传感器14中的处理器)和成像器(例如，照相机传感器14)以形成预先装配好的图像传感器单元15。以这种方法形成的图像处理器单元15以单个组件而具有成像器的图像传感能力和处理器的处理能力。另外，在处理器16(此处有时指的是图像协处理器iCP)具有比成像器14更小的面积的布置中，通过允许更多的处理器16在每个晶片上形成，在单独的晶片上形成处理器16可以减少处理器16的成本。此外，处理器16和成像器14可以在不同类型的晶片上形成，所述晶片中的每一个可以针对各自的用途被优化。举例来说，图像协处理器16的晶片可以针对模拟电路(针对优化图像协处理器中的模拟电路的性能，诸如采样和保持电路、行缓冲器(line buffer)和模数转换器)或数字电路(针对优化图像协处理器中的数字电路的性能，诸如图像格式化电路)被优化。同时，成像器晶片可以针对光学性能被优化。举例来说，针对模拟、数字和/或光学性能而对晶片的优化可以包括替换用于形成完整的晶片的材料和方法以及晶片中电路的设计和布置。
电路15通过路径18传递数据到主机子系统20。电路15可以将获得的图像数据(诸如送采集的视频的和静态的数字图像)提供到主机子系统20。
电子设备10通常为用户提供大量高级功能。举例来说，在计算机或先进的蜂窝电话中，用户可以被提供以运行用户应用的能力。为了实现这些功能，电子设备10可以具有输入-输出设备22(诸如投影仪、小键盘、输入-输出端口和显示器)以及储存和处理电路24。储存和处理电路24可以包括易失性和非易失性存储器(例如，随机存取存储器、闪速存储器、硬盘驱动器、固态驱动器，等等)。储存和处理电路24也可以包括处理器，诸如微处理器、微控制器、数字信号处理器、专用集成电路，等等。
设备10可以包括位置感测电路23。举例来说，位置感测电路23可以包括全球定位系统(GPS)电路、基于无线电频率的定位电路(例如，蜂窝电话的定位电路)、陀螺仪、加速计、指南针、磁强计，等等。
传感器阵列14的布置的例子如图2所示。如图2所示，设备10可以包括耦合到图像读出电路30和地址发生器电路32的像素28的阵列14。举例来说，阵列14的行中的像素的每一个可以通过一个或多个导线34被耦合到地址发生器电路32。阵列14可以具有任意数量的行和列。一般而言，阵列14的尺寸和阵列14中的行和列的数量会取决于特定的实施方式。尽管行和列此处一般描述为水平的和垂直的，行和列可以指的是任何网格状结构(例如，此处描述为行的特性可以被垂直地布置以及此处被描述为列的特性可以被水平地布置)。
地址发生器电路32可以如要求地在路径34上产生信号。举例来说，地址发生器32可以在路径34中的复位线上产生复位信号、在路径34中的传输线上产生传输信号以及在路径34中的行选择线上产生行选择信号(例如，行读出)以控制阵列14的运作。如果希望的话，地址发生器电路32和阵列14可以被一起集成到单个集成电路中(举例来说)。
图像读出电路30可以包括电路42和图像处理和数据格式化电路16。电路42可以包括采样和保持电路、模数转换器电路和行缓冲器电路(举例来说)。举例来说，电路42可以用于测量像素28中的信号并且可以用于在电路42中的模数转化器将信号转化为数字信号的时候缓冲信号。在典型的布置中，电路42通过线路40从像素28的行中一次一行地读取信号。在另一个合适的布置的情况下，电路42通过线路40从像素28的组(例如，由位于阵列14的多个行和列中的像素形成的组)中一次一组地读出信号。由电路42读出的数字信号可以代表由像素28响应于入射光积累的电荷。由电路42的模数转换器产生的数字信号可以传递到图像处理和数据格式化电路16并且随后通过路径18传递到主机子系统20(图1)。
在至少一些布置中，图像传感器14可以包括一个或多个包括金属纳米粒子的过滤器。举例来说并且如图3所示，图像传感器14可以包括由基体54(例如，介质)中的金属纳米粒子52的悬浮物形成的滤色器阵列50。如图3所示，滤色器阵列50可以设置于图像传感像素28的阵列(形成于基板58上)和微透镜56的阵列之间，所述微透镜56中的每一个聚焦进来的光到像素28的相应的一个上。滤色器阵列50可以按任何希望的模板(例如，众所周知的拜耳模板和其他模板，所述其他模板可以包括红、绿和蓝像素、对其他颜色敏感的像素、白像素、红外线敏感像素、紫外线敏感像素，等等)形成。(尽管图3例示前面被照明的图像传感器，本实用新型的金属纳米粒子光层也可以在背面被照明的图像传感器中形成。)
任何合适的技术可以用于形成基体45中的金属纳米粒子52的悬浮物。举例来说，金属纳米粒子52可以使用化学气相沉积、脉冲化学气相沉积、原子层沉积、离子注入或其他合适的制造工艺添加到预先形成的基体54。基体54也可以使用任何合适的制造工艺形成。如果希望的话，基体45中的金属纳米粒子52的悬浮物可以用交替的和重复的基体54和纳米粒子52的沉积形成。
基体54可以是电介质的基体，诸如二氧化硅或二氧化钛或者可以是导电的基体，诸如氧化铟锡(ITO)或者氧化锌(ZnOx)。在基体54由导电材料(诸如ITO或ZnOx)形成的实施例中，基体54可以被接地。这个类型的布置的例子如图4所示，其中基体54被连接到地电位62。因为金属纳米粒子52也是导电的，接地的基体54减少杂散电流(stray current)和噪声并且防止电荷积累，所述电荷积累可能潜在地对成像器14的性能产生不利的影响。
作为在金属纳米粒子的界面处的表面等离振子(plasmon)的共振的结果，滤色器阵列54中的金属纳米粒子52可以吸收(即，过滤)不合要求的波长。为了获得过滤不同的光(例如，为了提供拜耳模板式的图像传感器，所以第一区域仅通过红光，第二区域仅通过绿光，以及第三区域仅通过蓝光)的滤色器区域，滤色器50的每个区域的各个方面可以被单独地或组合地改变。影响光学性质和由用金属纳米粒子形成的过滤器吸收的波长的方面包括，但不局限于，使用的金属的类型(例如，银粒子、铜粒子或由另一个合适的元素形成的粒子)、纳米粒子的尺寸(典型尺寸的例子包括2nm、8nm、18nm和28nm，其中较大的粒子通常吸收较长的、较红的波长)、金属纳米粒子的形态(形状)(举例来说，所述形态可以是杆性的、球形的和不规则形的，尽管球形的和不规则形的形状可以不强烈地取决于入射光的角相关性或极化，所述入射光的角相关性和极化在滤光器应用中可以是理想的)、形成于基体中的金属纳米粒子的量(即，密度或浓度)、基体中金属纳米粒子的分布、形成基体54使用的材料、利用的制造工艺(例如，热处理、等离子体和/或激光退火工艺以及可以改变金属纳米粒子的尺寸和形态并且因而改变粒子的光学性质的其他工艺)。
为了获得具有不同过滤性质的区域，这些性质中的一个或多个可以在区域间变化。举例来说，可以使用相同的金属纳米粒子和基体(例如，二氧化硅基体中的银)，而注入、沉积和/或退火条件可以对于不同区域而不同，目的在于调整每个区域中的粒子的尺寸和形态以产生其吸收光谱的移位。在另一个例子中，不同类型的金属纳米粒子(例如，银对铜)可以用于不同的区域，而相同的基体(例如，二氧化硅)用于那些区域。在另一个例子中，不同类型的基体可以用于不同的区域，而相同类型的金属纳米粒子用于那些区域。而在另一个例子中，不同类型的基体和不同类型的金属纳米粒子可以用于滤光器的不同的区域(例如，以形成不同的颜色)。通过改变金属纳米粒子和基体的这些和其他适合的性质，可以形成选择性地阻挡和通过要求的波长的滤光器。
如图4所示，纳米粒子滤光器50可以用导电的基体54形成。另外或替代地，成像器14可以包括用纳米粒子滤光器形成的像素内光栅(in-pixel light grid)60。像素内光栅60可以用于阻挡相邻的像素间的串扰(例如，将每个像素与其相邻像素隔离)。
如图5所示，成像器14可以包括滤色器阵列64和包含纳米粒子52的额外的金属纳米粒子光膜66，所示滤色器阵列64可以由传统的(例如，基于颜料的、基于染料的，等等)滤色器形成。金属纳米粒子光膜66可以增强滤光器阵列64以提供对一个要求的波段的吸收。举例来说，金属纳米粒子光膜可以吸收红外线波长和/或紫外线波长。尽管图5例示了金属纳米粒子52形成于单独的膜66中而不是滤光器阵列64中，这仅仅是一个可能的布置。举另一个例子来说，金属纳米粒子可以被集成于滤光器阵列64的膜层内。
在其他适合的布置下，诸如图3-5的那些金属纳米粒子光膜可以用作外围光阻挡膜。举例来说，金属纳米粒子光膜可以阻挡外围的光(例如，不直接通过微透镜56接收的光，包括微透镜56的边散射出的光)。举另一个例子来说，金属纳米粒子光膜可以阻挡通过所谓暗像素接收的入射光，所述暗像素被遮蔽以不接收入射光并且用于提供图像质量。而举另一个例子来说，一个或多个金属纳米粒子膜可以遮盖成像器14中的反射表面，诸如导电信号和电力线，像素内光栅，等等。
图6例示了成像器200(例如，结合诸如膜50的金属纳米粒子光膜的成像器)的简化的框图。像素阵列201包括多个像素，所述多个像素包含相应的按照预设好的数量的列和行布置的光电传感器。行线路由行驱动器202响应行地址解码器203来选择性地启动，以及列选择线路由列驱动器204响应列地址解码器205来选择性地启动。因此，行和列地址提供给每个像素。
CMOS成像器200由定时和控制电路206以及行和列驱动电路202、204操控，定时和控制电路206控制解码器203、205以选择像素读出的恰当的行和列线路，行和列驱动电路202、204应用驱动电压来驱动被选择的行和列线路的晶体管。与列驱动器204相关联的采样和保持电路(S/H)207对像素信号采样，所述像素信号通常包括每个像素的像素复位信号Vrst和像素图像信号Vsig。为每个像素产生不同的信号Vrst-Vsig，所述信号Vrst-Vsig由放大器208放大并且由模数转换器209数字化。模数转换器209将模拟像素信号转换成数字像素信号，所述数字像素信号供给到图像处理器210，所述图像处理器210形成数字图像。
图7展示了典型的处理器系统300的简化形式，诸如数字照相机，所述处理器系统300包括成像设备，诸如成像设备200(例如，结合诸如膜50的金属纳米粒子光膜诸如膜50的成像器)。处理器系统300是具有可以包括成像设备200的数字电路的系统的示例。并非进行限制，这样的系统可以包括计算机系统、静态或视频照相机系统、扫描仪、机器视觉(machine vision)、车辆导航、视频电话、监控系统、自动对焦系统、星体跟踪器系统、运动检测系统、图像稳定系统和其他采用成像设备的系统。
处理器系统300可以包括当按下快门释放按钮397时用来将图像聚焦在像素阵列(诸如像素阵列201)上的透镜，诸如透镜396，所述系统300可以是数字的静止或视频照相机系统。处理器系统300可以包括中央处理器，诸如中央处理器(CPU)395。CPU395可以是控制照相机功能和一个或多个图像流功能并且通过总线(诸如总线393)与一个或多个输入/输出(I/O)设备391通信的微处理器。成像设备200也可以通过总线393与CPU395通信。系统300可以包括随机存取存储器(RAM)392和可移除存储器394。可移除存储器394可以包括通过总线393与CPU395通信的闪速存储器。成像设备200可以与CPU395、与或不与记忆存储设备一起，在单个集成电路上或在不同芯片上结合。尽管总线393被例示为单个总线，它可以是一个或多个总线或电桥或其他用于互连系统组件的通信路径。
已经描述了不同的实施例，例示了成像系统，其可以包括一个或多个包括基体中的金属纳米粒子的滤光器。金属纳米粒子滤光器可以形成成像系统中的成像器的滤色器阵列。可以为了每种希望的颜色而形成不同的金属纳米粒子滤光器。金属纳米粒子和基体的性质可以为了达成希望的滤光性质和使希望的波段通过并到达成像器而改变。举例来说，金属的类型、纳米粒子的尺寸、纳米粒子的形状和纳米粒子形成于其中的基体的类型可以全部影响生成的金属纳米粒子光膜的光学性质。
根据实施例，提供成像器，其包括图像传感像素的阵列和与图像传感像素的阵列相关联的滤光器阵列，所述滤光器阵列包括基体和基体内的金属纳米粒子，所述金属纳米粒子过滤入射光。
根据另一个实施例，所述基体包括电介质基体。
根据另一个实施例，所述基体包括导电的基体并且所述成像器还包括短接所述导电的基体至接地端的导电路径。
根据另一个实施例，所述滤色器阵列包括过滤不同颜色的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域每个包括所述基体内的金属纳米粒子，所述第一区域包括第一金属纳米粒子，所述第二区域包括第二金属纳米粒子，并且所述第一和第二金属纳米粒子在尺寸、形状、金属类型和在所述基体内的浓度中的至少一项是不同的。
根据另一个实施例，所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子尺寸是不同的。
根据另一个实施例，所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子具有不同的形状。
根据另一个实施例，所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子由不同类型的金属形成。
根据另一个实施例，所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子以更高的在所述基体内的浓度形成。
根据另一个实施例，所述滤色器阵列包括过滤不同颜色的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域中的每个包括金属纳米粒子，所述第一区域包括第一基体，并且所述第二区域包括由不同于所述第一基体的材料形成的第二基体。
根据另一个实施例，所述成像器包括由所述基体内的金属纳米粒子形成的像素内光栅。
根据另一个实施例，所述滤色器阵列包括所述基体内的着色的颜料或着色的染料，所述着色的颜料或着色的染料也过滤入射光。
根据另一个实施例，所述滤色器阵列包括与所述基体分开的至少一层并且所述至少一层包括滤色器颜料或滤色器染料。
根据另一个实施例，所述金属纳米粒子用等离子退火工艺和激光退火工艺中的至少一个进行热处理。
根据另一个实施例，所述成像器包括外围光阻挡膜，所述外围光阻挡膜包括介质中的金属纳米粒子。
根据另一个实施例，成像传感像素的所述阵列包括多个暗像素，所述成像器包括介质中包括金属纳米粒子的光阻挡膜，所述光阻挡膜遮蔽所述暗像素以挡住入射光。
根据另一个实施例，所述成像器包括多个反射表面，所述反射表面包括导电的像素内光栅或者互连所述成像传感像素的导电线路，光阻挡膜遮盖所述反射表面，所述光阻挡膜包括介质内的金属纳米粒子。
根据另一个实施例，提供包括中央处理器、存储器、输入-输出电路和成像设备的系统，所述成像设备包括成像器，所述成像器包含成像像素的阵列和遮蔽所述成像像素的阵列以挡住入射的红外线光的红外线滤光器，所述滤光器包括基体和所述基体内的金属纳米粒子，所述金属纳米粒子过滤所述入射的红外线光。
根据另一个实施例，所述基体包括电介质基体。
根据另一个实施例，所述基体包括导电的基体并且所述成像设备还包括短接所述导电的基体至所述系统中的接地端的导电路径。
根据另一个实施例，所述成像设备还包括与所述红外线滤光器相邻的滤色器阵列。
根据另一个实施例，所述成像设备包括滤色器阵列，并且所述红外线滤光器设置于所述成像像素的阵列和所述滤色器阵列之间。
根据实施例，在成像设备中形成滤光器的方法，提供包括沉积基体和添加金属纳米粒子到所述基体的方法，所述金属纳米粒子在所述成像设备中的成像像素接收光之前过滤所述光。
根据另一个实施例，所述金属纳米粒子被添加到所述基体，所述添加过程使用从组中选择的至少一个工艺，所述组由离子注入、化学气相沉积、脉冲化学气相沉积和原子层沉积组成。
根据另一个实施例，所述方法包括在添加所述金属纳米粒子到所述基体之后，改变所述金属纳米粒子的尺寸和形状的至少一个。
根据另一个实施例，所述方法包括在添加所述金属纳米粒子到所述基体之后，通过使所述滤光器经受退火工艺改变所述金属纳米粒子的尺寸和形状的至少一个。
前文所述仅仅是例示可以被实践在其他实施例中的本实用新型的原理。
Claims (10)
1.一种成像器，其特征在于包括:
图像传感像素的阵列；和
与所述图像传感像素的阵列相关联的滤色器阵列，所述滤色器阵列包括：
基体；和
所述基体内的金属纳米粒子，所述金属纳米粒子过滤入射光。
2.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于所述滤色器阵列包括过滤不同颜色的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域中的每个包括所述基体内的金属纳米粒子，所述第一区域包括第一金属纳米粒子，所述第二区域包括第二金属纳米粒子，并且所述第一金属纳米粒子和第二金属纳米粒子在以下方面中的至少一项是不同的：尺寸、形状、金属的类型和在所述基体内的浓度。
3.根据权利要求2所述的成像器，其特征在于所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子具有不同的形状。
4.根据权利要求2所述的成像器，其特征在于所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子由不同类型的金属形成。
5.根据权利要求2所述的成像器，其特征在于所述第一金属纳米粒子相比所述第二金属纳米粒子以更高的在所述基体内的浓度形成。
6.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于所述滤色器阵列包括过滤不同颜色的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域中的每个包括金属纳米粒子，所述第一区域包括第一基体，并且所述第二区域包括由不同于所述第一基体的材料形成的第二基体。
7.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于还包括由所述基体内的金属纳米粒子形成的像素内光栅。
8.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于所述滤色器阵列包括与所述基体分开的至少一层，并且所述至少一层包括滤色器颜料或滤色器染料。
9.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于所述成像传感像素的阵列包括多个暗像素，所述成像器还包括：
包括介质内的金属纳米粒子的光阻挡膜，所述光阻挡膜遮蔽所述暗像素以挡住入射光。
10.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于还包括：
多个反射表面，所述多个反射表面包括导电的像素内光栅或互连所述图像传感像素的导电线路；
光阻挡膜，所述光阻挡膜遮盖所述反射表面，所述光阻挡膜包括介质内的金属纳米粒子。
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