CN203643881U - 可变基准电压源 - Google Patents
可变基准电压源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203643881U CN203643881U CN201320769163.7U CN201320769163U CN203643881U CN 203643881 U CN203643881 U CN 203643881U CN 201320769163 U CN201320769163 U CN 201320769163U CN 203643881 U CN203643881 U CN 203643881U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- amplifier stage
- connects
- reference voltage
- output terminal
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 101710170230 Antimicrobial peptide 1 Proteins 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001447 compensatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
可变基准电压源，包括第一放大级、第二放大级和积分电容，所述第一放大级的输出端连接第二放大级的输入端，所述第一放大级的输出端还连接一端接地的积分电容；所述第一放大级由第一运算放大器、第一调整NMOS管、PMOS电流镜、第一反馈电阻串和积分开关组成，所述第一运算放大器的正相输入端连接一基准电压，第一调整NMOS管的源级连接第一反馈电阻串的中间节点并连接第一运算放大器的反相输入端，所述第一运算放大器的输出端连接第一调整NMOS管的栅极；所述第二放大级为电压放大比例为K2的电压缓冲放大器。采用本实用新型所述的可变基准电压源，提高了基准电压分压后的驱动能力，实现脉冲信号占空比的直流转化。
Description
技术领域
本实用新型属于集成电路领域，涉及一种可变基准电压源。
背景技术
模拟电路广泛的包含电压基准和电流基准。这种基准是直流量，它与电源和工艺参数的关系很小，但与温度的关系是确定的。
产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压或电流。在大多数应用中，所要求的温度关系采取下面三种形式中的一种：
1）与绝对温度成正比；
2）常数Gm特性，也就是，一些晶体管的跨导保持常数；
3）与温度无关。
要实现基准电压源所需解决的主要问题是如何提高其温度抑制与电源抑制，即如何实现与温度有确定关系且与电源基本无关的结构。由于在现实中半导体几乎没有与温度无关的参数，因此只有找到一些具有正温度系数和负温度系数的参数，通过合适的组合，可以得到与温度无关的量，且这些参数与电源无关。
现有技术多采用带隙基准电压实现基准电压，由于带隙基准电压特性，通常限定在一个定值，例如1.22V，实际电路应用中，通常需要其它值的稳定电压，现有技术通常利用电阻串直接分压，但付出的代价是降低了基准电压的驱动能力和传输路径，同时也无法实现占空比表示的分压。
实用新型内容
针对现有技术存在的基准源分压存在驱动能力弱，无法实现占空比信号分压的技术缺陷，本实用新型提供一种可变基准电压源。
本实用新型所述可变基准电压源，包括第一放大级、第二放大级和积分电容，所述第一放大级的输出端连接第二放大级的输入端，所述第一放大级的输出端还连接一端接地的积分电容；
所述第一放大级由第一运算放大器、第一调整NMOS管、PMOS电流镜、第一反馈电阻串和积分开关组成，所述第一运算放大器的正相输入端连接一基准电压，第一调整NMOS管的源级连接第一反馈电阻串的中间节点并连接第一运算放大器的反相输入端，所述第一运算放大器的输出端连接第一调整NMOS管的栅极；
所述PMOS电流镜为1:1电流镜，输入端连接第一调整NMOS管的漏极，PMOS电流镜的输出端通过积分开关连接第一放大级的输出端，所述第一反馈电阻串两端分别接地和第一放大级的输出端，所述第一反馈电阻串的另一端接地；所述第一反馈电阻串中间节点两侧电阻值比例为预先设定的K1 ；
所述第二放大级为电压放大比例为K2的电压缓冲放大器，且K2 小于1，所述第二放大级的输出端作为可变基准电压的输出端。
优选的，所述第二放大级由第二运算放大器、第二调整NMOS管、第二反馈电阻串组成，所述第二运算放大器的正相输入端连接第一放大级的输出端，所述第二调整NMOS管的漏极接电源，第二反馈电阻串两端分别连接第二运算放大器的反相输入端和地，第二反馈电阻串的中间节点连接第二放大级的输出端，所述第二反馈电阻串中间节点两侧电阻值比例为预先设定的K2。
优选的 ，所述基准电压源为带隙基准电压源。
本实用新型具有以下有益效果：
采用本实用新型所述的可变基准电压源，采用两级放大电路，提高了基准电压分压后的驱动能力，实现脉冲信号占空比的直流转化，在数模/模数转换中具有广阔的使用前景。
附图说明
图1为本实用新型所述的可变基准电压源一个具体电路实施例。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型的具体实施方式作进一步的详细说明。
本实用新型的发明目的在于实现一种输出电压可随方波信号占空比变化的基准电压值。
图1为本实用新型所述的可变基准电压一个具体电路实施例。具体电路中包含带隙基准电压源Vbg，四个电阻器R0，R1，R2，R3，一个电容器C1，一个开关器件S1，两个运算放大器第一运算放大器AMP0，第二运算放大器AMP1，两个NMOS管第一调整NMOS管NM0，第二调整NMOS管NM1，两个PMOS管PM1，PM2构成电流镜。AMP1，NM1和R0形成跨导运放，将基准电压转换成基准电流。开关S1控制I2电流对R1，C1的充电。R1和C1形成滤波产生补偿后基准电压Vref_comp，AMP0，NM0，R2和R3形成缓冲器和分压的作用，产生实际所需的基准电压VD1。
本实施例中，电流镜比例为1:1，R0：R1=1，R3：R2=2，基准电压值为1.2V ，第一运算放大器使两个输入端电压相等，流过R0的电流通过电流镜镜像后从R1输出，由于开关S1以占空比D开关，使得对电容C1充电电流为原有电流的D倍，在电容端得到的电压值为（1+D）*VREF，其中VREF为输入的带隙基准电压值。
第二调整放大级由第二运算放大器、第二调整NMOS管、第二反馈电阻串组成，所述第二运算放大器的正相输入端连接第一放大级的输出端，所述第二调整NMOS管的漏极接电源，第二反馈电阻串两端分别连接第二运算放大器的反相输入端和地，第二反馈电阻串的中间节点连接第二放大级的输出端，所述第二反馈电阻串中间节点两侧电阻值比例为预先设定的K2。
本实施例中所述可变基准电压的电压值VD1（即图中的Vref-real） =（1+D）*VREF*K3，其中D为反馈电压方波的占空比，VREF为预先设定的不变基准电压值。
需要指出的是，在本领域的技术人员应该知道，本发明中描述的具体电路实施例，仅仅是该补偿理论的一种表现形式，还存在其它种可能。同样。所搭建的电路工艺不仅仅局限于标准CMOS工艺，也可以为Bipolar工艺，抑或是BCD（Bipolar,CMOS,DMOS）工艺等。
前文所述的为本实用新型的各个优选实施例，各个优选实施例中的优选实施方式如果不是明显自相矛盾或以某一优选实施方式为前提，各个优选实施方式都可以任意叠加组合使用，所述实施例以及实施例中的具体参数仅是为了清楚表述实用新型人的实用新型验证过程，并非用以限制本实用新型的专利保护范围，本实用新型的专利保护范围仍然以其权利要求书为准，凡是运用本实用新型的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (3)
1.可变基准电压源，其特征在于，包括第一放大级、第二放大级和积分电容，所述第一放大级的输出端连接第二放大级的输入端，所述第一放大级的输出端还连接一端接地的积分电容；所述第一放大级由第一运算放大器、第一调整NMOS管、PMOS电流镜、第一反馈电阻串和积分开关组成，所述第一运算放大器的正相输入端连接一基准电压，第一调整NMOS管的源级连接第一反馈电阻串的中间节点并连接第一运算放大器的反相输入端，所述第一运算放大器的输出端连接第一调整NMOS管的栅极；所述PMOS电流镜为1:1电流镜，输入端连接第一调整NMOS管的漏极，PMOS电流镜的输出端通过积分开关连接第一放大级的输出端，所述第一反馈电阻串两端分别接地和第一放大级的输出端，所述第一反馈电阻串的另一端接地；所述第一反馈电阻串中间节点两侧电阻值比例为预先设定的K1 ；所述第二放大级为电压放大比例为K2的电压缓冲放大器，且K2 小于1，所述第二放大级的输出端作为可变基准电压的输出端。
2. 如权利要求1所述的可变基准电压源，其特征在于，所述第二放大级由第二运算放大器、第二调整NMOS管、第二反馈电阻串组成，所述第二运算放大器的正相输入端连接第一放大级的输出端，所述第二调整NMOS管的漏极接电源，第二反馈电阻串两端分别连接第二运算放大器的反相输入端和地，第二反馈电阻串的中间节点连接第二放大级的输出端，所述第二反馈电阻串中间节点两侧电阻值比例为预先设定的K3。
3. 如权利要求1所述的可变基准电压源，其特征在于，所述基准电压源为带隙基准电压源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320769163.7U CN203643881U (zh) | 2013-11-30 | 2013-11-30 | 可变基准电压源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320769163.7U CN203643881U (zh) | 2013-11-30 | 2013-11-30 | 可变基准电压源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203643881U true CN203643881U (zh) | 2014-06-11 |
Family
ID=50875112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320769163.7U Expired - Lifetime CN203643881U (zh) | 2013-11-30 | 2013-11-30 | 可变基准电压源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203643881U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103744463A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-04-23 | 成都岷创科技有限公司 | 可检测占空比的可变基准电源 |
| CN108614160A (zh) * | 2016-12-13 | 2018-10-02 | 现代自动车株式会社 | 用于测量电阻值的装置 |
-
2013
- 2013-11-30 CN CN201320769163.7U patent/CN203643881U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103744463A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-04-23 | 成都岷创科技有限公司 | 可检测占空比的可变基准电源 |
| CN103744463B (zh) * | 2013-11-30 | 2016-02-10 | 成都岷创科技有限公司 | 可检测占空比的可变基准电源 |
| CN108614160A (zh) * | 2016-12-13 | 2018-10-02 | 现代自动车株式会社 | 用于测量电阻值的装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102035484B (zh) | 差动放大器 | |
| CN102253684B (zh) | 一种采用电流相减技术的带隙基准电路 | |
| CN108075737A (zh) | 用于驱动电容性负载的低输出阻抗、高速高压电压生成器 | |
| CN203840288U (zh) | 一种用于两级差分放大器的连续时间共模反馈电路 | |
| CN101867365A (zh) | 一种直流正负双极信号隔离转换成单极性信号的电路 | |
| CN108646841A (zh) | 一种线性稳压电路 | |
| CN104881070B (zh) | 一种适用于mems应用的超低功耗ldo电路 | |
| CN104699162A (zh) | 一种快速响应的低压差线性稳压器 | |
| CN103744463B (zh) | 可检测占空比的可变基准电源 | |
| CN106919217A (zh) | 一种钳位电压电路 | |
| CN203643881U (zh) | 可变基准电压源 | |
| CN106059506B (zh) | 射频信号功率放大电路 | |
| CN105445673A (zh) | 一种直流恒电阻电子负载装置 | |
| CN103631299A (zh) | 一种恒定压差、可变输出电压低压差线性稳压器 | |
| CN103956982A (zh) | 一种用于两级差分放大器的连续时间共模反馈电路 | |
| CN103440011A (zh) | 具有压差补偿的线性恒流源电路 | |
| CN202817742U (zh) | 一种过流保护电路 | |
| KR101362474B1 (ko) | Cmos 서브밴드갭 기준발생기 | |
| CN102931833A (zh) | 一种模拟电路中的高压转低压电路 | |
| CN103631310A (zh) | 带隙基准电压源 | |
| CN107040228B (zh) | 一种适用于非线性调节器的失灵电路 | |
| CN203204485U (zh) | 一种带隙基准电路 | |
| CN104410377A (zh) | 一种全差分放大器输出共模失调校正电路 | |
| CN204719598U (zh) | 一种电流源电路 | |
| CN104104343A (zh) | 应用于d类音频放大器的三角波产生方法及电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160425 Address after: 201204 Zhang Heng road Shanghai, Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park Lane 666 No. 2 floor 504-511 room 5 Patentee after: Shanghai Bright Power Semiconductor Co.,Ltd. Address before: West high tech Zone Fucheng Road in Chengdu city of Sichuan province 610000 399 No. 6 Building 1 unit 10 floor No. 2 Patentee before: CHENGDU MINCHUANG SCIENCE & TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 5 room 504-511, room 2, Lane 666, Zhang Heng Road, Pudong New Area, China (Shanghai) free trade zone, Shanghai, China () Patentee after: SHANGHAI BRIGHT POWER SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. Address before: 201204 Zhang Heng road Shanghai, Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park Lane 666 No. 2 floor 504-511 room 5 Patentee before: Shanghai Bright Power Semiconductor Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140611 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |