CN203722881U - 一种新型led驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种新型LED驱动电路，主要解决现有电压控制模式的电路结构输入响应速度慢，包括调光控制单元，峰值电流检测采样单元和恒定关断时间控制单元。调光控制单元通过模拟和数字两种调光方式调节流过LED上的平均电流的大小来实现亮度的调节，分别输出峰值电流检测阈值V_CST1给峰值电流检测采样单元，而且输出两个使能V_EN1和V_EN2给恒定关断时间控制单元；峰值电流检测采样单元将比较结果输入到恒定关断时间控制单元；恒定关断时间控制单元在检测到峰值电流时，产生一个恒定的关断时间。本实用新型提高了输入响应速度，可实现快速的数模混合调光，可应用于LED驱动电路。

Description

一种新型LED驱动电路

技术领域

本实用新型属于电子电路技术领域，涉及模拟集成电路，特别是一种新型LED驱动电路。 

背景技术

随着半导体技术的快速发展和应用领域的不断扩展，具有绿色环保、节能、效率高、寿命长等优点的LED照明技术现已广泛地应用在了汽车照明、建筑照明等各个领域。但要发挥这些优势则需要LED驱动芯片的配合，因此，LED驱动集成电路的进一步发展成为社会的迫切需求。在常见的几种LED驱动电路中，DC-DC转换器因其工作效率高、操作简单，现已得到了普遍的应用。DC-DC转换器是将某一直流输入电压转换为另一直流输出电压的电路结构，其原理是通过控制功率开关管的开通和关断时间来调节环路的占空比，从而维持输出的恒定。DC-DC转换电路主要有Buck（降压）、Boost（升压）、Cuk（升降压）和升-降压（Buck -Boost）四种拓扑结构，一般由功率开关管、储能元件电感、续流二极管、电容、比较器和误差放大器组成。通过由误差放大器和比较器构成的反馈环路来控制功率开关管的开启和关断时间，从而维持输出的恒定。整个电路利用电感上的储能为负载提供连续的电流。 

典型的电压控制模式DC-DC转换器的系统结构如图1所示。该电路中包含一个电压负反馈环路，采用脉冲宽度调制方法（PWM）实现控制。具体工作原理为：输出电压V_OUT经采样电阻R_SNS分压后与参考电压V_REF相比较，其差值经误差放大器放大后得到V_COMP，作为PWM比较器的同相输入端，通过与PWM比较器反相输入端的锯齿波信号V_RAMP进行比较，用比较后所得信号来控制功率开关管Q₁的开启与关断。当输出电压V_OUT下降时，由采样电阻R_SNS分压所得反馈电压信号会下降，则通过误差放大器放大后的电压V_COMP会增加，使得功率开关管Q₁的导通时间增加，输出电压上升。电压控制模式通过这种负反馈的方式来维持输出的恒定。但是，该电压控制模式DC-DC转换器需要外部补偿网络，使得输入响应速度慢，控制环路易受到电流的干扰。 

发明内容

本实用新型的目的在于，针对上述电压控制模式DC-DC转换器的输入响应速度慢，以及控制环路易受到电流的干扰的问题,提出一种新型LED驱动电路，该电路能够实现恒定 关断时间控制模式，并具有数模混合调光功能。在功率开关管Q₁导通条件下，当第一电阻R₁两端电压达到设定的比较器的阈值电压时，即检测到所设定的峰值电流，Q₁关断。此外，系统的关断时间是恒定的。整个电路结构简单，控制方便；迟滞控制响应速度快；环路补偿简洁；系统稳定性好。 

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案予以解决： 

一种新型LED驱动电路，包括如下单元： 

调光控制单元，包括模拟调光电路和数字调光电路，其中，所述模拟调光电路用于接收驱动电压VADJ1，并通过调节驱动电压VADJ1的电压值而输出峰值电流检测阈值电压VCST1，并将输入到峰值电流检测采样单元；所述数字调光电路用于接收使能信号VEN，并在使能信号VEN的控制下，向峰值电流检测采样单元和恒定关断时间控制单元输出使能信号VEN1，同时向恒定关断时间控制单元输出使能信号VEN2； 

峰值电流检测采样单元，用于接收调光控制单元中的接收模拟调光电路发送的峰值电流检测阈值电压V_CST1以及数字调光电路发送的输出使能信号V_EN1；并在使能信号V_EN1的控制下，将输入电压V_IN和由输入电压V_IN经压降V_SNS得到的电压V₁与峰值检测阈值电压V_CST1进行比较，以实现峰值电流的检测，并将输出信号V₃输入恒定关断时间控制单元； 

恒定关断时间控制单元：用于接收调光控制单元中数字调光电路发送的使能信号V_EN1和使能信号V_EN2，同时接收峰值电流检测采样单元发送的输出信号V₃；并在使能信号V_EN1和使能信号V_EN2控制下，在检测到峰值电流时，调节输入电压V_ADJ2，得到一个输出电压V₂，并将输出电压V₂输送至功率开关管Q₁； 

功率开关管Q₁：用于接收恒定关断时间控制单元发送的输出电压V₂，并根据输出电压V₂产生一恒定的关断时间T_OFF； 

输入的直流电源并联第一电容C₁后得到输入电压V_IN，第一电阻R₁两端的输入电压V_IN和电压V₁连接到峰值电流检测单元；恒定关断时间控制单元输出的输出电压V₂连接到一驱动Driver，用于控制功率开关管Q₁的导通和关断；功率开关管Q₁与肖特基二极管D₁和第二电容C₂并联，且与第一电感L₁串联。 

进一步的，所述调光控制单元包括模拟调光电路和数字调光电路。 

进一步的，所述模拟调光电路包括放大器、NMOS管M₁₀₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃和电流源I_S1；所述数字调光电路12包括第一施密特触发器和第二施密特触发器、反相器、PMOS管M₁₀₂、PMOS管M₁₀₄、NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅和第三电容C₃；其中： 

所述放大器，其同相输入端连接到驱动电压V_ADJ1，并且通过第三电阻R₃接地；其反相端通过第二电阻R₂接地；其输出端连接到NMOS管M₁₀₁的栅极；NMOS管M₁₀₁的漏极连接到峰值电流检测采样单元的输入阈值电压V_CST1，其源极通过第二电阻R₂接地；电流源I_S1输入端接入内部电源V_DD，其输出端通过第三电阻R₃接到地，并且接入V_ADJ1； 

所述第一施密特触发器，其输入端接在NMOS管M₁₀₃的漏极，同时接在第三电容C₃的正极，其输出端接在反相器的输入端，同时接入使能信号V_EN1；其电源端分别接内部电源V_DD和地； 

所述第二施密特触发器，其输入端接在反相器的输出端上，同时连接PMOS管M₁₀₄与NMOS管M₁₀₅的漏极；其输出端连接在恒定关断时间控制单元中与非门的一个输入端的使能信号V_EN2上；其电源端分别接在内部电源V_DD和地上； 

所述反相器，其输入端连接在施密特触发器的输出端上，其输出端连接在PMOS管M₁₀₄的栅极上；PMOS管M₁₀₂，其源极连接内部电源V_DD，其栅极直接到地；PMOS管M₁₀₄，其源极接入内部电源V_DD；NMOS管M₁₀₃，其栅极连接使能输入信号V_EN，其源极接地；NMOS管M₁₀₅，其源极接地，其栅极接入使能输入信号V_EN；第三电容C₃，其负极接地。 

进一步的，所述峰值电流检测采样单元，包括反相器、电流源I_S2、第四电阻R₄、第五电阻R₅、第六电阻R₆、第七电阻R₇、高压PMOS管M₂₀₃、高压PMOS管M₂₀₅、高压NMOS管M₂₀₄、高压NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₁、NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₇、NMOS管M₂₀₈、NMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₁₀、NMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₁₂、NMOS管M₂₁₅、NMOS管M₂₂₀、NMOS管M₂₂₁、NMOS管M₂₂₃、NMOS管M₂₂₄、NMOS管M₂₂₆、PMOS管M₂₁₃、PMOS管M₂₁₄、PMOS管M₂₁₆、PMOS管M₂₁₇、PMOS管M₂₁₈、PMOS管M₂₁₉、PMOS管M₂₂₂和PMOS管M₂₂₅；其中： 

所述反相器，其输入端连接使能输入信号V_EN1，其输出端接NMOS管M₂₀₇； 

所述电流源I_S2，其输入端接内部电源V_DD，其输出端接在NMOS管M₂₀₇和M₂₀₈的漏极上，同时接在NMOS管M₂₀₈和M₂₀₉的栅极上；所述NMOS管M₂₀₈、M₂₀₉、M₂₁₀、M₂₁₁、M₂₁₂构成一排电流镜，NMOS管M₂₀₈、M₂₀₉、M₂₁₀、M₂₁₁、M₂₁₂的栅极都连接在NMOS管M₂₀₈的栅极上，源极都接地； 

所述NMOS管M₂₀₉的漏极接在组成差分对的NMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的源极上；其中NMOS管M₂₁₀的漏极接在高压NMOS管M₂₀₄的源极上；NMOS管M₂₁₁的漏极接在高压NMOS管M₂₀₆的源极上，NMOS管M₂₁₂的漏极接在PMOS管M₂₁₃的漏极上； 

所述NMOS管M₂₀₁和M₂₀₂构成差分对，它们的漏极分别通过第六电阻R₆和第七电阻R₇接在输入电压V_IN上，而它们的栅极则分别通过第四电阻R₄和第五电阻R₅连接到输入电压V₁和V_IN上； 

所述高压PMOS管M₂₀₃、M₂₀₅和NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆是漏极高压管，其中，高压PMOS管M₂₀₃、M₂₀₅的源极分别接在差分对NMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的漏极上，它们的漏极分别连接在NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆的漏极上，它们的栅极都连接输入电压V_B1；高压NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆的栅极都连接输入电压V_B2，它们的源极分别连接在组成差分对的NMOS管M₂₁₉、M₂₁₈的栅极上； 

所述PMOS管M₂₁₃、M₂₁₆构成电流镜，它们的源极都接到内部电源V_DD，PMOS管M₂₁₆的漏极连接到组成差分对的PMOS管M₂₁₈、M₂₁₉的源极；PMOS管M₂₁₇源极连接内部电源V_DD，栅极连接使能信号V_EN1，漏极连接PMOS管M₂₁₃的漏极； 

所述PMOS管M₂₁₄和M₂₂₂构成电流镜，它们的源极接内部电源V_DD，其中PMOS管M₂₁₄的漏极接NMOS管M₂₁₅的漏极，PMOS管M₂₂₂的漏极接NMOS管M₂₂₃的漏极；所述NMOS管M₂₁₅和M₂₂₀也构成电流镜，其源极都接地，其中NMOS管M₂₂₀的漏极接在组成差分对的PMOS管M₂₁₈的漏极上；所述NMOS管M₂₂₁和M₂₂₃也构成电流镜，它们的源极都接地，NMOS管M₂₂₁的漏极接在组成差分对的PMOS管M₂₁₉的漏极上； 

所述NMOS管M₂₂₄，其栅极连接使能信号V_EN1，用于控制其开关状态，其漏极接在NMOS管M₂₂₃的漏极上，源极接地；所述PMOS管M₂₂₅和NMOS管M₂₂₆构成反相器，该反相器的输入端接在NMOS管M₂₂₃的漏极上，其输出端接输出信号V₃，其中PMOS管M₂₂₅的源极接内部电源V_DD，NMOS管M₂₂₆的源极接地。 

进一步的，所述恒定关断时间控制单元，包括放大器、比较器、RS触发器、反相器、反相器、与非门、第四电容C₄、第八电阻R₈、PMOS管M₃₀₁、PMOS管M₃₀₂、PMOS管M₃₀₃和PMOS管M₃₀₄、NMOS管M₃₀₅和NMOS管M₃₀₆；其中： 

所述放大器，其同相输入端连接输入电压V_ADJ2，反向输入端通过第八电阻R₈接地，其输出端接NMOS管M₃₀₅的栅极；所述比较器，其同相输入端接基准电压V_REF，其反相端接PMOS管M₃₀₃的漏极，其输出端接RS触发器的复位端R；所述RS触发器由两个与非门构成，其置数端S接在反相器的输出端上，其输出端接在反相器的输入端上；所述反相器，其输入端接峰值电流检测采样单元的输出信号V₃，所述反相器，其输出端接与非门的一个输入上；所述与非门的另一个输入端接使能信号V_EN2，其输出端接输出电压V₂； 

所述PMOS管M₃₀₁、M₃₀₂、M₃₀₃和M₃₀₄构成电流镜，其中，PMOS管M₃₀₁和M₃₀₂的源极接在内部电源V_DD上，而漏极分别接在PMOS管M₃₀₄和M₃₀₃的源极上；通过取相同的管子尺寸，得到电流关系为：I_D6=I_D7=I_D8=I_D9； 

所述PMOS管M₃₀₄的漏极连接NMOS管M₃₀₅的漏极，PMOS管M₃₀₃的漏极通过第四电容C₄接地；所述NMOS管M₃₀₅的源极通过第八电阻R₈接地，NMOS管M₃₀₆的栅极接峰值电流检测采样单元的输出信号V₃，其漏极接比较器的反相输入端，源极接地。 

进一步的，所述峰值电流检测采样单元包括反相器、第四电阻R₄、第五电阻R₅、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₂、PMOS管M₂₀₅、PMOS管M₂₀₆、PMOS管M₂₀₉、PMOS管M₂₁₂、PMOS管M₂₁₃、NMOS管M₂₀₃、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₇、NMOS管M₂₀₈、NMOS管M₂₁₀、NMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₁₄和NMOS管M₂₁₅；其中： 

所述反相器，其输入端连接PMOS管M₂₁₃的漏极，输出端连接恒定关断时间控制单元中NMOS管M₃₀₆的栅极，用于控制其开关；所述PMOS管M₂₁₂和M₂₁₃构成电流镜，它们的源极都连接内部电源V_DD，PMOS管M₂₁₂的漏极连接NMOS管M₂₁₄的漏极，PMOS管M₂₁₃的漏极连接NMOS管M₂₁₅的漏极； 

所述NMOS管M₂₁₅，其栅极连接高压NMOS管M₂₁₀的源极，其源极接地；NMOS管M₂₁₄、M₂₁₁、M₂₀₈的栅极都接在NMOS管M₂₀₇的栅极上，它们的源极都接地，其中NMOS管M₂₁₁的漏极接高压NMOS管M₂₁₀的源极，NMOS管M₂₀₈的漏极连接高压NMOS管M₂₀₆的源极，NMOS管M₂₀₇的漏极连接高压NMOS管M₂₀₅的源极；高压NMOS管M₂₁₀的栅极连接内部电源V_DD，其漏极连接高压PMOS管M₂₀₉的漏极；所述PMOS管M₂₀₉的源极连接输入电压V_IN，其栅极连接PMOS管M₂₀₂和高压NMOS管M₂₀₄的漏极； 

所述PMOS管M₂₀₁和M₂₀₂构成电流镜，它们的源极连接输入电压V_IN，其中PMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的漏极分别连接NMOS管M₂₀₃、M₂₀₄的漏极；所述高压NMOS管M₂₀₄，其栅极连接调光控制单元中模拟调光电路的输出阈值电压V_CST，并通过第五电阻R₅连接输入电压V_IN，其源极和NMOS管M₂₀₃的源极都连接在高压NMOS管M₂₀₆的漏极；所述NMOS管M₂₀₃，其栅极通过第四电阻R₄连接输入电压V₁；所述高压NMOS管M₂₀₅和M₂₀₆构成电流镜，其中，NMOS管M₂₀₅的漏极连接电流源I_S2。 

进一步的，所述恒定关断时间控制单元包括比较器、RS触发器、反相器和反相器、与非门、第四电容C₄，第八电阻R₈和NMOS管M₃₀₁；其中： 

所述比较器，其同相输入端接基准电压V_REF，其反相输入端连接NMOS管M₃₀₁的漏极， 并通过第八电阻R₈连接在输出电压V_ADJ2上或通过第四电容C₄接地，其输出端接RS触发器的复位端R；所述RS触发器由两个与非门构成，其置数端S接在反相器的输出端上，其输出端接在反相器的输入端上；所述反相器，其输入端接峰值电流检测采样单元的输出信号V₃；所述反相器，其输出端接与非门的一个输入上；所述与非门的另一个输入端接使能信号V_EN2，其输出端接输出电压V₂；所述NMOS管M₃₀₁，其栅极连接峰值电流检测采样单元的输出信号V₃，其源极接地。 

本实用新型与现有技术相比具有以下优点： 

1、本实用新型通过比较第一电阻R₁两端电压与比较器的阈值电压来触发功率开关管的关断，不需要误差放大器和反馈网络，因此与传统的电压控制模式相比，具有更快的响应速度。 

2、本实用新型的恒定关断时间控制模式LED驱动电路无需外部补偿网络，环路补偿简洁，易于实现，控制方便；而且开关频率只随V_IN的增大而增大，系统稳定性好，有效地避免了传统的系统中控制环路易受到电流干扰的问题。 

附图说明

图1是传统的LED驱动电路的系统框图。 

图2是本实用新型的新型LED驱动电路的结构框图。 

图3是本实用新型实施例1中的调光控制单元的原理图。 

图4是本实用新型实施例1中峰值电流检测采样单元电路的原理图。 

图5是本实用新型实施例1中的恒定关断时间控制单元电路的原理图。 

图6是本实用新型实施例2中的峰值电流检测采样单元电路的原理图。 

图7是本实用新型实施例3中的恒定关断时间控制单元电路的原理图。 

以下结合附图及其实施例对本实用新型作进一步描述。 

具体实施方式

实施例1： 

参照图2、图3，本实用新型的新型LED驱动电路，包括调光控制单元1、峰值电流检测采样单元2和恒定关断时间控制单元3。 

所述调光控制单元1，包括模拟调光电路11和数字调光电路12，共有两个输入端a、b和三个输出端c、d、e；其中，第一输入端a和第二输入端b分别连接模拟调光电路11的输入驱动电压V_ADJ1和数字调光电路12的输入使能控制信号V_EN，调光控制单元1通过改变 V_ADJ1和V_EN分别进行模拟调光和数字调光；第一输出端c连接数字调光电路12中第二施密特触发器的输出端的使能信号V_EN2；第二输出端d连接数字调光电路12中第一施密特触发器输出端的使能信号V_EN1；第三输出端e连接模拟调光电路11中的电流峰值检测阈值V_CST1，它是通过V_ADJ1的改变而改变的。 

所述峰值电流检测采样单元2，设有四个输入端f、g、j、k和一个输出端h；其中，第一输入端f与调光控制单元1中模拟调光电路11的输出电流峰值阈值电压V_CST1连接；第二输入端g与调光控制单元1中数字调光电路12的使能信号V_EN1连接，用于实现内部器件工作状态的控制；第三输入端j和第四输入端k分别与第一电阻R₁的输出端V₁、电路的输入端V_IN连接，用于将第一电阻R₁上的压降V_SNS与峰值电流检测阈值V_CST进行比较实现峰值电流的检测；输出端h与恒定关断时间控制单元3中的输入端连接。 

所述恒定关断时间控制单元3，设有四个输入端m、n、o、p和一个输出端q；其中，第一输入端m与峰值电流检测采样单元2中的输出信号V₃连接；第二输入端n和第三输入端o分别与调光控制单元1中数字调光电路的输出端的使能信号V_EN1、V_EN2连接，用于内部器件的开启和关断控制；第四输入端p与放大器的驱动电压V_ADJ2连接，用于调节第四电容C₄的充、放电，从而实现对PMOS管Q₁关断时间的控制；输出端q与输出电压V₂连接。 

输入的直流电源并联第一电容C₁后得到输入电压V_IN，第一电阻R₁两端的输入电压V_IN和电压V₁连接到峰值电流检测单元2；恒定关断时间控制单元3输出的输出电压V₂连接到一驱动Driver，用于控制功率开关管Q₁的导通和关断；功率开关管Q₁与肖特基二极管D₁和第二电容C₂并联，且与第一电感L₁串联。 

当功率开关管Q₁管导通时，肖特基二极管D₁处于反偏，直流电源向第一电感L₁充电，电感电流线性增加，直到一定程度后，LED上的电流只由直流电源提供，此时直流电源开始对第二电容C₂充电，在检测到峰值电流时，功率开关管Q₁关断；然后由于第一电感L₁中的电流不会突变，它会产生与电感电流变化相反的感应电动势来阻止电感电流的减小，并使二极管D₁导通进行续流。这正是应用了BUCK型DC-DC转化器的电路拓补结构原理，最终使得输出电压V_OUT稳定，从而使得流过LED上的电流稳定。 

以下所述的高压PMOS和高压NMOS管一般用到的承受压降在5V至60V之间。 

参照图3，调光控制单元1包括模拟调光电路11和数字调光电路12。其中，模拟调光电路11包括放大器101、NMOS管M₁₀₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃和电流源I_S1；数字调光电路12包括第一施密特触发器102和第二施密特触发器104、反相器103、PMOS管M₁₀₂、 PMOS管M₁₀₄、NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅和第三电容C₃。其中： 

所述放大器101，其同相输入端连接到驱动电压V_ADJ1，并且通过第三电阻R₃接地；其反相端通过第二电阻R₂接地；其输出端连接到NMOS管M₁₀₁的栅极；NMOS管M₁₀₁的漏极连接到峰值电流检测采样单元2的输入阈值电压V_CST1，其源极通过第二电阻R₂接地；电流源I_S1输入端接入内部电源V_DD，其输出端通过第三电阻R₃接到地，并且接入V_ADJ1；由于R₂=5R₅，因此， 

$V_{\mathrm{CST}}=\frac{R_2}{R_5}{V}_{\mathrm{ADJ}1}=\frac{V_{\mathrm{ADJ}1}}{5}---\left(1\right)$

其中，V_IN-V_CST=V_CST1；V_CST为第五电阻R₅上的压降；V_CST1为峰值电流检测阈值。 

所述第一施密特触发器102，其输入端接在NMOS管M₁₀₃的漏极，同时接在第三电容C₃的正极，其输出端接在反相器103的输入端，同时接入使能信号V_EN1；其电源端分别接内部电源V_DD和地。 

所述第二施密特触发器104，其输入端接在反相器103的输出端上，同时连接PMOS管M₁₀₄与NMOS管M₁₀₅的漏极；其输出端连接在恒定关断时间控制单元3中与非门306的一个输入端的使能信号V_EN2上；其电源端分别接在内部电源V_DD和地上。 

所述反相器103，其输入端连接在施密特触发器102的输出端上，其输出端连接在PMOS管M₁₀₄的栅极上；PMOS管M₁₀₂，其源极连接内部电源V_DD，其栅极直接到地；PMOS管M₁₀₄，其源极接入内部电源V_DD；NMOS管M₁₀₃，其栅极连接使能输入信号V_EN，其源极接地；NMOS管M₁₀₅，其源极接地，其栅极接入使能输入信号V_EN；第三电容C₃，其负极接地。 

参考图4，本实施例的峰值电流检测采样单元2，包括反相器201、电流源I_S2、第四电阻R₄、第五电阻R₅、第六电阻R₆、第七电阻R₇、高压PMOS管M₂₀₃、高压PMOS管M₂₀₅、高压NMOS管M₂₀₄、高压NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₁、NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₇、NMOS管M₂₀₈、NMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₁₀、NMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₁₂、NMOS管M₂₁₅、NMOS管M₂₂₀、NMOS管M₂₂₁、NMOS管M₂₂₃、NMOS管M₂₂₄、NMOS管M₂₂₆、PMOS管M₂₁₃、PMOS管M₂₁₄、PMOS管M₂₁₆、PMOS管M₂₁₇、PMOS管M₂₁₈、PMOS管M₂₁₉、PMOS管M₂₂₂和PMOS管M₂₂₅。其中： 

所述反相器201，其输入端连接使能输入信号V_EN1，其输出端接NMOS管M₂₀₇； 

所述电流源I_S2，其输入端接内部电源V_DD，其输出端接在NMOS管M₂₀₇和M₂₀₈的漏 极上，同时接在NMOS管M₂₀₈和M₂₀₉的栅极上；所述NMOS管M₂₀₈、M₂₀₉、M₂₁₀、M₂₁₁、M₂₁₂构成一排电流镜，NMOS管M₂₀₈、M₂₀₉、M₂₁₀、M₂₁₁、M₂₁₂的栅极都连接在NMOS管M₂₀₈的栅极上，源极都接地；NMOS管M₂₀₈、M₂₀₉、M₂₁₀、M₂₁₁、M₂₁₂上流过电流的大小根据各个NMOS管尺寸计算： 

$I_{D2}=I_{S2}\×\frac{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M209}}{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M208}}---\left(2\right)$

$I_{D3}=I_{S2}\×\frac{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M210}}{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M208}}---\left(3\right)$

$I_{D4}=I_{S2}\×\frac{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M211}}{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M208}}---\left(4\right)$

$I_{D5}=I_{S2}\×\frac{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M212}}{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M208}}---\left(5\right)$

所述NMOS管M₂₀₉的漏极接在组成差分对的NMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的源极上；其中NMOS管M₂₁₀的漏极接在高压NMOS管M₂₀₄的源极上；NMOS管M₂₁₁的漏极接在高压NMOS管M₂₀₆的源极上，NMOS管M₂₁₂的漏极接在PMOS管M₂₁₃的漏极上。 

所述NMOS管M₂₀₁和M₂₀₂构成差分对，它们的漏极分别通过第六电阻R₆和第七电阻R₇接在输入电压V_IN上，而它们的栅极则分别通过第四电阻R₄和第五电阻R₅连接到输入电压V₁和V_IN上。 

所述高压PMOS管M₂₀₃、M₂₀₅和NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆是漏极高压管，其中，高压PMOS管M₂₀₃、M₂₀₅的源极分别接在差分对NMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的漏极上，它们的漏极分别连接在NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆的漏极上，它们的栅极都连接输入电压V_B1；高压NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆的栅极都连接输入电压V_B2，它们的源极分别连接在组成差分对的NMOS管M₂₁₉、M₂₁₈的栅极上，充当该差分对的输入。 

所述PMOS管M₂₁₃、M₂₁₆构成电流镜，它们的源极都接到内部电源V_DD，PMOS管M₂₁₆的漏极连接到组成差分对的PMOS管M₂₁₈、M₂₁₉的源极；PMOS管M₂₁₇源极连接内部电源V_DD，栅极连接使能信号V_EN1，漏极连接PMOS管M₂₁₃的漏极。 

所述PMOS管M₂₁₄和M₂₂₂构成电流镜，它们的源极接内部电源V_DD，其中PMOS管 M₂₁₄的漏极接NMOS管M₂₁₅的漏极，PMOS管M₂₂₂的漏极接NMOS管M₂₂₃的漏极；所述NMOS管M₂₁₅和M₂₂₀也构成电流镜，其源极都接地，其中NMOS管M₂₂₀的漏极接在组成差分对的PMOS管M₂₁₈的漏极上；所述NMOS管M₂₂₁和M₂₂₃也构成电流镜，它们的源极都接地，NMOS管M₂₂₁的漏极接在组成差分对的PMOS管M₂₁₉的漏极上。 

所述NMOS管M₂₂₄，其栅极连接使能信号V_EN1，用于控制其开关状态，其漏极接在NMOS管M₂₂₃的漏极上，源极接地；所述PMOS管M₂₂₅和NMOS管M₂₂₆构成反相器，该反相器的输入端接在NMOS管M₂₂₃的漏极上，其输出端接输出信号V₃，其中PMOS管M₂₂₅的源极接内部电源V_DD，NMOS管M₂₂₆的源极接地。 

参考图5，本实施例的恒定关断时间控制单元3，包括放大器301、比较器302、RS触发器303、反相器304、反相器305、与非门306、第四电容C₄、第八电阻R₈、PMOS管M₃₀₁、PMOS管M₃₀₂、PMOS管M₃₀₃和PMOS管M₃₀₄、NMOS管M₃₀₅和NMOS管M₃₀₆。其中： 

所述放大器301，其同相输入端连接输入电压V_ADJ2，反向输入端通过第八电阻R₈接地，其输出端接NMOS管M₃₀₅的栅极；所述比较器302，其同相输入端接基准电压V_REF，其反相端接PMOS管M₃₀₃的漏极，其输出端接RS触发器的复位端R；所述RS触发器由两个与非门构成，其置数端S接在反相器304的输出端上，其输出端接在反相器305的输入端上；所述反相器304，其输入端接峰值电流检测采样单元2的输出信号V₃，所述反相器305，其输出端接与非门306的一个输入上；所述与非门306的另一个输入端接使能信号V_EN2，其输出端接输出电压V₂。 

所述PMOS管M₃₀₁、M₃₀₂、M₃₀₃和M₃₀₄构成电流镜，其中，PMOS管M₃₀₁和M₃₀₂的源极接在内部电源V_DD上，而漏极分别接在PMOS管M₃₀₄和M₃₀₃的源极上；通过取相同的管子尺寸，得到电流关系为：I_D6=I_D7=I_D8=I_D9。 

所述PMOS管M₃₀₄的漏极连接NMOS管M₃₀₅的漏极，PMOS管M₃₀₃的漏极通过第四电容C₄接地；所述NMOS管M₃₀₅的源极通过第八电阻R₈接地，NMOS管M₃₀₆的栅极接峰值电流检测采样单元2的输出信号V₃，其漏极接比较器302的反相输入端，源极接地。 

本实施例的LED驱动电路，其关断时间T_OFF是恒定的，主要由第八电阻R₈、第四电容C₄、一个恒定的输出电压V_ADJ2预先进行调节。T_OFF的起始时刻，第四电容C₄上的电压为零，随后电流镜将给电容提供电荷，电容开始充电，充电时间常数由R₈和C₄决定。当第四电容C₄两端的电压(V_COFF)充电至和基准电压V_REF相等时，关断时间结束，电容放电至零。功率开关管Q₁的关断时间T_OFF的计算公式为： 

$T_{\mathrm{OFF}}=\frac{C_4{V}_{\mathrm{REF}}{R}_8}{V_{\mathrm{ADJ}2}}---\left(6\right)$

此外，此电路受峰值电流检测采样单元2的控制，当第一电阻R₁检测到峰值电流时，系统导通时间T_ON结束，关断时间T_OFF开始。通过分析可以知道一旦检测到峰值电流，输出信号V₃为高电平，将此输出信号V₃连接到关断时间控制电路中的NMOS管M₃₀₆的栅极，保证在T_OFF时间段的初始时刻，第四电容C₄上的电荷为零。 

实施例2： 

本实施例的调光控制单元1和恒定关断时间控制单元3与实施例1中的相同。 

参照图6，本实施例的峰值电流检测采样单元2包括反相器201、第四电阻R₄、第五电阻R₅、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₂、PMOS管M₂₀₅、PMOS管M₂₀₆、PMOS管M₂₀₉、PMOS管M₂₁₂、PMOS管M₂₁₃、NMOS管M₂₀₃、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₇、NMOS管M₂₀₈、NMOS管M₂₁₀、NMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₁₄和NMOS管M₂₁₅。其中： 

所述反相器201，其输入端连接PMOS管M₂₁₃的漏极，输出端连接恒定关断时间控制单元3中NMOS管M₃₀₆的栅极，用于控制其开关。所述PMOS管M₂₁₂和M₂₁₃构成电流镜，它们的源极都连接内部电源V_DD，PMOS管M₂₁₂的漏极连接NMOS管M₂₁₄的漏极，PMOS管M₂₁₃的漏极连接NMOS管M₂₁₅的漏极。 

所述NMOS管M₂₁₅，其栅极连接高压NMOS管M₂₁₀的源极，其源极接地；NMOS管M₂₁₄、M₂₁₁、M₂₀₈的栅极都接在NMOS管M₂₀₇的栅极上，它们的源极都接地，其中NMOS管M₂₁₁的漏极接高压NMOS管M₂₁₀的源极，NMOS管M₂₀₈的漏极连接高压NMOS管M₂₀₆的源极，NMOS管M₂₀₇的漏极连接高压NMOS管M₂₀₅的源极；高压NMOS管M₂₁₀的栅极连接内部电源V_DD，其漏极连接高压PMOS管M₂₀₉的漏极；所述PMOS管M₂₀₉的源极连接输入电压V_IN，其栅极连接PMOS管M₂₀₂和高压NMOS管M₂₀₄的漏极。 

所述PMOS管M₂₀₁和M₂₀₂构成电流镜，它们的源极连接输入电压V_IN，其中PMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的漏极分别连接NMOS管M₂₀₃、M₂₀₄的漏极；所述高压NMOS管M₂₀₄，其栅极连接调光控制单元1中模拟调光电路的输出阈值电压V_CST，并通过第五电阻R₅连接输入电压V_IN，其源极和NMOS管M₂₀₃的源极都连接在高压NMOS管M₂₀₆的漏极；所述NMOS管M₂₀₃，其栅极通过第四电阻R₄连接输入电压V₁；所述高压NMOS管M₂₀₅和M₂₀₆构成电流镜，其中NMOS管M₂₀₅的漏极连接电流源I_S2。 

其电流关系为： $I_{D10}=I_{S2}\×\frac{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M206}}{{\left(\frac{W}{L}\right)}_{M205}}---\left(7\right)$

其中，I_S2为电流源电流，I_D10为高压NMOS管M₂₀₆的漏极电流，W/L为MOS管的宽长比。 

本实施例中，利用第一电阻R₁上产生的差分电压信号进行检测。通过将第一电阻R₁上的压降V_SNS和电流峰值检测阈值电压V_CST进行比较来实现峰值电流的检测。比较器正端输入的电压为V_IN-V_CST，负端输入的电压为V_IN-V_SNS。一旦检测到峰值电流，即V_SNS大于V_CST，则Q₁关断，导通时间结束，此时比较器输出高电平。 

V_CST的取值是由调光控制单元1中的放大器同相端的输入电压V_ADJ1电压决定的，放大器采用负反馈的连接方式，由于R₂=5R₅，故开关NMOS管M₁₀₁上流过的电流可以表示为： 

$I_{D1}=\frac{V_{\mathrm{ADJ}1}}{5R_5}---\left(8\right)$

因此，峰值电流检测阈值V_CST表示为： 

$V_{\mathrm{CST}}=I_{D1}\×R_5=\frac{V_{\mathrm{ADJ}1}}{5}---\left(9\right)$

此外，该电路还提供了两种调节检测阈值电压V_CST的方法，都是通过改变V_ADJ1电压值来实现。 

1、V_ADJ1断开，直接将基准电压V_REF提供作为驱动电压。 

$V_{\mathrm{CST}}=\frac{V_{\mathrm{ADJ}1}}{{5R}_4}\text{\×}{R}_4=\frac{V_{\mathrm{ADJ}1}}{5}=\frac{1.20V}{5}=240\mathrm{mV}---\left(10\right)$

直接提供0～1.20V的V_ADJ1电压实现，通过这种方式，所设定的V_CST的取值在0～240mV之间变化。 

2、在运放同向端与地之间连接电阻R₂来实现，电流I_S1会流过电阻R₂，从而产生V_ADJ1电压，此时，V_CST电压可表示为： 

${V_{\mathrm{CST}}}^{\′}=\frac{V_{\mathrm{ADJ}1}}{5}=\frac{R_2\×I_{S1}}{5}---\left(11\right)$

以上两个实施例的LED驱动电路的峰值电流检测采样单元2可以看出，此单元的核心设计是比较器，比较器的转换速度直接影响着系统导通时间和关断时间的准确程度，进而会影响系统的工作点，因此要求所设计的比较器应具有尽可能快的转换速度。这里采用两级比较器电路来实现，具体电路结构如图6所示。 

同时本实施例采用的DC-DC转换器，通过比较第一电阻R₁上的压降V_SNS与比较器电路的峰值电流检测阈值电压V_CST来触发主开关管Q₁的关断，而不需要误差放大器和反馈网络，因此与传统的电压控制模式相比，具有更快响应速度。 

实施例3： 

本实施例的调光控制单元1和峰值电流检测采样单元2与实施例1的相同。 

参照图7，本实施例的恒定关断时间控制单元3包括比较器301、RS触发器302、反相器303和反相器304、与非门305、第四电容C₄，第八电阻R₈和NMOS管M₃₀₁。其中： 

所述比较器301，其同相输入端接基准电压V_REF，其反相输入端连接NMOS管M₃₀₁的漏极，并通过第八电阻R₈连接在输出电压V_ADJ2上或通过第四电容C₄接地，其输出端接RS触发器的复位端R；所述RS触发器由两个与非门构成，其置数端S接在反相器303的输出端上，其输出端接在反相器304的输入端上；所述反相器303，其输入端接峰值电流检测采样单元2的输出信号V₃；所述反相器304，其输出端接与非门305的一个输入上；所述与非门305的另一个输入端接使能信号V_EN2，其输出端接输出电压V₂；所述NMOS管M₃₀₁，其栅极连接峰值电流检测采样单元2的输出信号V₃，其源极接地。 

本实施例的LED驱动电路，其关断时间T_OFF是恒定的，主要由第八电阻R₈、第四电容C₄、输出电压V_ADJ2预先进行调节。由于电路采用的是恒流驱动方式，I_LED会很好的控制，所以输出电压V_ADJ2将会是一个恒定的值，不会随输入电压和温度的变化而变化。 

T_OFF时刻的起始时刻，第四电容C₄上的电压为零，随后输出电压V_ADJ2将给电容提供电荷，电容开始充电，充电时间常数由R₈和C₄决定。当电容两端的电压(V_COFF)充电至和基准电压V_REF相等时，关断时间结束，电容放电至零。T_OFF的计算公式为： 

${T_{\mathrm{OFF}}}^{\′}=-R_8\×C_4\×\ln (1-\frac{V_{\mathrm{REF}}}{V_{\mathrm{ADJ}2}})---\left(12\right)$

由上述实施例1和实施例3中的关断时间T_OFF和T_OFF＇可以看出：它是由第八电阻R₈、第四电容C₄和一个恒定的电压V_ADJ2决定的，因此一旦确定了它们的参数值则电路的关断时间是恒定不变的。同时，本实用新型中提出的恒定关断时间控制模式LED驱动电路无需外接补偿网络，环路补偿简洁，易于实现，控制方便；而且开关频率只随V_IN的增大而增大，系统稳定性好。 

以上仅是本实用新型的三个最佳实例，不构成对本实用新型的任何限制，显然在本实用新型的构思下，可以对其电路进行不同的变更与改进，但这些均在本实用新型的保护之列。 

Claims (7)

1.一种新型LED驱动电路，其特征在于，包括如下单元： 

调光控制单元（1），包括模拟调光电路（11）和数字调光电路（12），其中，所述模拟调光电路（11）用于接收驱动电压V_ADJ1，并通过调节驱动电压V_ADJ1的电压值而输出峰值电流检测阈值电压V_CST1，并将输入到峰值电流检测采样单元（2）；所述数字调光电路（12）用于接收使能信号V_EN，并在使能信号V_EN的控制下，向峰值电流检测采样单元（2）和恒定关断时间控制单元（3）输出使能信号V_EN1，同时向恒定关断时间控制单元（3）输出使能信号V_EN2； 

峰值电流检测采样单元（2），用于接收调光控制单元（1）中的接收模拟调光电路（11）发送的峰值电流检测阈值电压V_CST1以及数字调光电路（12）发送的输出使能信号V_EN1；并在使能信号V_EN1的控制下，将输入电压V_IN和由输入电压V_IN经压降V_SNS得到的电压V₁与峰值检测阈值电压V_CST1进行比较，以实现峰值电流的检测，并将输出信号V₃输入恒定关断时间控制单元（3）； 

恒定关断时间控制单元（3）：用于接收调光控制单元（1）中数字调光电路（12）发送的使能信号V_EN1和使能信号V_EN2，同时接收峰值电流检测采样单元（2）发送的输出信号V₃；并在使能信号V_EN1和使能信号V_EN2控制下，在检测到峰值电流时，调节输入电压V_ADJ2，得到一个输出电压V₂，并将输出电压V₂输送至功率开关管Q₁； 

功率开关管Q₁：用于接收恒定关断时间控制单元（3）发送的输出电压V₂，并根据输出电压V₂产生一恒定的关断时间T_OFF； 

输入的直流电源并联第一电容C₁后得到输入电压V_IN，第一电阻R₁两端的输入电压V_IN和电压V₁连接到峰值电流检测单元（2）；恒定关断时间控制单元（3）输出的输出电压V₂连接到一驱动Driver，用于控制功率开关管Q₁的导通和关断；功率开关管Q₁与肖特基二极管D₁和第二电容C₂并联，且与第一电感L₁串联。 

2.如权利要求1所述的新型LED驱动电路，其特征在于，所述调光控制单元（1）包括模拟调光电路（11）和数字调光电路（12）。 

3.如权利要求2所述的新型LED驱动电路，其特征在于，所述模拟调光电路（11）包括放大器（101）、NMOS管M₁₀₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃和电流源I_S1；所述数字调光电路（12）包括第一施密特触发器（102）和第二施密特触发器（104）、反相器（103）、PMOS管M₁₀₂、PMOS管M₁₀₄、NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅和第三电容C₃；其中： 

所述放大器（101），其同相输入端连接到驱动电压V_ADJ1，并且通过第三电阻R₃接地；其反相端通过第二电阻R₂接地；其输出端连接到NMOS管M₁₀₁的栅极；NMOS管M₁₀₁的漏极连接到峰值电流检测采样单元（2）的输入阈值电压V_CST1，其源极通过第二电阻R₂接地；电流源I_S1输入端接入内部电源V_DD，其输出端通过第三电阻R₃接到地，并且接入V_ADJ1； 

所述第一施密特触发器（102），其输入端接在NMOS管M₁₀₃的漏极，同时接在第三电容C₃的正极，其输出端接在反相器（103）输入端，同时接入使能信号V_EN1；其电源端分别接内部电源V_DD和地； 

所述第二施密特触发器（104），其输入端接在反相器（103）的输出端上，同时连接PMOS管M₁₀₄与NMOS管M₁₀₅的漏极；其输出端连接在恒定关断时间控制单元（3）中与非门（306）的一个输入端的使能信号V_EN2上；其电源端分别接在内部电源V_DD和地上； 

所述反相器（103），其输入端连接在施密特触发器（102）的输出端上，其输出端连接在PMOS管M₁₀₄的栅极上；PMOS管M₁₀₂，其源极连接内部电源V_DD，其栅极直接到地；PMOS管M₁₀₄，其源极接入内部电源V_DD；NMOS管M₁₀₃，其栅极连接使能输入信号V_EN，其源极接地；NMOS管M₁₀₅，其源极接地，其栅极接入使能输入信号V_EN；第三电容C₃，其负极接地。 

4.如权利要求1所述的新型LED驱动电路，其特征在于，所述峰值电流检测采样单元（2），包括反相器（201）、电流源I_S2、第四电阻R₄、第五电阻R₅、第六电阻R₆、第七电阻R₇、高压PMOS管M₂₀₃、高压PMOS管M₂₀₅、高压NMOS管M₂₀₄、高压NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₁、NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₇、NMOS管M₂₀₈、NMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₁₀、NMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₁₂、NMOS管M₂₁₅、NMOS管M₂₂₀、NMOS管M₂₂₁、NMOS管M₂₂₃、NMOS管M₂₂₄、NMOS管M₂₂₆、PMOS管M₂₁₃、PMOS管M₂₁₄、PMOS管M₂₁₆、PMOS管M₂₁₇、PMOS管M₂₁₈、PMOS管M₂₁₉、PMOS管M₂₂₂和PMOS管M₂₂₅；其中： 

所述反相器（201），其输入端连接使能输入信号V_EN1，其输出端接NMOS管M₂₀₇； 

所述电流源I_S2，其输入端接内部电源V_DD，其输出端接在NMOS管M₂₀₇和M₂₀₈的漏极上，同时接在NMOS管M₂₀₈和M₂₀₉的栅极上；所述NMOS管M₂₀₈、M₂₀₉、M₂₁₀、M₂₁₁、M₂₁₂构成一排电流镜，NMOS管M₂₀₈、M₂₀₉、M₂₁₀、M₂₁₁、M₂₁₂的栅极都连接在NMOS管M₂₀₈的栅极上，源极都接地； 

所述NMOS管M₂₀₉的漏极接在组成差分对的NMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的源极上；其中NMOS 管M₂₁₀的漏极接在高压NMOS管M₂₀₄的源极上；NMOS管M₂₁₁的漏极接在高压NMOS管M₂₀₆的源极上，NMOS管M₂₁₂的漏极接在PMOS管M₂₁₃的漏极上； 

所述NMOS管M₂₀₁和M₂₀₂构成差分对，它们的漏极分别通过第六电阻R₆和第七电阻R₇接在输入电压V_IN上，而它们的栅极则分别通过第四电阻R₄和第五电阻R₅连接到输入电压V₁和V_IN上； 

所述高压PMOS管M₂₀₃、M₂₀₅和NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆是漏极高压管，其中，高压PMOS管M₂₀₃、M₂₀₅的源极分别接在差分对NMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的漏极上，它们的漏极分别连接在NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆的漏极上，它们的栅极都连接输入电压V_B1；高压NMOS管M₂₀₄、M₂₀₆的栅极都连接输入电压V_B2，它们的源极分别连接在组成差分对的NMOS管M₂₁₉、M₂₁₈的栅极上； 

所述PMOS管M₂₁₃、M₂₁₆构成电流镜，它们的源极都接到内部电源V_DD，PMOS管M₂₁₆的漏极连接到组成差分对的PMOS管M₂₁₈、M₂₁₉的源极；PMOS管M₂₁₇源极连接内部电源V_DD，栅极连接使能信号V_EN1，漏极连接PMOS管M₂₁₃的漏极； 

所述PMOS管M₂₁₄和M₂₂₂构成电流镜，它们的源极接内部电源V_DD，其中PMOS管M₂₁₄的漏极接NMOS管M₂₁₅的漏极，PMOS管M₂₂₂的漏极接NMOS管M₂₂₃的漏极；所述NMOS管M₂₁₅和M₂₂₀也构成电流镜，其源极都接地，其中NMOS管M₂₂₀的漏极接在组成差分对的PMOS管M₂₁₈的漏极上；所述NMOS管M₂₂₁和M₂₂₃也构成电流镜，它们的源极都接地，NMOS管M₂₂₁的漏极接在组成差分对的PMOS管M₂₁₉的漏极上； 

所述NMOS管M₂₂₄，其栅极连接使能信号V_EN1，用于控制其开关状态，其漏极接在NMOS管M₂₂₃的漏极上，源极接地；所述PMOS管M₂₂₅和NMOS管M₂₂₆构成反相器，该反相器的输入端接在NMOS管M₂₂₃的漏极上，其输出端接输出信号V₃，其中PMOS管M₂₂₅的源极接内部电源V_DD，NMOS管M₂₂₆的源极接地。 

5.如权利要求1所述的新型LED驱动电路，其特征在于，所述恒定关断时间控制单元（3），包括放大器（301）、比较器（302）、RS触发器（303）、反相器（304）、反相器（305）、与非门（306）、第四电容C₄、第八电阻R₈、PMOS管M₃₀₁、PMOS管M₃₀₂、PMOS管M₃₀₃和PMOS管M₃₀₄、NMOS管M₃₀₅和NMOS管M₃₀₆；其中： 

所述放大器（301），其同相输入端连接输入电压V_ADJ2，反向输入端通过第八电阻R₈接地，其输出端接NMOS管M₃₀₅的栅极；所述比较器（302），其同相输入端接基准电压V_REF，其反相端接PMOS管M₃₀₃的漏极，其输出端接RS触发器的复位端R；所述RS触发器由两 个与非门构成，其置数端S接在反相器（304）的输出端上，其输出端接在反相器（305）的输入端上；所述反相器（304），其输入端接峰值电流检测采样单元（2）的输出信号V₃，所述反相器（305），其输出端接与非门（306）的一个输入上；所述与非门（306）的另一个输入端接使能信号V_EN2，其输出端接输出电压V₂； 

所述PMOS管M₃₀₁、M₃₀₂、M₃₀₃和M₃₀₄构成电流镜，其中，PMOS管M₃₀₁和M₃₀₂的源极接在内部电源V_DD上，而漏极分别接在PMOS管M₃₀₄和M₃₀₃的源极上；通过取相同的管子尺寸，得到电流关系为：I_D6=I_D7=I_D8=I_D9； 

所述PMOS管M₃₀₄的漏极连接NMOS管M₃₀₅的漏极，PMOS管M₃₀₃的漏极通过第四电容C₄接地；所述NMOS管M₃₀₅的源极通过第八电阻R₈接地，NMOS管M₃₀₆的栅极接峰值电流检测采样单元（2）的输出信号V₃，其漏极接比较器（302）的反相输入端，源极接地。 

6.如权利要求1所述的新型LED驱动电路，其特征在于，所述峰值电流检测采样单元（2）包括反相器（201）、第四电阻R₄、第五电阻R₅、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₂、PMOS管M₂₀₅、PMOS管M₂₀₆、PMOS管M₂₀₉、PMOS管M₂₁₂、PMOS管M₂₁₃、NMOS管M₂₀₃、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₇、NMOS管M₂₀₈、NMOS管M₂₁₀、NMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₁₄和NMOS管M₂₁₅；其中： 

所述反相器（201），其输入端连接PMOS管M₂₁₃的漏极，输出端连接恒定关断时间控制单元（3）中NMOS管M₃₀₆的栅极，用于控制其开关；所述PMOS管M₂₁₂和M₂₁₃构成电流镜，它们的源极都连接内部电源V_DD，PMOS管M₂₁₂的漏极连接NMOS管M₂₁₄的漏极，PMOS管M₂₁₃的漏极连接NMOS管M₂₁₅的漏极； 

所述NMOS管M215，其栅极连接高压NMOS管M210的源极，其源极接地；NMOS管M214、M211、M208的栅极都接在NMOS管M207的栅极上，它们的源极都接地，其中NMOS管M211的漏极接高压NMOS管M210的源极，NMOS管M208的漏极连接高压NMOS管M206的源极，NMOS管M207的漏极连接高压NMOS管M205的源极；高压NMOS管M210的栅极连接内部电源VDD，其漏极连接高压PMOS管M209的漏极；所述PMOS管M209的源极连接输入电压VIN，其栅极连接PMOS管M202和高压NMOS管M204的漏极； 

所述PMOS管M₂₀₁和M₂₀₂构成电流镜，它们的源极连接输入电压V_IN，其中PMOS管M₂₀₁、M₂₀₂的漏极分别连接NMOS管M₂₀₃、M₂₀₄的漏极；所述高压NMOS管M₂₀₄，其栅极连接调光控制单元1中模拟调光电路的输出阈值电压V_CST，并通过第五电阻R₅连接输入 电压V_IN，其源极和NMOS管M₂₀₃的源极都连接在高压NMOS管M₂₀₆的漏极；所述NMOS管M₂₀₃，其栅极通过第四电阻R₄连接输入电压V₁；所述高压NMOS管M₂₀₅和M₂₀₆构成电流镜，其中，NMOS管M₂₀₅的漏极连接电流源I_S2。 

7.如权利要求1所述的新型LED驱动电路，其特征在于，所述恒定关断时间控制单元（3）包括比较器（301）、RS触发器（302）、反相器（303）和反相器（304）、与非门（305）、第四电容C₄，第八电阻R₈和NMOS管M₃₀₁；其中： 

所述比较器（301），其同相输入端接基准电压V_REF，其反相输入端连接NMOS管M₃₀₁的漏极，并通过第八电阻R₈连接在输出电压V_ADJ2上或通过第四电容C₄接地，其输出端接RS触发器的复位端R；所述RS触发器由两个与非门构成，其置数端S接在反相器（303）的输出端上，其输出端接在反相器（304）的输入端上；所述反相器（303），其输入端接峰值电流检测采样单元（2）的输出信号V₃；所述反相器（304），其输出端接与非门（305）的一个输入上；所述与非门（305）的另一个输入端接使能信号V_EN2，其输出端接输出电压V₂；所述NMOS管M₃₀₁，其栅极连接峰值电流检测采样单元（2）的输出信号V₃，其源极接地。