CN203521380U

CN203521380U - 薄膜成型设备

Info

Publication number: CN203521380U
Application number: CN201320403533.5U
Authority: CN
Inventors: 邱建清; 陈赞仁
Original assignee: Contrel Semiconductor Technology Co Ltd
Current assignee: Contrel Technology Co Ltd; Contrel Semiconductor Technology Co Ltd
Priority date: 2013-07-08
Filing date: 2013-07-08
Publication date: 2014-04-02
Anticipated expiration: 2023-07-08

Abstract

本实用新型揭露一种薄膜成型设备，其包括一脱模机构及一承载机构。该脱模机构包括一压印平台及一脱模环。该压印平台具有多个气体通道，用以注入气体。该脱模环设于该压印平台上，且正对该气体通道。其中，该承载机构用以吸住一基板的顶面。其中，该基板的底面抵靠该脱模机构。在该数个气体通道被注入气体时，该脱模环、该基板及该承载机构相对该压印平台被顶起。如此，即可藉由该脱模环来达到使该基板与该压印平台分离的目的。

Description

薄膜成型设备

技术领域

本实用新型是与半导体制程设备有关，特别是指一种薄膜成型设备。

背景技术

中国台湾第M380228号新型专利揭露一种薄膜成型装置，其揭露一模框及一脱模完成装置，该模框用以承载一基板，该模框的底部具有多个孔洞，该脱膜完成装置用以对该模框的孔洞注入空气，以使该基板脱离该模框。

由于该脱膜完成装置注入的空气直接对该基板产生向上的力量，才使基板脱离该模框，所以，若注入的空气压力不均时，将使得该基板上的薄膜产生变形，甚至损坏。

发明内容

较佳地，该压印平台还具有一环槽及一挡片。该环槽接收该脱模环。其中，该脱模环的底部的内、外两侧面分别抵靠该环槽的两相对侧壁。该数个气体通道位于该环槽的底部，且连通该环槽。该挡片用以止挡该脱模环脱离该环槽。如此，该脱模环就不会脱离该脱模机构。

较佳地，该脱模环具有两弹性环。该两弹性环分别连接该脱模环的底部，且位于该脱模环的内、外两侧面，并抵紧该环槽的两相对侧壁，以避免该环槽内的气体外漏。

附图说明

图1绘示应用本实用新型的一较佳实施例的薄膜成型设备的立体图。

图2绘示图1中薄膜成型设备的爆炸图。

图3绘示图1中脱模机构的立体图。

图4绘示图3中脱模机构的爆炸示意图。

图5及图6分别绘示图3中脱模机构的A-A剖视示意图。

图7绘示图5中脱模机构的局部放大示意图。

图8绘示图6中脱模机构的局部放大示意图。

图9绘示图1的承载机构及晶圆的爆炸图。

图10绘示图1中的薄膜成型设备的示意图。

图11及图12绘示图1的B-B剖视示意图。

具体实施方式

如图1及2所示，薄膜成型设备10包括一脱模机构20及一承载机构(holder)30，该承载机构30用以吸住一晶圆(wafer)40，该脱模机构20用以压于该承载机构30上。

如图3及图4所示，该脱模机构20包括一压印平台(stage)22及一脱模环24。该压印平台22还具有一环槽222及一挡片224。该环槽222接收该脱模环24。该挡片224止挡该脱模环24脱离该环槽222。此外，该压印平台22还有由该环槽222界定出的一工作区221，该工作区221可以是一平面或特定图案构成的凹槽。

如图5所示，该压印平台22具有多个气体通道226，用以注入正压气体，每一气体通道226位于该环槽222的底部，且连通该环槽222。其中，正压气体由一供气装置(未绘示于图中)提供，在图5中，该供气装置系没有对该数个气体通道226注入正压气体，所以，该脱模环24的底部抵靠在该环槽的底部。需要注意的是，该脱模环24的底部的内、外两侧面分别抵靠该环槽222的两相对侧壁，以避免正压气体外漏。

特别地，请同时参照图4及图5，该脱模环24还有两弹性环246，该两弹性环246分别连接该脱模环24的底部，且位于该脱模环24的内、外两侧面，并抵紧该环槽222的两相对侧壁，该两弹性环246较佳地选用橡胶或具有弹性的塑胶制成。如此，就可利用该两弹性环246使该环槽222内的正压气体更均匀。然而，若该脱模环24的底部与该环槽222已经可以达到避免正压气体外漏的目的时，该两弹性环246也可以被省略不用。

如图6所示，该供气装置对该数个气体通道226注入正压气体，以使该环槽222内充满正压气体，来顶起该脱模环24。需要注意的是，当该脱模环24被正压气体顶起时，该挡片224挡住该脱模环24。于此实施例中，该脱模环24从图6的状态回复至图5的状态是利用该供气装置也可以提供负压气体，以使该脱模环24被向下吸，而快速回复至图5的状态。但实际上，也可以直接停止提供正压气体，而使该脱模环24自然落下。

如图7及图8所示，该挡片224的内缘位于该环槽222的内部。该脱模环24具有一凸部242及一气体槽道244。该凸部242位于该脱模环24的外侧面，该凸部242正对该挡片224的内缘。该气体槽道244形成于该脱模环24的底部，该气体槽道244的槽口正对该气体通道226。

由于，本实用新型的脱模机构20具有上述的结构，所以，当正压气体被注入该数个气体通道226内时，正压气体可均匀分布在该脱模环24的气体槽道244内，并向上顶起该脱模环24。

如图1及图9所示，该承载机构30具有一平面32及多个吸气通道34。该平面32供抵靠该晶圆40的顶面。该数个吸气通道34的开口形成于该平面32上，实际上，该数个气体通道34是以特定图案形成于该平面32上，但该特定图案不以图9所绘为限。其中，当该数个吸气通道34被内存在负压气体时，该晶圆40就会受到负压气体影响，而被吸住，以使该晶圆40的顶面完全抵靠在该承载机构30的平面32上。实际上，该数个吸气通道34连接一吸气装置(未绘示于图中)，该吸气装置用以对该数个吸气通道34吸气，以使该数个吸气通道34的开口对该晶圆40产生吸力。

由于，本实用新型的薄膜成型设备10具有上述的结构，所以，在脱模时，本实用新型的薄膜成型设备10可确保该晶圆40在脱模时能完整的取出，以提高产品良率。随后详述本实用新型的薄膜成型设备10的压合程序及脱模程序。该压合程序先于该脱模机构20上提供一胶液50，如图10及图11所示，将吸住该晶圆40的该承载机构30往下移动至使该晶圆40被压于该承载机构30及该脱模机构20之间，或将脱模机构20升起使该晶圆40被压合于该承载机构30及该脱模机构20之间，如此，该胶液50就会因为挤压而自然地扩散至该晶圆40的底面；然后，待该晶圆40上的胶液50固化(即该晶圆40上以形成薄膜)后，进行该脱模程序。需要注意的是，若该压印平台22的工作区221上有前述特定图案构成的凹槽，因此，该固化的胶液就会在该晶圆40的底部顺势形成该特定图案。

如图12所示，当该晶圆40上已形成薄膜后，该薄膜成型设备10就开始执行脱模程序，该脱模程序包括：首先，该数个气体通道226会被注入正压气体，以使该脱模环24顶住该晶圆40；接着，该脱模环24被往上推以顶起该晶圆40及该承载机构30，表示，该晶圆40及该承载机构30相对该压印平台22被顶起，此时，该晶圆40的底面脱离该压印平台22，而该晶圆40的顶面仍抵靠该承载机构30。最后，关掉对该承载机构30提供的负压气体，就可以取出形成有薄膜的该晶圆40。所以，利用本实用新型的脱模机构20来进行脱模，可确保整个脱模过程中该晶圆40是受到均匀的向上推挤，来避免脱模过程中，该晶圆40破裂而损坏。

然而，该挡片的主要目的是用来止挡该脱模环脱离该压印平台的环槽，所以，该挡片也可以利用其他的结构来达到这个目的，故不以此较佳实施例所绘为限。

此外，虽然本较佳实施例中基板是以晶圆为例来作说明，但实际上，该基板也可以是玻璃基板、或其他半导体基板，故，本实用新型的脱模成型设备不以晶圆应用为限。

Claims

1.一种薄膜成型设备，其特征在于，包括：

一脱模机构，包括一压印平台及一脱模环；该压印平台具有多个气体通道，用以注入气体；该脱模环设于该压印平台上，且正对该多个气体通道；及

一承载机构，用以吸住一基板的顶面；其中，该基板的底面抵靠该脱模机构，在该多个气体通道被注入气体时，该脱模环、该基板及该承载机构相对该压印平台被顶起。

2.根据权利要求1所述的薄膜成型设备，其特征在于，该承载装置还具有一环槽及一挡片，该环槽接收该脱模环，其中，该脱模环的底部的内、外两侧面分别抵靠该环槽的两相对侧壁，该多个气体通道位于该环槽的底部，且连通该环槽，该挡片用以止挡该脱模环脱离该环槽。

3.根据权利要求2所述的薄膜成型设备，其特征在于，该挡片的内缘位于该环槽的内部；该脱模环具有一凸部，该凸部位于该脱模环的外侧面，且正对该挡片的内缘。

4.根据权利要求3所述的薄膜成型设备，其特征在于，该脱模环还有一气体槽道，该气体槽道位于该脱模环的底部。

5.根据权利要求2所述的薄膜成型设备，其特征在于，该脱模环具有两弹性环，该两弹性环分别连接该脱模环的底部，且位于该脱模环的内、外两侧面，并抵紧该环槽的两相对侧壁。

6.根据权利要求1所述的薄膜成型设备，其特征在于，该承载机构具有一平面及至少一吸气通道，该平面用以抵靠该基板的顶面，该吸气通道的开口形成于该平面上。