CN203134749U - 一种干刻蚀装置的下部电极及干刻蚀装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及干刻蚀技术领域，特别涉及一种干刻蚀装置的下部电极及干刻蚀装置，用于提高基板刻蚀的合格率。本实用新型公开了一种干刻蚀装置的下部电极，包括：电极基底，设置于所述电极基底上的陶瓷层，且所述陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔，以及设置于所述陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。采用本实用新型提供的下部电极对基板进行刻蚀时，基板中部与陶瓷层上表面接触，基板边缘由凸台支撑，如此设置，可以提高刻蚀的均一性，从而提高基板刻蚀的合格率。本实用新型同时还公开了一种干刻蚀装置，包括具有上述特征的干刻蚀装置的下部电极。

Description

一种干刻蚀装置的下部电极及干刻蚀装置
技术领域
本实用新型涉及干刻蚀技术领域，特别涉及一种干刻蚀装置的下部电极及干刻蚀装置。
背景技术
干刻蚀工艺是把基板上无光刻胶掩蔽的金属膜或非金属膜刻蚀掉，使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，从而在基板上形成所需要的图形。
对基板进行干刻蚀是在干刻蚀装置中完成的，而干刻蚀装置的下部电极是进行干刻蚀的关键部件，如图1所示，干刻蚀装置的下部电极包括：电极底板1，阵列状分布在电极底板1上的多个凸起2；其中，凸起2的形状为立方体或半球形。在进行干刻蚀时，将待刻蚀的基板放置在下部电极上，多个凸起2支撑待刻蚀的基板。但在对非金属膜如二氧化硅（以下简称为SiO2）、硅的氮化物（以下简称SiNx）、多晶硅（polycrystalline silicon，以下简称p-Si）、非晶硅（amorphous silicon，以下简称a-Si）等非金属膜刻蚀时，这些材料对刻蚀速率、均一性和坡度角等有较高的要求，导致干刻蚀效果较差，影响基板刻蚀的合格率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种干刻蚀装置的下部电极，用于提高基板刻蚀的合格率。
为了实现上述目的，本实用新型提供以下技术方案：
一种干刻蚀装置的下部电极，包括：电极基底和设置于所述电极基底上的陶瓷层；其中，
所述陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔，以及设置于所述陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。
优选地，所述凸台相对于所述陶瓷层上表面的高度为30～60um。
优选地，所述凸台为陶瓷凸台。
较佳地，所述凸台与所述陶瓷层为一体化结构。
优选地，所述陶瓷层上表面的粗糙度为0.2～0.6。
较佳地，所述吹气孔为圆形孔。
优选地，所述电极基底为铝电极基底。
进一步地，上述干刻蚀装置的下部电极还包括：设置于所述陶瓷层中的静电吸附层，且所述静电吸附层位于所述电极基底上方。
本实用新型同时还提供了一种干刻蚀装置，包括：具有上述特征的干刻蚀装置的下部电极。
在本实用新型中，干刻蚀装置的下部电极包括：电极基底和设置于电极基底上的陶瓷层；其中，陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔，以及设置于陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。如此设置，在对基板进行刻蚀时，特别是对镀有如SiO2、SiNx、p-Si或a-Si等材料膜的基板，可以提高刻蚀的均一性，从而提高基板刻蚀的合格率。
附图说明
图1为现有技术中一种干刻蚀装置的下部电极的结构示意图；
图2为本实用新型实施例一提供的干刻蚀装置的下部电极的结构示意图；
图3为图2中A-A向剖视图。
附图标记：
1-电极底板，2-凸起，5-电极基底，6-陶瓷层，
7-凸台，8-静电吸附层，9-吹气孔。
具体实施方式
为了提高基板刻蚀的合格率，本实用新型提供了一种干刻蚀装置的下部电极，包括：电极基底和设置于电极基底上的陶瓷层；其中，陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔，以及设置于陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。使得在对基板进行刻蚀时，特别是对镀有如SiO2、SiNx、p-Si或a-Si等材料膜的基板，可以提高刻蚀的均一性，从而提高基板刻蚀的合格率。
为了使本领域技术人员更好的理解本实用新型的技术方案，下面结合说明书附图对本实用新型实施例进行详细的描述。
如图2、图3所示，本实用新型实施例提供的干刻蚀装置的下部电极，包括：电极基底5和设置于电极基底5上的陶瓷层6；其中，陶瓷层6具有供冷却气体通过的多个吹气孔9，以及设置于陶瓷层6周边且凸出陶瓷层6上表面的凸台7。
在本实施例中，电极基底5和陶瓷层6为平板结构，凸台7相对于陶瓷层6上表面的高度很小，凸台7相对于陶瓷层6上表面的高度H为30～60um，在本实施例中，凸台7相对于陶瓷层6上表面的高度H为50um；因此，可将下部电极近似看作为平板电极。当将具有上述SiO2、SiNx、p-Si或a-Si膜层的基板放置在该下部电极上时，基板在自身重力用下中部与陶瓷层6上表面接触，基板其它部分由凸台7支撑，使得基板与下部电极之间具有一定的倾斜角，从而提高了刻蚀的均一性，进而提高了基板刻蚀的合格率。同时，因凸台7会支撑基板周边，使得基板与陶瓷层6上表面之间具有间隙，有利于从吹气孔9中喷出的冷却气体对基板冷却，这里冷却气体优选氦气，使基板各个位置的温度基板趋于一致，进而进一步提高基板刻蚀的合格率。
因下部电极的工作环境温度较高，优选地，上述凸台7为陶瓷凸台；较佳地，凸台7与陶瓷层6为一体化结构。
为了提高干刻蚀工序的合格率，优选地，上述陶瓷层6上表面的粗糙度Ra为0.2～0.6。
优选地，上述吹气孔9为圆形孔；吹气孔9的孔径通常为0.06mm。
优选地，上述电极基底5为铝电极基底。
为了进一步提高干刻蚀的合格率，上述干刻蚀装置的下部电极还包括：设置于陶瓷层6中的静电吸附层8，且静电吸附层8位于电极基底5上方。如此设置，可以吸附在基板表面的铜等金属颗粒，有利于提高干刻蚀工序的合格率。
本实用新型实施例同时还提供了一种干刻蚀装置，包括：具有上述技术特征的干刻蚀装置的下部电极。
综上所述，采用本实用新型提供的下部电极对基板进行刻蚀时，基板在自身重力用下中部与陶瓷层上表面接触，基板其它部分由凸台支撑，如此设置，可以提高刻蚀的均一性，从而提高基板刻蚀的合格率。本实用新型同时还公开了一种干刻蚀装置，包括具有上述特征的干刻蚀装置的下部电极。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种干刻蚀装置的下部电极，其特征在于，包括：电极基底和设置于所述电极基底上的陶瓷层；其中，
所述陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔，以及设置于所述陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。
2.如权利要求1所述的干刻蚀装置的下部电极，其特征在于，所述凸台相对于所述陶瓷层上表面的高度为30～60um。
3.如权利要求2所述的干刻蚀装置的下部电极，其特征在于，所述凸台为陶瓷凸台。
4.如权利要求3所述的干刻蚀装置的下部电极，其特征在于，所述凸台与所述陶瓷层为一体化结构。
5.如权利要求1所述的干刻蚀装置的下部电极，其特征在于，所述陶瓷层上表面的粗糙度为0.2～0.6。
6.如权利要求1所述的干刻蚀装置的下部电极，其特征在于，所述吹气孔为圆形孔。
7.如权利要求1所述的干刻蚀装置的下部电极，其特征在于，所述电极基底为铝电极基底。
8.如权利要求1-7任一所述的干刻蚀装置的下部电极，其特征在于，还包括：设置于所述陶瓷层中的静电吸附层，且所述静电吸附层位于所述电极基底上方。
9.一种干刻蚀装置，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一所述的干刻蚀装置的下部电极。
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CN103943450A (zh) * 2013-12-24 2014-07-23 成都天马微电子有限公司 一种干刻设备的电极和干刻设备

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103500695A (zh) * 2013-10-08 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 干刻蚀下部电极及干刻蚀装置
CN103500695B (zh) * 2013-10-08 2016-04-27 京东方科技集团股份有限公司 干刻蚀下部电极及干刻蚀装置
CN103943450A (zh) * 2013-12-24 2014-07-23 成都天马微电子有限公司 一种干刻设备的电极和干刻设备
CN103943450B (zh) * 2013-12-24 2016-05-18 成都天马微电子有限公司 一种干刻设备的电极和干刻设备

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