CN203278755U - 封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片 - Google Patents
封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203278755U CN203278755U CN 201320326425 CN201320326425U CN203278755U CN 203278755 U CN203278755 U CN 203278755U CN 201320326425 CN201320326425 CN 201320326425 CN 201320326425 U CN201320326425 U CN 201320326425U CN 203278755 U CN203278755 U CN 203278755U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- amplification unit
- chip
- power amplification
- resistance
- rear class
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片,其包括有外部封装和封装于所述外部封装内的至少两颗音频功率放大电路晶片。所述至少两颗音频功率放大电路晶片包括第一音频功率放大电路晶片和第二音频功率放大电路晶片,第一音频功率放大电路晶片的多个焊垫与该芯片的部分外部引脚相连,第二音频功率放大电路晶片的多个焊垫与该芯片的部分外部引脚相连。这样在2.1声道或更高声道的应用中只需要采用一颗音频功率放大芯片就能够实现,从而减小了所占用的印刷电路板的面积,从而降低了成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成封装领域,尤其涉及一种封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片。
背景技术
图1示出了现有的一种音频功率放大电路芯片的内部结构简要框图,图2为图1所示的音频功率放大电路芯片的部分封装过程示意图,图3(a)-(b)为图1中的音频功率放大电路芯片的外形结构图。
如图1所示,所述音频功率放大电路芯片包括第一前级功率放大单元11、第一后级功率放大单元12、第二前级功率放大单元21、第二后级功率放大单元22、启动电路、去耦电路、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R21和电阻R22。
第一前级功率放大单元11的正相输入端与该音频功率放大电路芯片的第一输入引脚10相连,其反相输入端通过所述电阻R12与该音频功率放大电路芯片的第一反馈引脚11相连。该第一前级功率放大单元11的输出端与第一后级功率放大单元12的输入端相连,第一后级功率放大单元12的输出端与该音频功率放大电路芯片的第一输出引脚15相连。在第一前级功率放大单元11的反相输入端和第一后级功率放大单元12的输出端之间还连接有电阻R11。在第一后级功率放大单元12的输出端和地之间依次串联有电阻R13和电阻R14,电阻R13和电阻R14的中间节点与该音频功率放大电路芯片的BTL(Bridge Tiedload,桥接式负载)辅助输出引脚1相连。
第二前级功率放大单元21的正相输入端与该音频功率放大电路芯片的第二输入引脚7相连,其反相输入端通过所述电阻R22与该音频功率放大电路芯片的第二反馈引脚6相连。该第二前级功率放大单元21的输出端与第二后级功率放大单元22的输入端相连,第二后级功率放大单元22的输出端与该音频功率放大电路芯片的第二输出引脚2相连。在第二前级功率放大单元21的反相输入端和第二后级功率放大单元22的输出端之间还连接有电阻R21。
第一后级功率放大单元12和第二后级功率放大单元22的电源端互相连接后与该音频功率放大电路芯片的电源引脚16相连。第一前级功率放大单元11和第二前级功率放大单元12的电源端互相连接后与该音频功率放大电路芯片的纹波抑制引脚8相连,同时通过去耦电路与该音频功率放大电路芯片的电源引脚16相连。所述启动电路的一端与该音频功率放大电路芯片的纹波抑制引脚8相连。
第一后级功率放大单元12的一个连接端与该音频功率放大电路芯片的第一自举引脚14相连,第二后级功率放大单元22的一个连接端与该音频功率放大电路芯片的第二自举引脚3相连。该音频功率放大电路芯片还具有接地引脚9、12、13、4和5。
该音频功率放大电路芯片采用DIP16(Dual in-line Package16)封装形式,引脚功能如下:
引脚 | 符号 | 功能 | 引脚 | 符号 | 功能 |
1 | BRIDGE | BTL辅助输出 | 9 | GNDS | 前置地 |
2 | OUT2 | 第二输出 | 10 | IN1 | 第一同相输入 |
3 | BS2 | 第二自举 | 11 | FB1 | 第一反馈 |
4 | GND2 | 第二输出地 | 12 | GND1 | 第一输出地 |
5 | GND2 | 第二输出地 | 13 | GND1 | 第一输出地 |
6 | FB2 | 第二反馈 | 14 | BS1 | 第一自举 |
7 | IN2 | 第二同相输入 | 15 | OUT1 | 第一输出 |
8 | R.R | 纹波抑制 | 16 | VCC | 电源 |
请参考图2所示,在封装时,将一个音频功率放大电路晶片210放置于引线框220上,之后通过利用超细的金属(金锡铜铝)导线将晶片210上的焊垫与所述引线框220上的内引脚相连,随后进行后续封装步骤得到音频功率放大电路芯片。
请参看图3(a)、(b)所示,采用DIP16封装后的音频功率放大电路芯片的长约19.75mm,上部最宽约7.62mm,下部最宽约8.6mm。
图4示出了图1所示的音频功率放大电路芯片的BTL应用示意图,图5示出了图1所示的音频功率放大电路芯片的立体声应用示意图。有关具体的应用电路,请参阅各个图,这里就不在详细描述了。
目前,在2.1声道功放的应用中,一般都采用两块音频功放电路芯片来实现,其中一块采用立体声SE输出模式,另一块采用单声道BTL输出模式。这样,两块音频功放电路芯片将占用印刷电路板上很大的面积,并且该电路的外围焊接复杂,外围元器件多,外围设计复杂,从而增加了成本。
因此,有必要提出一种改进的方案来克服上述问题。
实用新型内容
针对现有技术中存在的问题,本实用新型提出来一种音频功率放大芯片,其内封装有多颗单独的音频功率放大电路晶片,这样在2.1声道或更高声道的应用中只需要采用一颗音频功率放大芯片就能够实现,从而减小了所占用的印刷电路板的面积,从而降低了成本。
根据本实用新型的一个方面,本实用新型提出一种封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片,其特征在于,其包括有外部封装和封装于所述外部封装内的至少两颗音频功率放大电路晶片。
作为本实用新型的一个优选的实施例,所述至少两颗音频功率放大电路晶片包括第一音频功率放大电路晶片和第二音频功率放大电路晶片,第一音频功率放大电路晶片的多个焊垫与该芯片的部分外部引脚相连,第二音频功率放大电路晶片的多个焊垫与该芯片的部分外部引脚相连。
作为本实用新型的一个优选的实施例,第一音频功率放大电路晶片包括第一前级功率放大单元、第一后级功率放大单元、第二前级功率放大单元、第二后级功率放大单元、第一启动电路、第一去耦电路、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R21和电阻R22。
作为本实用新型的一个优选的实施例,第一前级功率放大单元的正相输入端与该芯片的第一输入引脚相连,其反相输入端通过所述电阻R12与该芯片的第一反馈引脚相连,该第一前级功率放大单元的输出端与第一后级功率放大单元的输入端相连,第一后级功率放大单元的输出端与该芯片的第一输出引脚相连,在第一前级功率放大单元的反相输入端和第一后级功率放大单元的输出端之间还连接有电阻R11,在第一后级功率放大单元的输出端和地之间依次串联有电阻R13和电阻R14,电阻R13和电阻R14的中间节点与该芯片的第一BTL辅助输出引脚相连,第二前级功率放大单元的正相输入端与该芯片的第二输入引脚相连,其反相输入端通过所述电阻R22与该芯片的第二反馈引脚相连,该第二前级功率放大单元的输出端与第二后级功率放大单元的输入端相连,第二后级功率放大单元的输出端与该芯片的第二输出引脚相连,在第二前级功率放大单元的反相输入端和第二后级功率放大单元的输出端之间还连接有电阻R21,第一后级功率放大单元和第二后级功率放大单元的电源端互相连接后与该芯片的电源引脚相连,第一前级功率放大单元和第二前级功率放大单元的电源端互相连接后与该芯片的第一纹波抑制引脚相连,同时通过第一去耦电路与该芯片的电源引脚相连,所述第一启动电路的一端与该芯片的第一纹波抑制引脚相连,第一后级功率放大单元的一个连接端与该芯片的第一自举引脚相连,第二后级功率放大单元的一个连接端与该芯片的第二自举引脚相连。
作为本实用新型的一个优选的实施例,第二音频功率放大电路晶片包括第三前级功率放大单元、第三后级功率放大单元、第四前级功率放大单元、第四后级功率放大单元、第二启动电路、第二去耦电路、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R41和电阻R42,
作为本实用新型的一个优选的实施例,第三前级功率放大单元的正相输入端与该芯片的第三输入引脚相连,其反相输入端通过所述电阻R32与该芯片的第三反馈引脚相连,该第三前级功率放大单元的输出端与第三后级功率放大单元的输入端相连,第三后级功率放大单元的输出端与该芯片的第三输出引脚相连,在第三前级功率放大单元的反相输入端和第三后级功率放大单元的输出端之间还连接有电阻R31,在第三后级功率放大单元的输出端和地之间依次串联有电阻R33和电阻R34,电阻R33和电阻R34的中间节点与该芯片的第二BTL辅助输出引脚相连,第四前级功率放大单元的正相输入端与该芯片的第四输入引脚相连,其反相输入端通过所述电阻R42与该芯片的第四反馈引脚相连,该第四前级功率放大单元的输出端与第四后级功率放大单元的输入端相连,第四后级功率放大单元的输出端与该芯片的第四输出引脚相连,在第四前级功率放大单元的反相输入端和第四后级功率放大单元的输出端之间还连接有电阻R41,第三后级功率放大单元和第四后级功率放大单元的电源端互相连接后与该芯片的电源引脚相连,第三前级功率放大单元和第四前级功率放大单元的电源端互相连接后与该芯片的第二纹波抑制引脚相连,同时通过第二去耦电路与该芯片的电源引脚相连,所述第二启动电路的一端与该芯片的纹波抑制引脚相连,第三后级功率放大单元的一个连接端与该芯片的第三自举引脚相连,第四后级功率放大单元的一个连接端与该芯片的第四自举引脚相连。
作为本实用新型的一个优选的实施例,该芯片还具有与第二音频功率放大电路晶片连接的接地引脚,该芯片还具有与第一音频功率放大电路晶片连接的接地引脚。
作为本实用新型的一个优选的实施例,该芯片采用HSOP28的封装形式。
与现有技术相比,本实用新型中的音频功率放大芯片,其内封装有多颗单独的音频功率放大电路晶片,这样在2.1声道或更高声道的应用中只需要采用一颗音频功率放大芯片就能够实现,从而减小了所占用的印刷电路板的面积,从而降低了成本。
附图说明
图1示出了现有的一种音频功率放大电路芯片的内部结构简要框图;
图2为图1所示的音频功率放大电路芯片的部分封装过程示意图;
图3(a)-(b)为图1中的音频功率放大电路芯片的外形结构图;
图4示出了图1所示的音频功率放大电路芯片的BTL应用示意图;
图5示出了图1所示的音频功率放大电路芯片的立体声应用示意图;
图6示出了本实用新型的音频功率放大芯片的内部结构简要框图;
图7为图6所示的音频功率放大芯片的部分封装过程示意图;
图8(a)-(b)为图6中的音频功率放大芯片的外形结构图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做详细说明。
本实用新型提出来一种音频功率放大芯片,其内封装有多颗单独的音频功率放大电路晶片,这样在2.1声道或更高声道的应用中只需要采用一颗音频功率放大芯片就能够实现,从而减小了所占用的印刷电路板的面积,从而降低了成本。
图6示出了本实用新型的音频功率放大芯片的内部结构简要框图。图7为图6所示的音频功率放大芯片的部分封装过程示意图。图8(a)-(b)为图6中的音频功率放大芯片的外形结构图。所述音频功率放大芯片包括有外部封装(图8中的640)、以及封装于所述外部封装内的第一音频功率放大电路晶片610和第二音频功率放大电路620。该两个音频功率放大电路晶片封装于同一个封装内,从而形成同一个音频功率放大芯片。
第一音频功率放大电路晶片包括第一前级功率放大单元11、第一后级功率放大单元12、第二前级功率放大单元21、第二后级功率放大单元22、第一启动电路、第一去耦电路、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R21和电阻R22。
第一前级功率放大单元11的正相输入端与该音频功率放大芯片的第一输入引脚13相连,其反相输入端通过所述电阻R12与该音频功率放大芯片的第一反馈引脚14相连。该第一前级功率放大单元11的输出端与第一后级功率放大单元12的输入端相连,第一后级功率放大单元12的输出端与该音频功率放大芯片的第一输出引脚2相连。在第一前级功率放大单元11的反相输入端和第一后级功率放大单元12的输出端之间还连接有电阻R11。在第一后级功率放大单元12的输出端和地之间依次串联有电阻R13和电阻R14,电阻R13和电阻R14的中间节点与该音频功率放大芯片的第一BTL(Bridge Tied load,桥接式负载)辅助输出引脚5相连。
第二前级功率放大单元21的正相输入端与该音频功率放大芯片的第二输入引脚10相连,其反相输入端通过所述电阻R22与该音频功率放大芯片的第二反馈引脚8相连。该第二前级功率放大单元21的输出端与第二后级功率放大单元22的输入端相连,第二后级功率放大单元22的输出端与该音频功率放大芯片的第二输出引脚6相连。在第二前级功率放大单元21的反相输入端和第二后级功率放大单元22的输出端之间还连接有电阻R21。
第一后级功率放大单元12和第二后级功率放大单元22的电源端互相连接后与该音频功率放大芯片的电源引脚3、4相连。第一前级功率放大单元11和第二前级功率放大单元12的电源端互相连接后与该音频功率放大芯片的第一纹波抑制引脚11相连,同时通过第一去耦电路与该音频功率放大芯片的电源引脚3和4相连。所述第一启动电路的一端与该音频功率放大芯片的第一纹波抑制引脚11相连。
第一后级功率放大单元12的一个连接端与该音频功率放大芯片的第一自举引脚1相连,第二后级功率放大单元22的一个连接端与该音频功率放大芯片的第二自举引脚7相连。该音频功率放大芯片还具有与第一音频功率放大电路晶片连接的接地引脚9和12。
第二音频功率放大电路晶片包括第三前级功率放大单元31、第三后级功率放大单元32、第四前级功率放大单元41、第四后级功率放大单元42、第二启动电路、第二去耦电路、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R41和电阻R42。
第三前级功率放大单元31的正相输入端与该音频功率放大芯片的第三输入引脚19相连,其反相输入端通过所述电阻R32与该音频功率放大芯片的第三反馈引脚21相连。该第三前级功率放大单元31的输出端与第三后级功率放大单元32的输入端相连,第三后级功率放大单元32的输出端与该音频功率放大芯片的第三输出引脚23相连。在第三前级功率放大单元31的反相输入端和第三后级功率放大单元32的输出端之间还连接有电阻R31。在第三后级功率放大单元32的输出端和地之间依次串联有电阻R33和电阻R34,电阻R33和电阻R34的中间节点与该音频功率放大芯片的第二BTL(Bridge Tied load,桥接式负载)辅助输出引脚26相连。
第四前级功率放大单元41的正相输入端与该音频功率放大芯片的第四输入引脚16相连,其反相输入端通过所述电阻R42与该音频功率放大芯片的第四反馈引脚15相连。该第四前级功率放大单元41的输出端与第四后级功率放大单元42的输入端相连,第四后级功率放大单元42的输出端与该音频功率放大芯片的第四输出引脚27相连。在第四前级功率放大单元41的反相输入端和第四后级功率放大单元42的输出端之间还连接有电阻R41。
第三后级功率放大单元32和第四后级功率放大单元42的电源端互相连接后与该音频功率放大芯片的电源引脚24、25相连。第三前级功率放大单元31和第四前级功率放大单元42的电源端互相连接后与该音频功率放大芯片的第二纹波抑制引脚17相连,同时通过去第二耦电路与该音频功率放大芯片的电源引脚24和25相连。所述第二启动电路的一端与该音频功率放大芯片的第二纹波抑制引脚17相连。
第三后级功率放大单元32的一个连接端与该音频功率放大芯片的第三自举引脚22相连,第四后级功率放大单元42的一个连接端与该音频功率放大芯片的第四自举引脚28相连。该音频功率放大芯片还具有与第二音频功率放大电路晶片连接的接地引脚18和20。
请参考图7所示,在封装时,将两个音频功率放大晶片610和620放置于引线框630上,之后通过利用超细的金属(金锡铜铝)导线分别将晶片610和620上的多个焊垫与所述引线框630上的多跟内引脚相连,随后进行后续封装步骤得到本发明中的音频功率放大芯片。
请参看图8(a)、(b)所示,采用HSOP28(具有带散热器的SOP,其中SOP为small outline package)封装后的音频功率放大芯片的长约18.5mm,宽约9.9mm,厚约2.2mm。可见,其整体尺寸较图3中的音频功率放大电路芯片差不多,但是其内确包含有两个音频功率放大电路晶片。
本发明中的采用HSOP28封装的引脚功能如下:
本发明通过将两块音频功率放大电路晶片组装在一个集成芯片中,采用HSOP28的封装形式,降低了达到提高组装效率、减少外围焊接,简化整机印刷电路板(PCB)设计、简化外围应用的目的。
在2.1声道功放应用采用本发明的音频功率放大芯片,只需要一颗就能够实现,简化了PCB版的设计;集成封装方案的电路占用PCB版面积不到原来使用两块音频功放电路芯片占用PCB版面积的1/2,提高了PCB版的利用率。此外,总体的电路引脚也减少,降低外围器件的焊接成本;简化了外围应用,电路用量减少提高了效率,降低了消耗。
当然,还可以在一个音频功率放大芯片中封装3个,4个或者更多个音频功率放大电路晶片,这样在比如3.1声道,4.1声道的应用中,只需要一颗芯片就能够实现,这样也能起到类似的效果。
此外,在其他实施例中,也可以采用其他封装形式替代HSOP28封装,同样也可以达到降低封装尺寸的效果。
虽然通过实施例描述了本实用新型,本领域普通技术人员知道,本实用新型有许多变形和变化而不脱离本实用新型的精神,希望所附的权利要求包括这些变形和变化而不脱离本实用新型的精神。
Claims (8)
1.一种封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片,其特征在于,其包括有外部封装和封装于所述外部封装内的至少两颗音频功率放大电路晶片。
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述至少两颗音频功率放大电路晶片包括第一音频功率放大电路晶片和第二音频功率放大电路晶片,第一音频功率放大电路晶片的多个焊垫与该芯片的部分外部引脚相连,第二音频功率放大电路晶片的多个焊垫与该芯片的部分外部引脚相连。
3.根据权利要求2所述的芯片,其特征在于,第一音频功率放大电路晶片包括第一前级功率放大单元、第一后级功率放大单元、第二前级功率放大单元、第二后级功率放大单元、第一启动电路、第一去耦电路、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R21和电阻R22。
4.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于,第一前级功率放大单元的正相输入端与该芯片的第一输入引脚相连,其反相输入端通过所述电阻R12与该芯片的第一反馈引脚相连,
该第一前级功率放大单元的输出端与第一后级功率放大单元的输入端相连,第一后级功率放大单元的输出端与该芯片的第一输出引脚相连,
在第一前级功率放大单元的反相输入端和第一后级功率放大单元的输出端之间还连接有电阻R11,
在第一后级功率放大单元的输出端和地之间依次串联有电阻R13和电阻R14,电阻R13和电阻R14的中间节点与该芯片的第一BTL辅助输出引脚相连,
第二前级功率放大单元的正相输入端与该芯片的第二输入引脚相连,其反相输入端通过所述电阻R22与该芯片的第二反馈引脚相连,
该第二前级功率放大单元的输出端与第二后级功率放大单元的输入端相连,第二后级功率放大单元的输出端与该芯片的第二输出引脚相连,在第二前级功率放大单元的反相输入端和第二后级功率放大单元的输出端之间还连接有电阻R21,
第一后级功率放大单元和第二后级功率放大单元的电源端互相连接后与该芯片的电源引脚相连,第一前级功率放大单元和第二前级功率放大单元的电源端互相连接后与该芯片的第一纹波抑制引脚相连,同时通过第一去耦电路与该芯片的电源引脚相连,所述第一启动电路的一端与该芯片的第一纹波抑制引脚相连,
第一后级功率放大单元的一个连接端与该芯片的第一自举引脚相连,第二后级功率放大单元的一个连接端与该芯片的第二自举引脚相连。
5.根据权利要求2所述的芯片,其特征在于,第二音频功率放大电路晶片包括第三前级功率放大单元、第三后级功率放大单元、第四前级功率放大单元、第四后级功率放大单元、第二启动电路、第二去耦电路、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R41和电阻R42。
6.根据权利要求5所述的芯片,其特征在于,
第三前级功率放大单元的正相输入端与该芯片的第三输入引脚相连,其反相输入端通过所述电阻R32与该芯片的第三反馈引脚相连,
该第三前级功率放大单元的输出端与第三后级功率放大单元的输入端相连,第三后级功率放大单元的输出端与该芯片的第三输出引脚相连,
在第三前级功率放大单元的反相输入端和第三后级功率放大单元的输出端之间还连接有电阻R31,在第三后级功率放大单元的输出端和地之间依次串联有电阻R33和电阻R34,电阻R33和电阻R34的中间节点与该芯片的第二BTL辅助输出引脚相连,
第四前级功率放大单元的正相输入端与该芯片的第四输入引脚相连,其反相输入端通过所述电阻R42与该芯片的第四反馈引脚相连,
该第四前级功率放大单元的输出端与第四后级功率放大单元的输入端相连,第四后级功率放大单元的输出端与该芯片的第四输出引脚相连,在第四前级功率放大单元的反相输入端和第四后级功率放大单元的输出端之间还连接有电阻R41,
第三后级功率放大单元和第四后级功率放大单元的电源端互相连接后与该芯片的电源引脚相连,第三前级功率放大单元和第四前级功率放大单元的电源端互相连接后与该芯片的第二纹波抑制引脚相连,同时通过第二去耦电路与该芯片的电源引脚相连,所述第二启动电路的一端与该芯片的纹波抑制引脚相连,
第三后级功率放大单元的一个连接端与该芯片的第三自举引脚相连,第四后级功率放大单元的一个连接端与该芯片的第四自举引脚相连。
7.根据权利要求4或6所述的芯片,其特征在于,该芯片还具有与第二音频功率放大电路晶片连接的接地引脚,该芯片还具有与第一音频功率放大电路晶片连接的接地引脚。
8.根据权利要求1-6任一所述的芯片,其特征在于,其采用HSOP28的封装形式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201320326425 CN203278755U (zh) | 2013-06-04 | 2013-06-04 | 封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201320326425 CN203278755U (zh) | 2013-06-04 | 2013-06-04 | 封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203278755U true CN203278755U (zh) | 2013-11-06 |
Family
ID=49509077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201320326425 Expired - Lifetime CN203278755U (zh) | 2013-06-04 | 2013-06-04 | 封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203278755U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105139887A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-09 | 苏州宏展信息科技有限公司 | 一种基于音频处理电路的录音笔 |
-
2013
- 2013-06-04 CN CN 201320326425 patent/CN203278755U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105139887A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-09 | 苏州宏展信息科技有限公司 | 一种基于音频处理电路的录音笔 |
CN105139887B (zh) * | 2015-07-28 | 2018-01-19 | 苏州宏展信息科技有限公司 | 一种基于音频处理电路的录音笔 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101374463B1 (ko) | 내장-다이 코어리스 기판들을 이용한 패키지형 시스템 및 그것을 형성하는 프로세스 | |
US9117790B2 (en) | Methods and arrangements relating to semiconductor packages including multi-memory dies | |
CN104716107B (zh) | 具有用于减小电磁耦合的隔离墙的半导体封装 | |
US10741536B2 (en) | Magnetic small footprint inductor array module for on-package voltage regulator | |
US10861839B2 (en) | Dynamic random access memory (DRAM) mounts | |
US20080237645A1 (en) | Semiconductor device | |
CN203278755U (zh) | 封装有多个音频功率放大电路晶片的芯片 | |
JP5543094B2 (ja) | 低ノイズ半導体パッケージ | |
CN101697344B (zh) | 一种降低芯片电源焊盘键合引线上电流的方法 | |
CN201946589U (zh) | 一种改进的引线框架 | |
US20050253259A1 (en) | Integrated circuit packaging method and structure for redistributing configuration thereof | |
CN103123918B (zh) | 一种射频半导体器件 | |
CN205319143U (zh) | 一种封装有多个音频功率放大芯片的电路结构 | |
CN202749368U (zh) | 收录机前置功放电路封装结构 | |
CN207818559U (zh) | 无地引脚d类功放集成电路的贴片封装结构 | |
US20110037148A1 (en) | Package-level integrated circuit connection without top metal pads or bonding wire | |
US20090085229A1 (en) | Audio power amplifier package | |
CN212785273U (zh) | 功率放大器的封装结构及电路器件 | |
KR101362713B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
CN109729486B (zh) | 提高音频功放输出功率的封装结构、封装方法及接线结构 | |
CN107634055B (zh) | 静电释放保护架构 | |
CN203300629U (zh) | 一种音频功率放大电路的封装结构 | |
CN201397815Y (zh) | 一种半导体结构 | |
TWI485824B (zh) | 封裝結構 | |
JP5288783B2 (ja) | ボンディングパッド配置方法、半導体チップ及びシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 214135 -6, Linghu Avenue, Wuxi Taihu international science and Technology Park, Wuxi, Jiangsu, China, 180 Patentee after: China Resources micro integrated circuit (Wuxi) Co.,Ltd. Address before: No.180-22, Linghu Avenue, Taihu International Science and Technology Park, Wuxi, Jiangsu, 214135 Patentee before: WUXI CHINA RESOURCES SEMICO Co.,Ltd. |
|
CP03 | Change of name, title or address | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20131106 |
|
CX01 | Expiry of patent term |