CN202633270U - 一种新型高可靠功率模块 - Google Patents

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姚礼军
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STARPOWER SEMICONDUCTOR Ltd
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JIAXING STARPOWER MICROELECTRONICS CO Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种新型高可靠功率模块,包括芯片、绝缘基板、功率端子、信号端子、铝线、塑料外壳和功率基板;其特征在于芯片、功率端子通过超声波焊接焊接在绝缘基板的导电铜层上;芯片之间、芯片与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合来实现电气连接,键合通过超声波键合;塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接;功率端子和信号端子局部被塑料外壳的注塑包裹。

Description

一种新型高可靠功率模块
技术领域
     本实用新型属于电力电子学领域,具体地说是一种新型高可靠功率
模块。
背景技术
目前绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在变频器,逆变焊机,感应加热,轨道交通以及风能,太阳能发电等领域的应用越来越广泛,特别是功率模块,对结构和电路的可靠性要求更高。但现有一些功率模块的可靠性较低。
实用新型内容
本实用新型的目的是设计出一种新型功率模块。
本实用新型要解决的是现有绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块可靠性较低的问题。
本实用新型的技术方案是:包括芯片、绝缘基板、功率端子、信号端子、铝线、塑料外壳和功率基板;其特征在于芯片、功率端子通过超声波焊接焊接在绝缘基板的导电铜层上;芯片之间、芯片与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合来实现电气连接,键合通过超声波键合;塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接;功率端子和信号端子局部被塑料外壳的注塑包裹。
本实用新型的优点是:本实用新型通过塑料外壳局部注塑包裹功率端子和信号端子,提高功率端子和信号端子抗击热应力和外部安装引力,提高功率端子和信号端子整体牢固性。通过功率端子以及信号端子和绝缘基板(DBC)直接超声波焊接的方法,消除传统工艺端子焊接的疲劳缺陷,提高功率端子以及信号端子和绝缘基板(DBC)连接的可靠性,制造出高可靠绝缘栅双极型晶体管模块。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1中B部分的局部视图。
图3为图1的俯视示意图。
图4为本实用新型的电路示意图。
具体实施方式:
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。
如图所示,本实用新型包括芯片3、绝缘基板2、功率端子5、信号端子7、铝线6、塑料外壳8、硅凝胶4、热敏电阻9、功率基板1等部件;芯片3、功率端子5通过超声波焊接焊接在绝缘基板2的导电铜层上;芯片3之间、芯片3与绝缘基板2相应的导电层之间均通过铝线6键合来实现电气连接,键合通过超声波键合;塑料外壳8和绝缘基板2通过密封胶粘接;功率端子5和信号端子7局部被塑料外壳8的注塑包裹
功率端子5和信号端子7用纯铜或者铜合金材料制成。
塑料外壳8采用耐高温,绝缘性能良好的塑料制成,包括PBT、PPS、尼龙。
   功率基板1设于绝缘基板的底部,在功率基板1上设有散热片1-1。
芯片3、绝缘基板(DBC)2、功率端子5、信号端子7、铝线8、热敏电阻9等部件,通过覆盖绝缘硅凝胶4,提高各原件之间的耐压。芯片3包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片。 

Claims (5)

1. 一种新型高可靠功率模块,包括芯片、绝缘基板、功率端子、信号端子、铝线、塑料外壳和功率基板;其特征在于芯片、功率端子通过超声波焊接焊接在绝缘基板的导电铜层上;芯片之间、芯片与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合来实现电气连接,键合通过超声波键合;塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接;功率端子和信号端子局部被塑料外壳的注塑包裹。
2.根据权利要求1所述的新型高可靠功率模块,其特征在于       功率端子和信号端子用纯铜或者铜合金材料制成。
3.根据权利要求1所述的新型高可靠功率模块,其特征在于        塑料外壳采用耐高温,绝缘性能良好的塑料制成,包括PBT、PPS、尼龙。
4.根据权利要求1所述的新型高可靠功率模块,其特征在于功率基板设于绝缘基板的底部,在功率基板上设有散热片。
5.根据权利要求1所述的新型高可靠功率模块,其特征在于芯片包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102738099A (zh) * 2012-06-05 2012-10-17 嘉兴斯达微电子有限公司 一种新型高可靠功率模块
CN103779315A (zh) * 2014-01-24 2014-05-07 嘉兴斯达微电子有限公司 一种散热一体化功率模块的封装结构
CN106816445A (zh) * 2017-01-22 2017-06-09 上海道之科技有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管模块

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Address after: Jiaxing City, Zhejiang province 314006 Nanhu District Branch Road No. 988

Patentee after: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

Address before: Sidalu in Nanhu District of Jiaxing city in Zhejiang province 314000 No. 18 (Jiaxing Semiconductor Co.)

Patentee before: Jiaxing Starpower Microelectronics Co., Ltd.

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