CN203232868U - 智能功率模块 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开一种智能功率模块，该智能功率模块包括一树脂支架、铝基板和玻纤板，铝基板和玻纤板位于同一平面内平行排布；铝基板上形成有绝缘层、功率电路布线层和功率器件；玻纤板上形成有控制电路布线层和控制器件；通过密封树脂进行封装。本实用新型的承载功率器件的铝基板和承载控制器件的玻纤板平行排布，在智能功率模块工作时，功率器件发出的热量对控制器件的影响大幅减小，完全避免了因温度过高引起的控制信号紊乱，有效保证了智能功率模块的正常工作。

Description

智能功率模块
技术领域
本实用新型涉及电子元件制造领域，特别涉及一种智能功率模块。
背景技术
智能功率模块，即IPM（Intelligent Power Module），是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。对于特定用途的智能功率模块，还会集成MCU，MCU发出控制信号，使智能功率模块的功率元件驱动后续电路工作，另一方面将系统的状态检测信号送回MCU。与传统分立的方案相比，智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种理想电力电子器件。对于用于变频空调中的智能功率模块，变频驱动算法已经基本固化，为了节省体积、提高抗干扰能力、减轻外围电控版设计工作量，会将MCU集成到智能功率模块中。
参照图1至图3，图1为现有技术中智能功率模块的结构示意图；图2为现有技术中智能功率模块的剖面结构示意图；图3为现有技术中智能功率模块去除树脂材料后的内部结构示意图。传统的智能功率模块100具有如下结构，其包括：树脂支架199；第一电路基板106；在设于所述第一电路基板106表面上的绝缘层107上形成的第一电路布线108，所述第一电路布线108的材料一般为铜；被固定在所述第一电路布线108上的功率器件104；连接功率器件104和所述第一电路布线108的金属线105；与所述第一电路布线108连接的引脚101；将所述功率器件104和所述金属线105覆盖但至少露出引脚101的一部分的绝缘胶体190；第二电路基板206；设置在所述第二电路基板206上的第二电路布线208，所述第二电路布线208的材料一般为铜；被固定在所述第二电路布线208上的控制器件204；所述引脚101与所述第二电路布线208的一部分连接。将所述智能功率模块100的整体被密封树脂102密封，密封的方法有使用热塑性树脂的注入模模制和使用热硬性树脂的传递模模制。一般会将第一电路基板106的背面密封，也可使用所述第一电路基板106的背面露出到外部的状态下进行密封。
因为智能功率模块100一般使用在驱动风机、压缩机等场合，智能功率模块100工作时发热比较严重，虽然第一电路基板106一般为铝金属基板，有一定散热作用，而且智能功率模块100一般都会使所述功率器件104所在的所述第一电路基板106的背面紧贴大的散热板进行使用，但热量还是会向所述第二电路基板206散发，植入热电偶的实测表明，实际工作中，所述功率器件104上表面与所述第二电路基板206背面几乎达到相同的温度，所以所述控制器件204会工作在高温下，如MCU等控制器件的理想工作温度一般不超过85℃，但如IGBT等功率器件一般的工作温度是100℃以上，所以，现行的集成MCU的智能功率模块100因为控制器件的工作温度过高经常发生故障，出现控制信号紊乱等现象，控制信号的出错很容易导致智能功率模块100上下桥臂同时导通，引起短路现象，轻则使智能功率模块100烧毁，重则使整个变频空调的电控板烧毁，如果空调的电控板烧毁，因为空调工作时电控板所处的环境温度很高，有造成火灾的安全隐患，所以，控制信号的出错是非常危险的一种失效现象。如果通过在MCU所处位置增加散热风扇等形式降低MCU温度，或者使用100℃下也能正常工作的MCU，又增加了成本，所以，集成MCU的智能功率模块100虽然有大幅降低外围电控设计难度，提高产品一致性等诸多优点，但都未能得到广泛的使用。
在智能功率模块100的制造方法上，因为第一电路基板106和第二电路基板206上下层叠，所以首先要通过包裹绝缘胶体190的工序将位于下部的第一电路基板106的金属线105、功率器件104等容易被压损坏的部分包裹，再使所述引脚101从第一电路基板106穿通第二电路基板206，绝缘胶体190的表面需要尽量平整才能保证第一电路基板106和第二电路基板206的平行层叠，并且通过引脚101穿通需要精确对位，这都对制造工艺提出了非常高的要求，需要使用昂贵的注胶设备配合特殊的成型工艺才能实现绝缘胶体190表面的平整，需要使用昂贵的位置识别设备和焊接设备，才能实现将第二电路基板206通过引脚101装配在第一电路基板106上。这无疑增加了智能功率模块100的制造成本，降低了智能功率模块100的制造合格率，增加了智能功率模块100量产的难度。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种智能功率模块，旨在集成MCU等控制器件的同时，不增加成本就使MCU等控制器件工作在低温度下，大幅提高智能功率模块的高温可靠性，有效保证集成MCU的智能功率模块在各种工况下都能正常工作，使集成MCU的智能功率模块的广泛应用成为可能。
本实用新型提出一种智能功率模块，包括一树脂支架和设置在该树脂支架表面的铝基板和玻纤板，所述铝基板和玻纤板位于同一平面内平行排布；
所述铝基板上形成有绝缘层，该绝缘层上形成有功率电路布线层，该功率电路布线层上连接有功率器件；
所述玻纤板上形成有控制电路布线层，该控制电路布线层上连接有控制器件；
所述功率器件之间、功率器件与功率电路布线层之间，以及控制电路布线层与功率电路布线层之间通过金属线电连接；
所述控制电路布线层和功率电路布线层上均配置有引脚；
通过密封树脂将所述铝基板、绝缘层、功率电路布线层、功率器件、玻纤板、控制电路布线层、控制器件、金属线和引脚封装，其中，所述引脚贯穿所述密封树脂并向外延伸。
优选地，所述树脂支架呈池状设置，且具有两个分别用于容置所述铝基板和玻纤板的凹槽，所述凹槽分别与所述铝基板和玻纤板适配。
优选地，用于容置所述铝基板的所述凹槽的底部呈镂空设置。
优选地，所述智能功率模块还包括设置在所述功率器件与功率电路布线层之间的散热器。
优选地，所述绝缘层采用在中填充有Al2O3的环氧树脂材料制成，所述绝缘层的导热率为2.0W/m·k。
优选地，所述树脂支架采用填充有SiO2的热硬性材料而制成。
优选地，所述铝基板采用1100或5052型的铝材制成。
本实用新型的智能功率模块承载功率器件的铝基板和承载控制器件的玻纤板平行排布，在智能功率模块工作时，功率器件发出的热量对控制器件的影响大幅减小，与传统的设计方案相比，控制器件工作在更低的温度下，完全避免了因温度过高引起的控制信号紊乱，有效保证了智能功率模块的正常工作。
附图说明
图1为现有技术中智能功率模块的结构示意图；
图2为现有技术中智能功率模块的剖面结构示意图；
图3为现有技术中智能功率模块去除树脂材料后的内部结构示意图；
图4为本实用新型智能功率模块的剖面结构示意图；
图5为本实用新型智能功率模块去除树脂材料后的内部结构示意图；
图6为本实用新型智能功率模块的制造方法的流程示意图；
图7为本实用新型智能功率模块的制造方法中形成功率单元的流程示意图；
图8为本实用新型智能功率模块的制造方法中形成控制单元的流程示意图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例就本实用新型的技术方案做进一步的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型提出一种智能功率模块。
参照图4和图5，图4为本实用新型智能功率模块的剖面结构示意图；图5为本实用新型智能功率模块去除树脂材料后的内部结构示意图。
在本实用新型实施例中，该智能功率模块包括一树脂支架30和设置在该树脂支架30上的铝基板16和玻纤板26，该铝基板16和玻纤板26在树脂支架30上位于同一平面内平行排布。该铝基板16的上表面形成有绝缘层17，在该绝缘层17上形成有功率电路布线层18，该功率电路布线层18上连接有功率器件14，该功率器件14可为IGBT管或FRD管等有源元件。
在玻纤板26的表面形成有控制电路布线层28，该控制电路布线层28上连接有控制器件24，该控制器件24可为HVIC或MCU等有源元件，也采用电容、电阻等无源元件。如果所需电路复杂，可以在玻纤板26上下表面都形成控制电路布线层28，中间通过通孔连接上下表面的控制电路布线层28。本实施例只以玻纤板26上表面形成控制电路布线层28的技术方案为例进行说明。
通过金属线15使各功率器件14间、各控制器件24间、功率器件14与功率电路布线层18、控制器件24与控制电路布线层28，以及控制电路布线层28与功率电路布线层18间形成点连接。该金属线15优选为铝线、金线或铜线。
该控制电路布线层28和功率电路布线层18上均配置有引脚11，用于与外部进行信号的输入和/或输出。
控制电路布线层28和功率电路布线层18上还可设有焊盘13，该焊盘13用于连接引脚11与控制电路布线层28和功率电路布线层18，也可用于连接控制电路布线层28与功率电路布线层18。引脚11被固定在设于铝基板16至少一个边缘的焊盘13上和玻纤板26至少一个边缘的焊盘13上。引脚11与焊盘13通过焊锡等导电性粘结剂焊接。如果焊盘13间的距离较短，譬如不大于1mm，并且两焊盘13的高度差较小，譬如不大于1mm，也可以考虑使用较软的金线作为金属线15。引脚11一般采用铝或铜等具有一定硬度的金属制成。
通过密封树脂12将铝基板16、绝缘层17、功率电路布线层18、功率器件14、玻纤板26、控制电路布线层28、控制器件24、金属线15和引脚11封装，其中，该引脚11贯穿密封树脂12并向外延伸，使得引脚11相对与控制电路布线层28和功率电路布线层18连接的另一端裸露在密封树脂12外面，与外部进行信号的输入和/或输出。
本实用新型的智能功率模块承载功率器件14的铝基板16和承载控制器件24的玻纤板26平行排布，在智能功率模块工作时，功率器件14发出的热量对控制器件24的影响大幅减小，与传统的设计方案相比，控制器件24工作在更低的温度下，完全避免了因温度过高引起的控制信号紊乱，有效保证了智能功率模块的正常工作。
在上述实施例中，树脂支架30呈池状设置，且其内部具有两凹槽，两凹槽分别用于容置铝基板16和玻纤板26，且两凹槽分别与铝基板16和玻纤板26的大小和形状适配。凹槽的设置一方面可以对铝基板16和玻纤板26进行有效的精确固定，便于量产；另一方面方便了填充密封树脂12进行封装。铝基板容置在该凹槽内并被完全封装在密封树脂12中，由于密封树脂12是良好的电绝缘材料，所以铝基板16被外部信号干扰的风险大大降低，增强了智能功率模块的抗干扰能力，提升了智能功率模块工作的稳定性。
在上述实施例中，用于容置铝基板16的凹槽的底部呈镂空设置。使得铝基板16下表面不会被树脂支架30完全密封，由于树脂支架30的热导率远低于铝材，因此改善了铝基板16散热效果，进一步避免了因温度过高引起的控制信号紊乱。
基于上述实施例，该智能功率模块还包括散热器（图中未示出），该散热器设置在功率器件14与功率电路布线层18之间，该散热器优选采用铜质材料制成。该散热器的设置可对功率器件14进行散热，进一步提升了智能功率模块的散热能力。
在上述实施例中，该绝缘层17采用在环氧树脂等树脂材料中高浓度填充Al2O3而制成，由于填充了Al2O3可有效的提高绝缘层17的热导率，可提高智能功率模块的散热能力。绝缘层17的热导率优选为2.0W/m·k，以保证绝缘层17的膨胀系数与密封树脂12相匹配，防止了绝缘层17因受热而脱落。
在上述实施例中，该树脂支架30优选采用填充有SiO2的热硬性材料而制成。该铝基板优选采用1100或5052型的铝材制成。所述控制电路布线层28和功率电路布线层18优选采用铜制成。
本实用新型进一步还提出一种智能功率模块的制造方法。
参照图6，图6为本实用新型智能功率模块的制造方法的流程示意图。
在本实用新型实施例中，该智能功率模块的制造方法包括：
步骤S10，在铝基板一表面依次形成绝缘层和功率电路布线层，在所述功率电路布线层上设置功率器件和引脚，并通过金属线使所述功率电路布线层、功率器件和引脚电连接，形成功率单元；
步骤S20，在玻纤板表面形成控制电路布线层，在所述控制电路布线层上设置控制器件和引脚，形成控制单元；
步骤S30，将所述功率单元和控制单元平行并排的装入树脂支架，并通过密封树脂进行封装。
首先，将树脂支架放置在特定位置，如果树脂支架为密封型，最好在树脂支架的整个底部均匀涂抹硅胶等增加接触的散热材料，如果树脂支架为镂空型，则也可考虑在未镂空的位置涂抹硅胶，保证功率单元的铝基板可以充分散热。硅胶涂抹的高度为50μm。另外，为了使功率单元的铝基板和控制单元的玻纤板在树脂支架上可以精确定位，可考虑在树脂支架上形成定位柱，在铝基板和玻纤板上形成定位孔。向树脂支架中分别放置功率单元和控制单元，并使功率单元和控制单元平行并排，位于同一平面内。取放功率单元和控制单元时，要注意不接触到功率单元和控制单元的金属线，功率单元和控制单元放置入树脂支架后，使用压平装置，按压在功率单元和控制单元不具有功率器件、控制器件、金属线和引脚的地方，以确保功率单元和控制单元的底部与树脂支架充分接触。放置稳定后，通过邦定线，使焊盘间建立电连接，邦定后的金属线作为信号的输入/输出线，使功率器件和控制器件实现通信。
然后，在无氧环境中对已装入功率单元和控制单元的树脂支架进行烘烤，烘烤时间不应小于2小时，烘烤温度优选为125℃。其烘烤的目的是去除功率单元和控制单元表面附着的水气。使用无氧环境是因为在加热条件下，为了防止使功率器件等电气元件表面氧化。将树脂支架放入指定位置，输入枪向树脂支架注入密封树脂，密封树脂可以选择常温下为液态的环氧树脂，也可选用重温下为流态的硅胶。注入时的速度控制，在确保树脂在支架内均匀扩散的前提下，以密封树脂在树脂支架内的上升高度不大于1mm/s为宜，密封树脂注入的最终高度为在完全密封金属线和所有功率器件和控制器件的表面的前提下，再注入大概1mm高度的密封树脂。在此，除了引脚露出在密封树脂外，其他元件都被密封树脂所密封。注入完成后，将树脂支架放入烘箱中，加热到150℃，加热时间不小于30分钟。冷却后，密封树脂固化状态。
本实用新型的智能功率模块的制造方法减小了先用绝缘胶体保护功率器件部分，再通过上下对位连接功率单元和控制单元的工序，只需要一个简单的树脂框架即可进行定位，由于功率单元和控制单元是水平连接，因此对于金属线的精度要求不高，也就大幅降低了智能功率模块的制造难度，无须购买昂贵的设备即可实现，定位、连接的合格率可达100%，适于量产。
参照图7，图7为本实用新型智能功率模块的制造方法中制作功率单元的流程示意图。
在上述实施例中，制作功率模块的步骤S10具体包括：
步骤S11，在所述铝基板一表面上形成所述绝缘层；
根据需要的电路布局准备大小合适的铝基板，对于一般的智能功率模块可选取104mm×30mm的大小，大小合适的铝基板的形成可以通过直接对1m×1m的铝材进行冲切等方式形成，也可通过先1m×1m的铝材形成V槽，然后剪切的方式形成。对铝基板的两面进行防蚀处理。在铝基板的至少一面的表面上形成绝缘层。
步骤S12，在所述绝缘层的表面上形成铜箔；
在绝缘层的表面粘贴用于制作功率电路布线层的铜箔。
步骤S13，蚀刻所述铜箔，形成所述功率电路布线层；
对铜箔进行蚀刻，局部地除去铜箔，形成功率电路布线层，该功率电路布线层是指特定形状的铜箔。
步骤S14，在所述功率电路布线层上设置所述功率器件和引脚；
在功率电路布线层的特定位置涂抹锡膏，特别地，需要在焊盘上涂抹锡膏，将功率器件直接安装在功率电路布线层的规定位置，通过铝材或合成石等制作载具，将引脚固定在焊盘对应位置，通过高温回流等方式，使锡膏固化。回流最高温度应大于200℃，优选为225℃。
步骤S15，通过金属线使所述功率器件和功率电路布线层电连接，形成功率单元。
利用金属线对功率器件和功率电路布线层进行邦线连接，最终形成功率单元。
参照图8，图8为本实用新型智能功率模块的制造方法中制作控制单元的流程示意图。
在上述实施例中，制作控制模块的步骤S20具体包括：
步骤S21，在所述玻纤板表面上形成铜箔；
根据需要的电路布局准备大小合适的玻纤板，对于一般的智能功率模块可选取104mm×90mm的大小。大小合适的铝基板的形成可以通过直接对1m×1m的玻纤板材进行折断等方式形成，也可通过先1m×1m的铝材形成V槽，然后剪切的方式形成。在玻纤板的表面上粘贴用于制作控制电路布线层的铜箔。
步骤S22，蚀刻所述铜箔，形成所述控制电路布线层；
对铜箔进行蚀刻，局部地除去铜箔，形成控制电路布线层，该控制电路布线层是指特定形状的铜箔。根据电路功能的需要，也可以在玻纤板的两面都形成控制电路布线层，并通过通孔使上下两面的控制电路布线层连接。
步骤S23，在控制电路布线层上设置所述控制器件和引脚，形成控制单元。
在控制电路布线层的特定位置涂抹锡膏，特别地，需要在焊盘上涂抹锡膏，将控制器件直接安装在控制电路布线层的规定位置，通过铝材或合成石等制作载具，将引脚固定在焊盘对应位置，通过高温回流等方式，使锡膏固化。回流最高温度应大于200℃，优选为225℃。如果控制器件为晶圆，需要利用金属线对控制器件和控制电路布线层进行邦线连接，最终形成控制单元。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括一树脂支架和设置在该树脂支架表面的铝基板和玻纤板，所述铝基板和玻纤板位于同一平面内平行排布；
所述铝基板上形成有绝缘层，该绝缘层上形成有功率电路布线层，该功率电路布线层上连接有功率器件；
所述玻纤板上形成有控制电路布线层，该控制电路布线层上连接有控制器件；
所述功率器件之间、功率器件与功率电路布线层之间，以及控制电路布线层与功率电路布线层之间通过金属线电连接；
所述控制电路布线层和功率电路布线层上均配置有引脚；
通过密封树脂将所述铝基板、绝缘层、功率电路布线层、功率器件、玻纤板、控制电路布线层、控制器件、金属线和引脚封装，其中，所述引脚贯穿所述密封树脂并向外延伸。
2.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述树脂支架呈池状设置，且具有两个分别用于容置所述铝基板和玻纤板的凹槽，所述凹槽分别与所述铝基板和玻纤板适配。
3.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，用于容置所述铝基板的所述凹槽的底部呈镂空设置。
4.如权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，还包括设置在所述功率器件与功率电路布线层之间的散热器。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述绝缘层采用在中填充有Al2O3的环氧树脂材料制成，所述绝缘层的导热率为2.0W/m·k。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述树脂支架采用填充有SiO2的热硬性材料而制成。
7.如权利要求1至4中任意一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述铝基板采用1100或5052型的铝材制成。
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CN103236422A (zh) * 2013-03-29 2013-08-07 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及其制造方法
CN104767417A (zh) * 2015-03-23 2015-07-08 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块的控制电路、智能功率模块及其制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236422A (zh) * 2013-03-29 2013-08-07 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及其制造方法
CN103236422B (zh) * 2013-03-29 2015-12-23 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及其制造方法
CN104767417A (zh) * 2015-03-23 2015-07-08 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块的控制电路、智能功率模块及其制造方法
CN104767417B (zh) * 2015-03-23 2018-10-19 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块的控制电路、智能功率模块及其制造方法

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