CN203179930U - 一种异质结太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，它含有晶体硅基极层（1）、沉积于晶体硅基极层（1）上面的非晶硅钝化层（2）、非晶碳化硅过渡层（3）、非晶碳化硅发射极层（4）、透明导电氧化物层（5）、前电极（7）、背电极（8），在晶体硅基极层（1）的外面设有Al背场（6），背电极（8）设置于Al背场（6）上，前电极（7）设置于透明导电氧化物层（5）上，本实用新型具有较低的温度系数，在使用环境温度较高的条件下具有较高的输出功率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种异质结太阳能电池，特别是一种晶体硅/碳化硅异质结太阳能电池。
背景技术
采用晶体硅作为基极的传统晶硅太阳能电池，一般含有晶体硅基极、晶体硅发射极、钝化及减反射层、前电极、背电极，晶体硅基极外面设有Al背场，背电极安装于Al背场上，前电极安装于钝化及减反射层上。传统的晶硅太阳能电池，由于其具有较高的温度系数，会造成随着使用环境温度的升高而使其输出功率随之降低。电池温度系数越高，输出功率降低的就越大，因而开发具有较低温度系数的晶体硅基太阳能电池显得非常必要。为解决此问题，现有技术中又公开了晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池，该电池虽具有较低的温度系数，但非晶硅层在短波段具有较高的吸收系数，其对入射光短波段的吸收损失会造成电池转换效率降低。
发明内容
本实用新型的目的是想克服上述现有技术中存在的不足，提供一种新的太阳能电池，该太阳能电池为晶体硅/碳化硅异质结太阳能电池，其较传统的晶体硅基同质结太阳能电池具有较低的温度系数和较高的转换效率。
为实现本实用新型的上述目的所采用的技术方案是：一种异质结太阳能电池，包括晶体硅基极层、沉积于晶体硅基极层上面的非晶硅钝化层、透明导电氧化物层、前电极、背电极，在晶体硅基极层的外面设有Al背场，背电极设置于Al背场上，前电极设置于透明导电氧化物层上，其结构特点为在非晶硅钝化层上面设有非晶碳化硅过渡层，在非晶碳化硅过渡层与透明导电氧化物层之间设有非晶碳化硅发射极层。
所述的非晶碳化硅发射极层及其过渡层可采用传统的PECVD（等离子体增强化学气相沉积）方法制备。
本实用新型选用宽禁带的碳化硅层作为发射极，可降低短波段的吸收损失，提升电池效率；并且由于碳化硅的宽禁带，会提升电池的开路电压，从而进一步降低电池的温度系数，使电池在高温环境下的发电性能提升。非晶碳化硅过渡层的存在可提升碳化硅和非晶硅之间的晶格匹配度，降低晶格失配引起的载流子复合，提升电池的光电性能。
附图说明
图1为实用新型一种实施例的截面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述。
由图1可以看出，本实用新型包含晶体硅基极层1、非晶硅钝化层2、非晶碳化硅过渡层3、非晶碳化硅发射极层4、透明导电氧化物层5、Al背场6、前电极7、背电极8，Al背场6覆盖于晶体硅基极层1的外面，晶体硅基极层1的上面沉积非晶硅钝化层2，非晶硅钝化层2的上面沉积非晶碳化硅过渡层3，在非晶碳化硅过渡层3的上面沉积非晶碳化硅发射极层4，在非晶碳化硅发射极层4的上面沉积透明导电氧化物层5，前电极7设置于透明导电氧化物层5上，背电极8设置于Al背场6上。
所述的非晶硅钝化层、非晶碳化硅发射极层及其过渡层可采用传统的PECVD方法制备，透明导电氧化物层可采用磁控溅射方法制备，Al背场、前电极及背电极可采用传统制备晶硅电池中的常用制备方法。上述制备方法均为本领域内的普通技术人员所共知，这里不再重述。
Claims (1)
1.一种异质结太阳能电池，包括晶体硅基极层（1）、沉积于晶体硅基极层（1）上面的非晶硅钝化层（2）、透明导电氧化物层（5）、前电极（7）、背电极（8），在晶体硅基极层（1）的外面设有Al背场（6），背电极（8）设置于Al背场（6）上，前电极（7）设置于透明导电氧化物层（5）上，其特征为在非晶硅钝化层（2）上面设有非晶碳化硅过渡层（3），在非晶碳化硅过渡层（3）与透明导电氧化物层（5）之间设有非晶碳化硅发射极层（4）。
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