CN203602710U - 等离子体气相沉积用半自动插片机 - Google Patents

等离子体气相沉积用半自动插片机 Download PDF

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Abstract

一种等离子体气相沉积用半自动插片机,包括:一储片匣,用于存放一基片;一轨道,设置于该储片匣及一PECVD炉之间;一轨道车,设置于该轨道并沿该轨道运动,其中,该轨道车往返于靠近该储片匣的一第一位置及靠近该PECVD炉的一第二位置之间;一机械臂,固定于该轨道车,其中,该机械臂拥有一工作端;一吸片机,固定于该工作端,用于吸片;及一驱动单元,用于对该轨道车,该机械臂及该吸片机提供能量。籍由上述之结构,本实用新型可以半自动地完成基片安装的工作,省去了人工搬片及人工对片的麻烦,降低了生产成本,极大地提高了工作效率及对片精度,保证了镀膜产品的优良品质和外观。

Description

等离子体气相沉积用半自动插片机
技术领域
本实用新型涉及一种气相沉积用半自动插片机,尤其是一种等离子体气相沉积用半自动插片机。
背景技术
PECVD,全称为Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,即:等离子体增强化学气相沉积法。PECVD借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,并在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体气相沉积。
现有的PECVD沉积方式是采用顶部进气通过气体筛板后进入反应器内,而基片采用插入式安装。基片插入作为PECVD镀膜生产过程中的重要一环,对产品品质及外观有着举足轻重的作用。
在基片插入过程中,需要将处理后的基片移至反应炉前并定位,而现有技术一般采用人工操作等方法实现这一过程,极大地影响了工作效率,且浪费了大量的人力成本;除此以外,采用人工方式进行搬片及对位操作,不仅工作量大,且对片不准,会影响镀膜产品的品质和外观。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种结构合理,操作方便的等离子体气相沉积用半自动插片机。
本实用新型的又一目的在于提供一种对片精度高,工作效果好的等离子体气相沉积用半自动插片机。
为达到以上目的,本实用新型提供一种等离子体气相沉积用半自动插片机,包括:
一储片匣,用于存放一基片;
一轨道,设置于该储片匣及一PECVD炉之间;
一轨道车,设置于该轨道并沿该轨道运动,其中,该轨道车往返于靠近该储片匣的一第一位置及靠近该PECVD炉的一第二位置之间;
一机械臂,固定于该轨道车,其中,该机械臂拥有一工作端;
一吸片机,固定于该工作端,用于吸片,其中,当该轨道车位于该第一位置时,该吸片机吸住该储片匣中的该基片,并通过该机械臂的运动将该基片取出,然后该轨道车向该PECVD炉移动并到达该第二位置,该机械臂运动并将该基片放入该PECVD炉中后,再将该基片推入一基片插座,之后,该吸片机停止吸片并通过该机械臂的运动离开该PECVD炉以此完成基片安装,最后,该轨道车向该储片匣移动并到达该第一位置重新吸片;及
一驱动单元,用于对该轨道车,该机械臂及该吸片机提供能量。
籍由上述之结构,本实用新型可以半自动地完成基片安装的工作,整个安装过程中,仅需人工将基片放入该储片匣即可,剩余的操作将由该等离子体气相沉积用半自动插片机完成,省去了人工搬片及人工对片的麻烦,降低了生产成本,极大地提高了工作效率及对片精度,保证了镀膜产品的优良品质和外观。
本实用新型的这些目的,特点,和优点将会在下面的具体实施方式,附图,和权利要求中详细的揭露。
附图说明
图1为本实用新型的结构图。
图2为本实用新型的A-A向视图。
图3为本实用新型的电路连接示意图。
图中:1-储片匣,2-轨道,3-轨道车,4-机械臂,5-吸片机,6-驱动单元,7-定位传感器,8-真空吸盘,9-第一控制单元,10-距离传感器,11-第一电机,12-第二控制单元,13-第二电机,14-第三控制单元,15-真空泵。
具体实施方式
请参见图1和图2,本实用新型为一种等离子体气相沉积用半自动插片机,包括:
一储片匣1,用于存放一基片;
一轨道2,设置于该储片匣1及一PECVD炉之间;
一轨道车3,设置于该轨道2并沿该轨道2运动,其中,该轨道车3往返于靠近该储片匣1的一第一位置及靠近该PECVD炉的一第二位置之间;
一机械臂4,固定于该轨道车3,其中,该机械臂4拥有一工作端;
一吸片机5,固定于该工作端,用于吸片,其中,当该轨道车3位于该第一位置时,该吸片机5吸住该储片匣1中的该基片,并通过该机械臂4的运动将该基片取出,然后该轨道车3向该PECVD炉移动并到达该第二位置,该机械臂4运动并将该基片放入该PECVD炉中后,再将该基片推入一基片插座,之后,该吸片机5停止吸片并通过该机械臂4的运动离开该PECVD炉以此完成基片安装,最后,该轨道车3向该储片匣1移动并到达该第一位置重新吸片;及
一驱动单元6,用于对该轨道车3,该机械臂4及该吸片机5提供能量。
籍由上述之结构,本实用新型可以半自动地完成基片安装的工作,整个安装过程中,仅需人工将基片放入该储片匣1即可,剩余的操作将由该等离子体气相沉积用半自动插片机完成,省去了人工搬片及人工对片的麻烦,降低了生产成本,极大地提高了工作效率及对片精度,保证了镀膜产品的优良品质和外观。
优选的,该储片匣1可从本实用新型中略去,该基片从生产线通过人工搬运至该吸片机5旁,然后该吸片机5进行吸片。
优选的,该机械臂4吸在该基片的侧面中心部位,将该基片放入该PECVD炉中后,该机械臂4撤走,该基片由人工推入该基片插座。
优选的,该轨道2进一步包括两个挡板,固定于该轨道2的两端,用于防止该轨道车3滑落。
优选的,所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,进一步包括一控制面板,用于手动启动和停止该等离子体气相沉积用半自动插片机。
优选的,所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,进一步包括一保护单元,用于在过载,短路,漏电和过热时使该等离子体气相沉积用半自动插片机停止工作。
藉由上述之结构,该保护单元可以有效防止过载,短路,漏电和过热对该等离子体气相沉积用半自动插片机带来的损害。
优选的,其中,该轨道车3包括:
一车体;
复数个车轮,设置于该车体的一下部,其中,该车轮被该轨道2限制以此沿该轨道2滚动;
一第一电机11,用于驱动该车轮;
一平台,固定于该车体的一上部,其中,该机械臂4固定于该平台;
一距离传感器10,固定于该车体上,用于测量该轨道车3与该储片匣1之间的一第一距离及与该PECVD炉之间的一第二距离;及
一第一控制单元9,用于控制该第一电机11,其中,当该第一距离小于一第一预设距离,或该第二距离小于一第二预设距离时,该第一控制单元9使该第一电机11停止工作,并当该机械臂4及该吸片机5完成工作时使该第一电机11反向工作,以此使该轨道车3从该第一位置移动至该第二位置,或从该第二位置移动至该第一位置。
籍由上述之结构,该轨道车3可以自动往返于该第一位置及该第二位置之间,整个过程不需人为干预,降低了生产成本,提高了工作效率。
优选的,该轨道车3进一步包括刹车装置,固定于该车轮,用于使该轨道车3快速停止。
优选的,其中,该机械臂4包括:
一升降臂,拥有一齿状边缘;
一第二电机13,拥有一齿轮,其中,该齿轮与该齿状边缘啮合,以此通过该第二电机13驱动该升降臂;
一支架,固定于该升降臂的一下部,其中,该支架拥有该工作端,用于固定该吸片机5;
一定位传感器7,设置于该升降臂,用于测定该升降臂的一位置信息;及
一第二控制单元12,用于控制该第二电机13,其中,当该位置信息与一预设位置信息相符合时,该第二控制单元12使该第二电机13停止工作,并当该吸片机5完成工作时使该第二电机13反向工作。
籍由上述之结构,该机械臂4可以辅助该吸片机5完成取片操作及插片操作,且使用了该定位传感器7,使该机械臂4被限定在有效范围内工作,整个过程不需人为干预,降低了生产成本,提高了工作效率。
优选的,该机械臂4进一步包括一配重块,用于使该轨道车3受到的总力矩为零以此提供稳定性并减少脱轨的可能性。
优选的,其中,该吸片机5包括:
一真空吸盘8,用于吸住该基片;
一真空泵15,用于为该真空吸盘8减压;及
一第三控制单元14,用于控制该真空泵15以完成吸片操作。
籍由上述之结构,该吸片机5可以用真空吸盘8进行取片操作,其具有吸力强,不易损伤基片表面的优点,且整个过程不需人为干预,降低了生产成本,提高了工作效率。
优选的,该真空吸盘8为橡胶材质,用于更好地贴合该基片。
通过上述实施例,本实用新型的目的已经被完全有效的达到了。熟悉该项技艺的人士应该明白本实用新型包括但不限于附图和上面具体实施方式中描述的内容。任何不偏离本实用新型的功能和结构原理的修改都将包括在权利要求书的范围中。

Claims (9)

1.一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,包括:
一储片匣,用于存放一基片;
一轨道,用于将该基片从该储片匣运送至一PECVD炉;
一轨道车,设置于该轨道并沿该轨道运动,其中,该轨道车往返于靠近该储片匣的一第一位置及靠近该PECVD炉的一第二位置之间;
一机械臂,固定于该轨道车,其中,该机械臂拥有一工作端;
一吸片机,固定于该工作端,用于吸片,其中,当该轨道车位于该第一位置时,该吸片机吸住该储片匣中的该基片,并通过该机械臂的运动将该基片取出,然后该轨道车向该PECVD炉移动并到达该第二位置,该机械臂运动并将该基片放入该PECVD炉中后,再将该基片推入一基片插座,之后,该吸片机停止吸片并通过该机械臂的运动离开该PECVD炉以此完成基片安装,最后,该轨道车向该储片匣移动并到达该第一位置重新吸片;及
一驱动单元,用于对该轨道车,该机械臂及该吸片机提供能量。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,该轨道进一步包括两个挡板,固定于该轨道的两端,用于防止该轨道车滑落。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,进一步包括一控制面板,用于手动启动和停止该等离子体气相沉积用半自动插片机。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,进一步包括一保护单元,用于在过载,短路,漏电和过热时使该等离子体气相沉积用半自动插片机停止工作。
5.根据权利要求1所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,该轨道车包括:
一车体;
复数个车轮,设置于该车体的一下部,其中,该车轮被该轨道限制以此沿该轨道滚动;
一第一电机,用于驱动该车轮;
一平台,固定于该车体的一上部,其中,该机械臂固定于该平台;
一距离传感器,固定于该车体上,用于测量该轨道车与该储片匣之间的一第一距离及与该PECVD炉之间的一第二距离;及
一第一控制单元,用于控制该第一电机,其中,当该第一距离小于一第一预设距离,或该第二距离小于一第二预设距离时,该第一控制单元使该第一电机停止工作,并当该机械臂及该吸片机完成工作时使该第一电机反向工作,以此使该轨道车从该第一位置移动至该第二位置,或从该第二位置移动至该第一位置。
6.根据权利要求5所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,该轨道车进一步包括刹车装置,固定于该车轮,用于使该轨道车快速停止。
7.根据权利要求1所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,该机械臂包括:
一升降臂,拥有一齿状边缘;
一第二电机,拥有一齿轮,其中,该齿轮与该齿状边缘啮合,以此通过该第二电机驱动该升降臂;
一支架,固定于该升降臂的一下部,其中,该支架拥有该工作端,用于固定该吸片机;
一定位传感器,设置于该升降臂,用于测定该升降臂的一位置信息;及
一第二控制单元,用于控制该第二电机,其中,当该位置信息与一预设位置信息相符合时,该第二控制单元使该第二电机停止工作,并当该吸片机完成工作时使该第二电机反向工作。
8.据权利要求7所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,该机械臂进一步包括一配重块,用于使该轨道车受到的总力矩为零以此提供稳定性并减少脱轨的可能性。
9.根据权利要求1所述的一种等离子体气相沉积用半自动插片机,其特征在于,该吸片机包括:
一真空吸盘,用于吸住该基片;
一真空泵,用于为该真空吸盘减压;及
一第三控制单元,用于控制该真空泵以完成吸片操作。
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C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
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Assignee: Nantong Johnson Photoelectric Technology Co., Ltd.

Assignor: Sha Yan|Sha Xiaolin

Contract record no.: 2015310000068

Denomination of utility model: Semiautomatic substrate inserting machine for plasma vapor deposition

Granted publication date: 20140521

License type: Exclusive License

Record date: 20150610

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20161229

Address after: 226400 Rudong Jiangsu Economic Development Zone, Rudong, Jialing River Road on the north side

Patentee after: Nantong Johnson Photoelectric Technology Co., Ltd.

Address before: 200050 Shanghai city Changning District East Ronghua Road No. 128 room 1704

Patentee before: Sha Yan

Patentee before: Sha Xiaolin

AV01 Patent right actively abandoned
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Granted publication date: 20140521

Effective date of abandoning: 20170405