CN203456444U - 一种二极管封装结构 - Google Patents

一种二极管封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN203456444U
CN203456444U CN201320536421.7U CN201320536421U CN203456444U CN 203456444 U CN203456444 U CN 203456444U CN 201320536421 U CN201320536421 U CN 201320536421U CN 203456444 U CN203456444 U CN 203456444U
Authority
CN
China
Prior art keywords
frame sheet
support bar
sheet
tablet
lattice framing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320536421.7U
Other languages
English (en)
Inventor
曾尚文
陈久元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Fumeida Microelectronic Co ltd
Original Assignee
SHENZHEN FUMEIDA HARDWARE Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHENZHEN FUMEIDA HARDWARE Co Ltd filed Critical SHENZHEN FUMEIDA HARDWARE Co Ltd
Priority to CN201320536421.7U priority Critical patent/CN203456444U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203456444U publication Critical patent/CN203456444U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种高密度大功率的二极管封装结构,包括上框片和下框片,上框片包括三个平行设置的上支撑条,位于外侧的上支撑条上设置有安装孔;垂直所述上支撑条设置的多个平行的支条,所述支条的下侧连接一组凸出的上料片;下框片包括三个平行设置的下支撑条,位于外侧的下支撑条上设置有与上支撑条上安装孔配合的孔;垂直所述下支撑条设置的多个平行的支条,所述支条的上侧连接一组凸出的下料片;所述上、下框片重叠安装固定,在所述上、下料片之间形成二极管的封装位置。本实用新型采用上下框片层叠组合,提高了料片成型的密度,节约了生产成本,还可通过划片机分离,大大提高了工作效率。

Description

一种二极管封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种二极管封装结构。
背景技术
随着微电子电路、表面安装技术(SMT)的采用和不断发展完善,轻、薄、小成为衡量电子整机产品的重要标志。而要使电子设备小型化,首先就要考虑电子元件的小型化。片式、小型化是电子元件近些年发展的主要方向,某种程度讲,片式化、小型化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一。
目前较常用的结构,如图1所示,引线框1中上下引脚11、12成对使用,每一小单元产品焊接在每个上下引脚11、12之间,该引线框1采用两排多列的结构,每四列为一个单元。缺点是:引线框中每一小单元产品的间距太大,不能采用划片机分离,只能用刀模一片片的划分,导致工作效率降低,且由于间距过大,浪费材料。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对上述现有技术存在的缺陷,提供一种二极管封装结构。
本实用新型采用的技术方案是,设计一种二极管封装结构,包括上框片和下框片,上框片包括三个平行设置的上支撑条,位于外侧的上支撑条上设置有安装孔;垂直所述上支撑条设置的多个平行的支条,所述支条的下侧连接一组凸出的上料片;下框片包括三个平行设置的下支撑条,位于外侧的下支撑条上设置有与上支撑条上安装孔配合的孔;垂直所述下支撑条设置的多个平行的支条,所述支条的上侧连接一组凸出的下料片;所述上、下框片重叠安装固定,在所述上、下料片之间形成二极管的封装位置。
在一实施例中,所述上框片的支条上侧设置有间隔开的V形撕裂口,所述下框片的支条下侧设置有间隔开的V形撕裂口。
所述上料片的中心向内形成圆形的焊锡凸点。
所述上、下支撑条上的安装孔部分为腰型孔。
与现有技术相比,本实用新型采用上下框片层叠组合,提高了料片成型的密度,实现了小体积大功率的突破,节约了生产成本,还可通过划片机分离,大大提高了工作效率。
附图说明
图1为现有技术的框片的结构示意图;
图2为本实用新型的框片的结构示意图;
图3为图2的左视示意图;
图4为图3中A部放大图
图5为图2中上框片的结构示意图;
图6为图5的左视示意图;
图7为图2中下框片的结构示意图;
图8为图7的左视示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对实用新型进行详细的说明。
如图2所示,本实用新型提供的二极管封装结构,包括:上框片101和下框片201,上框片101包括三个平行设置的上支撑条103,位于外侧的上支撑条103上设置有安装孔104;垂直上支撑条103设置的多个平行的支条100,支条100处于上支撑条103的水平面下方,支条100的下侧连接一组凸出的上料片102;下框片201包括三个平行设置的下支撑条203,位于外侧的下支撑条203上设置有与上支撑条103上安装孔104配合的孔;垂直下支撑条203设置的多个平行的支条100,支条100的上侧连接一组凸出的下料片202;上、下框片101、201重叠安装固定,在上、下料片102、202之间形成二极管的封装位置。
从图2至图6可以看出,上料片102和下料片202均折弯成Z 形,上框片101重叠在下框片201上,上料片102的Z 形底边与下料片202的Z 形底边水平对置,上料片102的Z 形顶边与下料片202的Z 形顶边平行并间隔有一定距离。上框片101中支条100处于上支撑条103水平面的下方,上框片101与下框片201的重叠安装固定后,上框片101中支条100与下框片201的下支撑条203处同一水平面。
作为一种改进,上框片101的支条100上侧设置有间隔开的V形撕裂口105,下框片201的支条100下侧设置有间隔开的V形撕裂口105。
作为一种改进,上料片的中心向内形成圆形的焊锡凸点106。
作为一种改进,上、下支撑条103、203上的安装孔104部分为腰型孔。
上框架101每排由三个上支撑条103分了两组,每组间隔排列十个上料片102,每个上料片102折弯成Z 形,上料片102的Z 形顶边中心向下伸出一个用于焊锡的焊锡凸点106。上料片102包括一个尺寸为1.2mmX1.2mm的Z 形顶边,上料片102的长度为2.55mm,弯折部的高度和宽度分别为0.82±0.03mm和0.76mm,上料片102的Z 形底边长度(即支条的长度)和宽度分别为0.8mm和2mm,上料片102的厚度为0.15mm。焊锡凸点106的直径和厚度分别为0.35mm和0.15mm。上框片101宽度为51.6mm,厚度为0.15mm。每排的上料片102之间间隔距离为4mm。
上框架101每排由三个下支撑条203分了两组,每组间隔排列十个下料片202,每个下料片202折弯成Z 形,下料片202的Z 形顶边中心向下伸出一个用于焊锡的焊锡凸点106。下料片202包括一个尺寸为1.3mmX1.3mm的Z 形顶边,下料片202的长度为2.3mm,弯折部的高度和宽度分别为0.33mm和0.76mm,下料片202的Z 形底边长度(即支条的长度)和宽度分别为0.8mm和2mm,下料片202的厚度为0.15mm。下框片201的宽度为51.6mm,厚度为0.15mm。每排的下料片202之间间隔距离为4mm。
上下框片101、201的厚度可适当减薄,封装的厚度为1.2mm,切割间距为0.2mm。
本实用新型采用上下框片层叠组合,提高了料片成型的密度,铜材使用量会显著降低,节约了生产成本,还可通过划片机分离,效率也会成倍增加。此产品采用更薄、更轻巧、节省空间的新型封装技术,高度仅为1.2mm,此类封装产品采用框片焊接式工艺,提供了高可靠性和电流容量大等特性;另外它低热阻低结温高抗浪涌设计,引线平贴器件底部,散热路径短,改进了用于硅芯片散热的片状引线框片的外形,抗正向浪涌能力强,实现了小体积大功率的突破。

Claims (4)

1.一种二极管封装结构,其特征在于:包括上框片(101)和下框片(201),上框片(101)包括三个平行设置的上支撑条(103),位于外侧的上支撑条(103)上设置有安装孔(104);垂直所述上支撑条(103)设置的多个平行的支条(100),所述支条(100)的下侧连接一组凸出的上料片(102);下框片(201)包括三个平行设置的下支撑条(203),位于外侧的下支撑条(203)上设置有与上支撑条(103)上安装孔(104)配合的孔;垂直所述下支撑条(203)设置的多个平行的支条(100),所述支条(100)的上侧连接一组凸出的下料片(202);所述上、下框片(101;201)重叠安装固定,在所述上、下料片(102;202)之间形成二极管的封装位置。
2.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于:所述上框片(101)的支条(100)上侧设置有间隔开的V形撕裂口(105),所述下框片(201)的支条(100)下侧设置有间隔开的V形撕裂口(105)。
3.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于:所述上料片的中心向内形成圆形的焊锡凸点(106)。
4.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于:所述上、下支撑条(103;203)上的安装孔(104)部分为腰型孔。
CN201320536421.7U 2013-08-30 2013-08-30 一种二极管封装结构 Expired - Lifetime CN203456444U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320536421.7U CN203456444U (zh) 2013-08-30 2013-08-30 一种二极管封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320536421.7U CN203456444U (zh) 2013-08-30 2013-08-30 一种二极管封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203456444U true CN203456444U (zh) 2014-02-26

Family

ID=50136301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320536421.7U Expired - Lifetime CN203456444U (zh) 2013-08-30 2013-08-30 一种二极管封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203456444U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105336721A (zh) * 2015-10-26 2016-02-17 杨海林 一种超薄形sod123fl封装二极管用料片

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105336721A (zh) * 2015-10-26 2016-02-17 杨海林 一种超薄形sod123fl封装二极管用料片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203850273U (zh) 半导体装置
CN114639749A (zh) 一种光伏组件及其封装方法
CN203456444U (zh) 一种二极管封装结构
CN103682019B (zh) 发光二极管及其制造方法
US20140291822A1 (en) Integrated circuit package
CN110137342A (zh) 一种大功率霍尔器件用引线框架、封装结构及其封装工艺
CN102842572A (zh) 一种小型双列式桥堆
JP2017034004A (ja) 太陽電池パネル、太陽電池モジュール、太陽電池パネルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法
CN210142649U (zh) 功率半导体器件的封装结构
CN203826369U (zh) 一种半导体引线框架
CN210429868U (zh) 一种微小型smd top led引线框架
CN203367269U (zh) 一种引线框架
CN202839586U (zh) 一种采用弹性装置的无外引脚扁平半导体封装结构
TW201034146A (en) Leadframe, assembly of leadframe and substrate and LED module
CN208796989U (zh) 超薄型贴片二极管用框架
CN102856307A (zh) 一种小型跳线式双列桥堆
CN202549841U (zh) 半导体模块
CN206225347U (zh) 一种组合式整流元件
TW200830496A (en) Substrate structure for semiconductor package and package method thereof
CN211700200U (zh) 一种半导体封装装置
CN205140952U (zh) 一种dfn2020-6l-b芯片框架
CN203456445U (zh) 一种小功率二极管封装片
CN205069621U (zh) 一种超薄高效abf整流桥
CN206595253U (zh) 一种sot23e引线框架
CN206806328U (zh) 一种sot883高密度框架

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SICHUAN FUMEIDA MICRO-ELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SHENZHEN FUMEIDA HARDWARE CO., LTD.

Effective date: 20150824

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150824

Address after: 629200 Hedong Road, Shehong Economic Development Zone, Sichuan, Suining, China, No. 88

Patentee after: SICHUAN FUMEIDA MICROELECTRONIC CO.,LTD.

Address before: 518000 Shenzhen Province, Baoan District manhole street, the streets of the Democratic Industrial Park, No. 2

Patentee before: SHENZHEN FUMEIDA HARDWARE Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140226