CN104112728B - 器件安装结构和集成电路模块 - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 20
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 19
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
一种器件安装结构，设置于集成电路模块的阻焊层，所述阻焊层开设有用于固定电路器件的凹槽，所述凹槽的侧壁开设有个多个缝隙，所述凹槽的相对侧壁间的最小距离与所述器件相应的边长相等。将电路器件安装到器件安装结构中时，缝隙可以有助于将焊锡中的空气排出，而凹槽的侧壁间的最小内径与电路器件的大小匹配，电路器件的边缘与阻焊层的边缘仍然有直接接触的部位，所以在电路器件仍然能被阻焊层定位而不会发生漂移或转动，电路器件的位置仍然可以被精确固定。此外，本发明还提供了一种集成电路模块。
Description
技术领域
本发明属于电子器件制造工艺领域，尤其涉及一种器件安装结构和集成电路模块。
背景技术
智能功率模块（Intelligent Power Module，IPM）是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。IPM把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。IPM一方面接收MCU的控制信号，驱动后续电路工作，另一方面将系统的状态检测信号送回MCU。与传统分立方案相比，IPM以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种理想电力电子器件。
参照图1说明现有智能功率模块100的结构。图1（A）是所述智能功率模块100的俯视图，图1（B）是图1（A）的X-X’线剖面图，图1（C）是图1（A）去除树脂后的示意图。
智能功率模块100具有如下结构，其包括：电路基板106；设于电路基板106表面上的绝缘层107上形成的电路布线108；覆盖于绝缘层107和电路布线108特定位置的全部为矩形开窗的阻焊层110；被锡膏112固定在电路布线108上的功率元件109和非功率元件104；连接非功率元件104、功率元件109和电路布线108的金属线105；与电路布线108连接的引脚101；电路基板106的至少一面被密封树脂102密封，为了提高密封性，会将电路基板106全部密封，为了提高散热性，会使铝基板106的背面露出到外部的状态下进行密封。
为了防止功率器件109在被固定过程中发生漂移，一般会将阻焊层110的开窗大小做得和功率器件109或非功率元件104的外形一致，即矩形，并且几乎一样大。例如，阻焊层110的厚度为100μm，锡膏112的厚度为140μm，将功率器件109或非功率元件104放置在锡膏112上后，会将锡膏112的厚度压缩为90～120μm，使功率器件109或非功率元件104的底部和阻焊层110的顶部几乎等高甚至更低，如图1（C）所示。这样，在对锡膏112进行加热时，由于功率器件109的边缘与阻焊层110开窗的大小一致，并且功率器件109的底部与阻焊层110的高度相当，导致功率器件109或非功率元件104和阻焊层110之间几乎没有间隙，这样虽然能够使功率器件109或非功率元件104很好的定位，但锡膏112内部的空气将极不利于排出，造成空洞率较高；并且，由于锡膏112内部的空气在后续的加热过程中聚集并向边缘扩散，导致功率器件109或非功率元件104底部的锡膏112的空洞，主要集中在功率器件109或非功率元件104的边角位置。
需要说明的是，智能功率模块100一般会工作在恶劣的工况中，如变频空调的室外机，夏天时工作环境温度可达50℃，而功率器件109或非功率元件104，如IGBT管等，工作过程中会发生大量的热，功率器件109或非功率元件104的温度可达120℃以上，为了提高散热性，对功率器件109或非功率元件104的焊接要求非常高，需要将焊接空洞率控制在10%以下，但使用现行的方法生产的智能功率模块100，往往很难使空洞率低于10%，造成智能功率模块的制造合格率很低；而且，空气无法排出造成的空洞，会使空洞主要集中是功率器件109在边缘部分，在后续邦线和模制时容易造成功率器件109或非功率元件104的暗裂，暗裂现象往往无法直接通过测试工序检测出来，使此种存在安全隐患的产品流入市场，在长期使用过程中造成智能功率模块失效，严重时甚至会因为智能功率模块失控而造成爆炸，引起火灾。
为了保证不会有焊接空洞过高的智能功率模块100流入市场，传统的智能功率模块制造工序中，必不可少的会有X光检测工序，用于检测的焊接空洞，对于空洞率过高、单个空洞过大、空洞处于功率器件109或非功率元件104边缘的智能功率模块100，进行报废处理，采用一般的X光检测设备，没有自动判断功能，需要工人自行检测和判断，造成检测效率低下，主管因素强，品质难以控制，如果采用具有自动检测功能的X光检测设备，价格又非常昂贵，转嫁到智能功率模块100的制造成本中，造成智能功率模块100价格居高不下。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种保证极低的焊接空洞率的器件安装结构，解决传统的集成电路模块中安装电路器件时锡膏的空气不利于排出，造成空洞率较高，制造合格率低的问题。
本发明是这样实现的，一种器件安装结构，设置于集成电路模块的阻焊层，所述阻焊层设有用于固定电路器件的凹槽，所述凹槽的侧壁开设有个多个缝隙，所述凹槽的相对侧壁间的最小距离与所述器件相应的边长相等。
此外，还提供了一种集成电路模块，包括
电路器件；
其中一表面覆盖有绝缘层的基板；
于所述绝缘层表面形成的电路布线层；
形成于所述电路布线层预设位置上的阻焊层，所述阻焊层设有用于固定所述电路器件的凹槽，所述凹槽的侧壁开设有个多个缝隙，所述凹槽的相对侧壁间的最小距离与所述器件相应的边长相等。
用于连接所述电路布线层和所述电路器件的金属线。
本发明的器件安装结构和集成电路模块的有益效果是：将电路器件焊接到器件安装结构时，焊料中的空气在被加热后，从焊料的中部开始聚集并向焊料的边缘扩散，空气到达电路器件的边缘时，因阻焊层边缘具有缝隙，即部分阻焊层的边缘与电路器件的边缘接触、部分阻焊层的边缘与器件有一定间隙，空气不会完全受到阻焊层的遮挡。如果空气到达的是具有间隙的位置，空气可直接从间隙中排出；如果空气到达的是阻焊层的边缘与电路器件的边缘接触的位置，由于空气的流动性，空气会沿接触的位置继续移动，当到达具有间隙的位置时，会从阻焊层边缘与电路器件之间的间隙中排出，解决了空洞率较高，制造合格率低的问题；另外，又因为阻焊层开窗的最小内径与电路器件的大小一致，电路器件的边缘与阻焊层的边缘仍然有直接接触的部位，所以在电路器件的底部的锡膏被加热处于液态时，仍然能被阻焊层定位而不会发生漂移或转动，电路器件的位置仍然可以被精确固定，这为后续的邦线工序中的电路器件识别程序编写提供了极大的方便，并且能够省去测高、测距等的步骤，提高了邦线工序的生产效率和成功率，降低了生成本进而降低了产品价格。
附图说明
图1（A）为集成电路模块的俯视结构示意图；
图1（B）是图1（A）现有结构的X-X’线剖面图；
图1（C）是现有的集成电路模块的集成电路模块的平面剖视图；
图2（A）是本发明实施例提供的器件安装结构的结构示意图；
图2（B）是本发明实施例提供的电路器件的结构示意图；
图2（C）是本发明实施例提供的电路器件和器件安装结构的安装图；
图3（A）是本发明实施例提供的沿图1（A）的X-X’线的剖面图；
图3（B）是本发明实施例提供的图1（A）的平面剖面图；
图4（A）、4（B）是本发明实施例提供的在基板上形成绝缘层并在绝缘层表面形成电路布线的工序；
图5（A）、5（B）是本发明实施例提供的在绝缘层和电路布线层的表面形成阻焊层的工序；
图6（A）、6（B）是本发明实施例提供的在阻焊层的开窗位置涂覆焊料的工序；
图7（A）、7（B）是本发明实施例提供的在电路布线层上的焊料上安装电路器件和引脚的工序；
图8（A）、8（B）是本发明实施例提供的连接电路元件和所述电路布线层的工序；
图9是发明实施例提供制造方法中的密封工序。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
结合图2（A）、2（C），作为一实施例中的一种器件安装结构，器件安装结构设置于集成电路模块的阻焊层21，阻焊层21设有（开设或围设）用于固定电路器件14A的凹槽211，凹槽211的侧壁开设有个多个缝隙212，凹槽211的相对侧壁间的最小距离（L1和L2）与电路器件14相应的边长（L1’和L2’）相等。即在将电路器件14安装到器件安装结构中时，缝隙212可以有助于将焊锡中的空气排出，而凹槽211的侧壁间的最小内径与电路器件14A的大小匹配，电路器件14A的边缘与阻焊层21的边缘仍然有直接接触的部位，所以在电路器件14A仍然能被阻焊层21定位而不会发生漂移或转动，电路器件14A的位置仍然可以被精确固定。
在进一步的实施例中，凹槽211同一侧壁上的缝隙212之间形成多个凸起结构214，同一侧壁上的凸起结构214的顶点形成至少一个平面，相对侧壁间的相互距离最短且相互平行的两个平面的距离与电路器件14A相应的边长相等。
参考图2（A），在优选的实施例中，凸起结构214的横截面为楔形、梯形、尖齿形或凸弧形。如此，参考图2（C），在将电路器件14A安装到凹槽211时，凸起结构214的顶部可以抵住电路器件14A的侧边以使其不会漂移或转动；参考图2（A）、2（C），在进一步的实施例中，缝隙212的横截面为楔形、梯形、尖齿形或凹弧形。如此，凹槽211的同一侧壁上的缝隙212和凸起结构214形成锯齿形、波浪形（正弦波）、等形状。在将电路器件14A安装到凹槽211时，凸起结构214的顶部可以抵住电路器件14A的侧边以使其不会漂移或转动，并且使得电路器件14A的侧边与阻焊层21之间留有多个缝隙212能让焊锡的空气排出。
参考图2（A），在进一步的实施例中，凹槽211的底面开设有多条与缝隙212连通的沟槽216。如此，参考图2（C），在将电路器件14A安装到凹槽211时，可使得凹槽211底部的焊锡中的空气可以通过沟槽216排出到侧壁的缝隙212上，再向外排出以降低电路器件14A在安装中的空洞率。
参考图3（A）和图3（B），在一个实施例中，阻焊层21是设置于集成电路模块的电路布线层18和/或绝缘层17上的特定位置，阻焊层21上的器件安装结构呈环状，中间部分镂空露出电路布线层18或绝缘层17，并且，阻焊层21开设的凹槽211的侧壁为不规则形状，即侧壁上设有缝隙212，缝隙212间形成凸起结构214，并且凹槽211的底面也可以开设有沟槽216，而沟槽216之间形成了凸装结构（图未标）；阻焊层21上的器件安装结构用于配置特定的电路器件14。在一个实施例中，如图2、3所示，凹槽211侧壁的不规则形状为锯齿形，用于配置IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）、高压MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）管、高压FRD（Fast Recovery Diode，快速恢复二极管）管等工作时会产生大功率的电路器件14，这些工作时会产生大功率的电路器件14记为14A（参考图2（A）、2（B）、2（C））。
在此，阻焊层21的锯齿形凸起结构214的距离最近的尖端间的距离与需要配置的特定大功率电路器件14A面积一致。如图2（B）所示，设大功率电路器件14A的一边长度为L1’、另一边长度为L2’，则阻焊层21的相对侧壁的凸起结构214的最小距离应分别为L1和L2，L1’=L1，L2’=L2；另外，设同一侧壁上的凸起结构214的顶点与缝隙212底部的距离为L3。在实际中，若为了提高焊料22中空气排出的效果，应该将L3做得尽量大；而为了减小面积节约成本，应该将L3做得尽量小。对于一般的焊料22，可以考虑将L3设计成1mm～2mm。
在此，结合图2（A）、2（B）、2（C），凹槽211的四个缝隙角21A与大功率电路器件14A的顶角14AA的关系是：缝隙角21A与顶角14AA间存在一定的空间，设阻焊层21一个侧壁上的的凸起结构214与相应的大功率电路器件14A的一个边的最近的接触点与顶角14AA的最短距离为L4，则L4可考虑设置成0.5mm～1mm。
此外，凹槽211的侧壁的横截面也可以设计成波浪形等，上述的L3和L4的取值同上。
此外，还提供了一种集成电路模块10，结合图2、3，集成电路模块10包括：电路器件14A、基板16、绝缘层17、金属线15、阻焊层21、引脚11、密封层12。
绝缘层17覆盖在基板16其中一表面；电路布线层18形成于绝缘层17的表面；阻焊层21形成于电路布线层18预设位置上，阻焊层21开设有用于固定电路器件14A的凹槽211，凹槽211的侧壁开设有个多个缝隙212，凹槽212的相对侧壁间的最小距离与电路器件14A相应的边长相等，金属线15用于连接电路布线层18和电路器件14A。
在优选的实施例中，凹槽211同一侧壁上的缝隙212之间形成多个凸起结构214，同一侧壁上的凸起结构214的顶点形成至少一个平面，凹槽211相对侧壁间的相互距离最短且相互平行的两个平面的距离与电路器件14A相应的边长相等。
在优选的实施例中，凸起结构214的横截面为楔形、梯形、尖齿形或凸弧形。缝隙212的横截面为楔形、梯形、尖齿形或凹弧形。如此，凹槽211的同一侧壁上的缝隙212和凸起结构214形成锯齿形、波浪形（正弦波）、等形状。
进一步地，凹槽211的底面开设有多条与缝隙212连通的沟槽216。
在优选的实施例中，集成电路模块10还包括引脚11，电路布线层18包括靠近基板16的表面边缘的引脚焊盘18A，引脚11与引脚焊盘18A连接并自基板16向外延伸。
在优选的实施例中，集成电路模块还包括密封层12，密封层12包覆于基板16中覆盖有绝缘层17相对的表面区域以外的所有表面。
本发明的集成电路模块10具有在表面上形成有绝缘层17、电路布线18、阻焊层21、电路器件14和金属细线15构成的电路的基板16，配置在所述基板16上的引脚11，和密封该电路且至少覆盖基板16表面的密封树脂12。以下说明这样的各构成要素。
基板16是由1100或5052等材质的铝构成的矩形板材。使在基板16表面上形成电路布线层18与基板16绝缘的方法有两种：一个方法是防蚀处理基板的至少一个表面；另一个方法是在基板16的至少一个表面上形成绝缘层17后再在其表面形成电路布线18。
绝缘层17覆盖基板16至少一个表面形成，并在环氧树脂等树脂材料内高浓度填充氧化铝等填料提高热导率。
电路布线层18由铜等金属构且和基板16绝缘，即电路布线层18被绝缘层17粘结在基板16的表面上。在基板16的至少一个边缘有。
引脚11被固定在设于基板16至少一个边缘的焊盘18A上，其具有例如与外部进行输入、输出的作用。在此，至少一边上设有多条引脚11，引脚11和焊盘18A通过焊料22粘结。
树脂12可通过传递模方式使用热硬性树脂模制也可使用注入模方式使用热塑性树脂模制。在此，树脂12完全密封基板16具有电路布线层18的一面上的所有元素，而基板16不具有电路布线层18的一面未被树脂12密封。
在此，为了使由被载置于基板16表面上的电路器件14产生的热更好地排出到外部，而使基板16没有电路布线层18的部分，即基板16的背面，从密封树脂12露出到外部；另外，为提高集成电路模块10的耐湿性，也可以利用密封树脂12密封基板16的整体。
参照图2至图9，说明集成电路模块10的制造方法。本发明集成电路模块10的制造方法包括：在基板16表面上设置绝缘层17的工序；在绝缘层17的表面上形成电路布线层18工序；在绝缘层17和电路布线层18的表面上形成阻焊层21工序；在阻焊层21的开窗位置涂覆焊料22的工序；在焊料22上配置并固定电路器件14的工序；用金属细线15连接电路器件14和电路布线层18的工序；烘烤模制的工序。图9是本发明的制造方法的工序流程图。以下说明的各工序的详细情况。
第一工序：参照图4（A）、4（B），本工序是在大小合适的基板16上形成绝缘层17并在绝缘层17表面形成电路布线层18的工序。
参照图4（A），根据需要的电路布局准备大小合适的基板16，对于一般的集成电路模块10可选取64mm×30mm的大小，两面进行防蚀处理。参照图4（B），在基板16的至少一表面上设有绝缘层17。另外，在绝缘层18的表面粘贴有作为导电图案的铜箔。然后将该工序制造的铜箔进行蚀刻，局部地除去铜箔，形成电路布线层18，特别地，在基板16的至少一个边缘上，具有用于配置引脚11的特殊电路布线层记为焊盘18A。
在此，大小合适的基板16的形成可以通过直接对1m×1m的铝材进行冲切等方式形成，也可通过先1m×1m的铝材形成V槽，然后剪切的方式形成。
在此，基板16的厚度可设置为1.5mm，绝缘层17的厚度可设置成80μm～100μm，电路布线层18的厚度可设置成1～2盎司。
第二工序：参照图5（A）、5（B），本工序是在绝缘层17和电路布线层18的表面形成阻焊层21的工序。
在形成了电路布线层18的绝缘层17表面上，通过液体湿工艺或干薄膜叠层工艺设置一层阻焊材料；然后，通过腐蚀等方法，将不需要的部分去除，形成所需的阻焊层21，在准备放置电路器件14的位置形成凹槽211，露出电路布线层18，特别地，在准备放置大功率电路器件14A的位置，形成上述的器件安装结构。
在此，阻焊层21克使用绿色、红色、蓝色、或黑色等颜色的漆，漆的厚度控制在100μm左右。
第三工序：参照图2、6（A）、6（B），本工序是在阻焊层21的开窗位置涂覆焊料22的工序。
制作在特定位置有通孔的钢网，覆盖在阻焊层21表面，钢网的通孔的位置必须位于阻焊层21的开窗位置内，既钢网的通孔的大小必须小于等于其对应的阻焊层的开窗的大小；然后，再在整个钢网表面涂抹一层如锡膏等的焊料22，在钢网的通孔位置，锡膏透过钢网的通孔和阻焊层21的开窗，被涂覆在通过阻焊层21的开窗露出的电路布线层18上。
在此，钢网的通孔一般为规则形状，所以，在具有上述的器件安装结构的阻焊层21的开窗中的焊料22锡膏是矩形。
在此，需要进一步说的是，大功率电路器件14A对应的阻焊层21的镂空部分（即凹槽211）的面积S可以通过以下公式确定：
（1）当钢网的厚度为0.12～0.15mm，S=1.1×M；
（2）当钢网的厚度为0.15～0.18mm，S=1.15×M；
其中，M为钢网的通孔的面积。
在此，面积S不能太大，否则凝固后的锡膏会太薄，容易在大功率电路器件14A的中间位置造成局部空洞；面积S也不能太小，否则焊料22锡膏中的空气将得不到足够的排出空间，并且锡膏太厚容易造成大功率电路器件14A在垂直位置倾斜。
在阻焊层21镂空的位置填充满焊料22，焊料22用于将电气元件14固定在电路布线层18上，焊料22一般使用熔点为180℃～190℃的锡膏等导电电性粘结剂。对于上述的器件安装结构的位置，在涂覆焊料22时，焊料22并未填充满凹槽211，在后续的加热工序中，焊料22融化呈液态，在阻焊层21的作用下，焊料22填充满整个凹槽211开窗。
通过焊料22，电路器件14被固定在电路布线层18上构成规定的电路。电路器件14采用包括大功率电路器件14A在内的晶体管或二极管等有源元件、或者电容或电阻等无源元件。在此，面朝上安装的有源元件等通过金属线15与电路布线层18连接。
在此，若为了提高焊接可靠性，可以将钢网厚度做得更厚，使更多的锡膏被涂覆在电路布线层18上；若为了降低焊接空洞率，可以将钢网的厚度适当做薄，使需要从锡膏中排出的助焊剂、空气更少，钢网的厚度一般可设置为0.12mm～0.18mm。在此工序中，涂覆在电路布线层18上的焊料22的厚度与钢网厚度一致，所以，此时的焊料22的高度会略高于阻焊层21的高度。
第四工序：参照图2、7（A）、7（B），本工序是在电路布线层18上的焊料22上安装电路器件14和引脚11的工序。
首先，参照图7（A），将基板16配置在载具20上，将电路器件14和引脚11安装在电路布线层18上具有焊料22的规定位置；特别地，引脚11一端要安放在焊盘18A上，另一端需要载具20进行固定，载具20通过合成石等材料制成；特别地，大功率电路器件14A被安装在具有上述器件安装结构的阻焊层21中。然后，放于载具20上的基板16通过回流焊，使焊料22融化后凝固，将电路器件14和引脚11通过焊料22固定在电路布线层18上。
在此，将引脚11和电路器件14特别是大功率电路器件14A安装在焊料22表面时，焊料22会被压低，一般会降低0.05mm左右。
焊料22在温度上升到融化过程中，会排出气体和助焊剂，在温度上升过程中，分布在气体在焊料22中会汇聚成大的气孔，并向电路器件14的边缘移动，而电路器件14本身也会在此过程中发生漂移。对于面积较大的大功率电路器件14A，这种气体的汇聚、移动和器件的漂移现象更为明显，由于本发明的阻焊层21的作用，缝隙212和凸起结构214为大功率电路器件14A底部的气体提供了足够的排气空间，特别是四角的部分的特殊处理，确保大功率电路器件14A在四个角附近没有气泡残留。
第五工序：参照图8（A）、8（B），本工序是连接电路器件14和电路布线层18的工序。
进行电路器件14和电路布线层16的邦线连接，使电路器件14和电路布线层16间形成由金属线15构成的电连接。可以使用铝线作为金属线15的材料，对于大功率电路器件14A，也可以考虑使用铝带，对于其他电路器件14，也可以考虑使用金线。
在此，由于本发明的具有上述器件安装结构的阻焊层21的作用，大功率电路器件14A底部的空洞率很低，所以对邦定线工艺的要求很低，允许邦定线的机器的邦线力度有一个很大的变化范围，不会因为邦线力度过大而底部存在空洞而造成大功率电路器件14A在邦定线过程被打裂。
第六工序：参照图9，由密封树脂密封基板16的工序。
图9表示使用模具50由密封树脂密封基板16的工序的剖面图。首先，在无氧环境中对基板16进行烘烤，烘烤时间不应小于2小时，烘烤温度和选择125℃。
将配置好引脚11的基板16搬送到模型44及模型45。通过使引脚11的特定部分与固定装置46接触，进行基板16的定位。
合模时，在形成于模具50内部的模腔中放置基板16，然后由浇口53注入密封树脂。进行密封的方法可采用使用热硬性树脂的传递模模制或使用热硬性树脂的注入模模制。而且，对应自浇口53注入的密封树脂12模腔内部的气体通过排气口54排放到外部。对于浇口53位置的选择，应选择不完全具有引脚11的一边，即图9的上边，对于排气口54的选择，应选择完全具有引脚11的一边，即图9的下边。
在此，基板16的背面紧贴在下模45上，但仍会有少量密封树脂进入到基板16的背面和下模45之间，因此，在脱模后，需要进行激光蚀刻或者研磨，将残留在基板16背面的少量密封树脂去除，使基板16的背面从密封树脂露出，而基板16的背面以上部分被密封树脂密封。
通过上述的工序，有密封层12的基板16经由切脚成型工序等作为制品完成。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种器件安装结构，设置于集成电路模块的阻焊层，所述阻焊层设有用于固定电路器件的凹槽，其特征在于，所述凹槽的侧壁开设有个多个缝隙，所述凹槽的相对侧壁间的最小距离与所述器件相应的边长相等；所述凹槽同一侧壁上的所述缝隙之间形成多个凸起结构，所述电路器件安装到所述凹槽时，所述凸起结构的顶部抵住所述电路器件的侧边。
2.如权利要求1所述的器件安装结构，其特征在于，同一侧壁上的所述凸起结构的顶点形成至少一个平面，相对侧壁间的相互距离最短且相互平行的两个平面的距离与所述电路器件相应的边长相等。
3.如权利要求2所述的器件安装结构，其特征在于，所述凸起结构的横截面为楔形、梯形、尖齿形或凸弧形。
4.如权利要求2或3所述的器件安装结构，其特征在于，所述缝隙的横截面为楔形、梯形、尖齿形或凹弧形。
5.如权利要求1所述的器件安装结构，其特征在于，所述凹槽的底面开设有多条与所述缝隙连通的沟槽。
6.一种集成电路模块，其特征在于，包括
电路器件；
其中一表面覆盖有绝缘层的基板；
于所述绝缘层表面形成的电路布线层；
形成于所述电路布线层预设位置上的阻焊层，所述阻焊层设有用于固定所述电路器件的凹槽，所述凹槽的侧壁开设有个多个缝隙，所述凹槽的相对侧壁间的最小距离与所述器件相应的边长相等；所述凹槽同一侧壁上的所述缝隙之间形成多个凸起结构，所述电路器件安装到所述凹槽时，所述凸起结构的顶部抵住所述电路器件的侧边；
用于连接所述电路布线层和所述电路器件的金属线。
7.如权利要求6所述的集成电路模块，其特征在于，同一侧壁上的所述凸起结构的顶点形成至少一个平面，相对侧壁间的相互距离最短且相互平行的两个平面的距离与所述电路相应的边长相等。
8.如权利要求7所述的集成电路模块，其特征在于，所述凸起结构的横截面为楔形、梯形、尖齿形或凸弧形。
9.如权利要求7或8所述的集成电路模块，其特征在于，所述缝隙的横截面为楔形、梯形、尖齿形或凹弧形。
10.如权利要求6所述的集成电路模块，其特征在于，所述凹槽的底面开设有多条与所述缝隙连通的沟槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310596671.4A CN104112728B (zh) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | 器件安装结构和集成电路模块 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310596671.4A CN104112728B (zh) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | 器件安装结构和集成电路模块 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104112728A CN104112728A (zh) | 2014-10-22 |
| CN104112728B true CN104112728B (zh) | 2017-10-31 |
Family
ID=51709463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310596671.4A Expired - Fee Related CN104112728B (zh) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | 器件安装结构和集成电路模块 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104112728B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204408283U (zh) | 2015-02-15 | 2015-06-17 | 华为技术有限公司 | 一种功率放大器的功率管连接结构及功率放大器 |
| US10366200B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System for and method of manufacturing a layout design of an integrated circuit |
| CN108122890B (zh) * | 2017-12-18 | 2019-10-25 | 芜湖美智空调设备有限公司 | 功率模块、电控盒及空调器 |
| CN107891209A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-04-10 | 成都芯通软件有限公司 | 一种金属焊接结构及焊接基片 |
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| CN1503358A (zh) * | 2002-11-25 | 2004-06-09 | 恩益禧电子股份有限公司 | 树脂密封型半导体器件及用于生产这种半导体器件的生产工艺 |
| CN101540310A (zh) * | 2008-03-14 | 2009-09-23 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装及其制作方法 |
| CN203607392U (zh) * | 2013-11-22 | 2014-05-21 | 广东美的制冷设备有限公司 | 器件安装结构和集成电路模块 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301225B2 (en) * | 2006-02-28 | 2007-11-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-row lead frame |
| JP2010062365A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-11-22 CN CN201310596671.4A patent/CN104112728B/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN203607392U (zh) * | 2013-11-22 | 2014-05-21 | 广东美的制冷设备有限公司 | 器件安装结构和集成电路模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104112728A (zh) | 2014-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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