CN203390714U - 一种晶片研磨装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种晶片研磨装置，包括研磨上盘和晶片夹持装置，晶片夹持装置包括圆盘本体、齿部、圆形通孔及片孔，研磨上盘上镶嵌有晶片频率探头，晶片频率探头对准圆形通孔的中心，圆形通孔中放置有与晶片厚度相同的石英晶体片。晶片频率探头会自动检测石英晶体片的频率，当探得的频率达到系统设定值时，停止研磨，实现了边研磨边控制厚度的目的，不仅防止了晶片刮伤，提高了合格率，又提高了研磨速度。

Description

一种晶片研磨装置
技术领域
本实用新型涉及晶片加工机械行业，特别涉及一种晶片研磨装置。
背景技术
目前，在800万像素以上的智能手机中，以超薄红外吸收蓝玻璃为主流，蓝玻璃是一种晶片，其主要成分为磷酸盐，材料本身非常脆，其硬度只有莫氏4.20左右，比一般玻璃软近2/3。因蓝玻璃在研磨加工过程中无固定参数可循，因此，无法准确计算出研磨到成品厚度所需要的圈数、压力及时间，从而需要反复多次升起研磨盘进行测量厚度后，再重新进行研磨加工，容易造成晶片的多次损伤，导致晶片产生惊裂，刮伤，表面清洗不干净等品质问题，大幅降低了合格率。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种晶片研磨装置，以实现边研磨边控制厚度的目的，有效地提高研磨速度和研磨合格率。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
一种晶片研磨装置，包括研磨上盘和晶片夹持装置，所述晶片夹持装置包括圆盘本体、设置在圆盘本体边缘的一圈齿部、位于圆盘本体几何中心处的圆形通孔，及设置在圆盘本体上并环形阵列于至少一个同心圆上的片孔，所述同心圆与所述圆形通孔的圆心相同，所述研磨上盘上镶嵌有晶片频率探头，所述晶片频率探头对准所述圆形通孔的中心，所述圆形通孔中放置有与所述晶片厚度相同的石英晶体片。
优选的，所述同心圆设置有两个，位于每个所述同心圆上的片孔等距设置。
优选的，所述片孔为方形，所述片孔的四个角上设置有工艺孔。
通过上述技术方案，本实用新型提供的晶片研磨装置，石英晶体片的厚度根据成品晶片的厚度决定，并将该厚度对应的频率值输入系统，研磨上盘旋转时，晶片频率探头会自动检测石英晶体片的频率，当探得的频率达到系统设定值时，停止研磨，晶片研磨完成，无需反复多次升起研磨盘进行测量，实现了边研磨边控制厚度的目的，不仅防止了晶片刮伤，提高了合格率，又提高了研磨速度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本实用新型实施例所公开的一种晶片研磨装置的结构示意图；
图2为本实用新型实施例所公开的晶片夹持装置的结构示意图；
图3为本实用新型实施例所公开的方孔的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本实用新型提供了一种晶片研磨装置，如图1和2所示，包括研磨上盘10和晶片夹持装置，晶片夹持装置包括圆盘本体11、设置在圆盘本体11边缘的一圈齿部12、位于圆盘本体11几何中心处的圆形通孔13，及设置在圆盘本体11上并环形阵列于至少一个同心圆上的片孔14，同心圆与圆形通孔13的圆心相同。
其中，齿部12为标准齿，与研磨机上相对应的齿啮合，实现旋转。同心圆设置有两个，位于每个同心圆上的片孔14等距设置。片孔14为方形，片孔14的四个角上设置有工艺孔141(参见图3)。研磨上盘10上镶嵌有晶片频率探头15，晶片频率探头15对准圆形通孔13的中心，圆形通孔13中放置有与晶片厚度相同的石英晶体片16。
石英晶体片16的厚度根据成品晶片的厚度决定，并将该厚度对应的频率值输入系统，研磨上盘10旋转时，晶片频率探头15会自动检测石英晶体片16的频率，当探得的频率达到系统设定值时，停止研磨，晶片研磨完成，无需反复多次升起研磨盘进行测量，实现了边研磨边控制厚度的目的，不仅防止了晶片刮伤，提高了合格率，又提高了研磨速度。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (3)

1.一种晶片研磨装置，包括研磨上盘和晶片夹持装置，所述晶片夹持装置包括圆盘本体、设置在圆盘本体边缘的一圈齿部、位于圆盘本体几何中心处的圆形通孔，及设置在圆盘本体上并环形阵列于至少一个同心圆上的片孔，所述同心圆与所述圆形通孔的圆心相同，其特征在于，所述研磨上盘上镶嵌有晶片频率探头，所述晶片频率探头对准所述圆形通孔的中心，所述圆形通孔中放置有与所述晶片厚度相同的石英晶体片。
2.根据权利要求1所述的一种晶片研磨装置，其特征在于，所述同心圆设置有两个，位于每个所述同心圆上的片孔等距设置。
3.根据权利要求1或2所述的一种晶片研磨装置，其特征在于，所述片孔为方形，所述片孔的四个角上设置有工艺孔。
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