CN203118413U - 一种像素单元驱动电路、像素单元及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种像素单元驱动电路、像素单元及显示装置。一种像素单元驱动电路，用于驱动发光器件发光，其中第一薄膜晶体管的栅极与扫描线相连，第一极与数据线相连，第二极与第一节点相连；第二薄膜晶体管的一个栅极与扫描线相连，另一个栅极与第二控制线相连，第一极与存储电容相连，第二极与第二节点相连；第三薄膜晶体管的一个栅极与第一节点相连，另一个栅极与第二控制线相连，第一极与电源相连，第二极与第二节点相连；存储电容的一端与第一节点相连，另一端与第二薄膜晶体管的第一极相连；发光器件的一端与第二节点相连，另一端接地。相应地，提供一种像素单元及显示装置。本实用新型所述像素单元驱动电路能够减少甚至消除阈值电压的变化对驱动电压的影响。

Description

一种像素单元驱动电路、像素单元及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示驱动技术领域，具体涉及一种像素单元驱动电路、像素单元及显示装置。

背景技术

OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。

有机电致发光显示器中的OLED像素单元一般以矩阵方式排列，并且按照OLED像素单元驱动电路驱动方式的不同，可以分为无源矩阵（Passive Matrix-Organic Light Emission Display，简称PM-OLED）驱动方式和有源矩阵（Active Matrix-Organic LightEmission Display，简称AM-OLED）驱动方式两种。其中，PM-OLED驱动方式虽然工艺简单，成本较低，但因存在交叉串扰、高功耗、低寿命等缺点，不能满足高分辨率大尺寸显示的需要。相比之下，AM-OLED驱动方式在每一个像素单元中都集成了一组薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）和存储电容，以组成像素单元驱动电路，通过对TFT的驱动控制，实现对通过OLED的电流的控制，从而使OLED发光。由于加入了TFT和存储电容，使得像素单元驱动电路中的OLED在可控的一帧时间内都能够发光，而且所需驱动电流小，功耗低，寿命更长，可以满足高分辨率多灰度的大尺寸显示需要。同时，AM-OLED在可视角度、色彩的还原、功耗以及响应时间等方面具有明显的优势，适用于高信息含量、高分辨率的显示器。

如图1所示，现有的AM-OLED像素单元驱动电路一般采用2T1C结构，即包括两个薄膜晶体管和一个存储电容，分别为开关晶体管T₁、驱动晶体管T₂和存储电容Cs。其驱动方式可以包括两个阶段，即数据写入阶段和数据保持阶段。

在数据写入阶段中，AM-OLED驱动电路的扫描线输出行选通信号V_Sel选通开关晶体管T₁所在的行，使得开关晶体管T₁导通，该选通行的数据线输出数据电压V_data经过开关晶体管T₁进入像素单元，对存储电容Cs进行充电，随着驱动晶体管T₂的栅极电位逐渐提高，使得驱动晶体管T₂开始导通，在编程稳定阶段驱动晶体管T₂工作于饱和区，根据TFT饱和区的源漏电流公式，驱动晶体管T₂的输出电流（即通过OLED的电流）为：

$I_{T_2}=I_{\mathrm{OLED}}=\frac{1}{2}{\mathrm{\μ}}_n{C}_{\mathrm{ox}}\frac{W}{L}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{th}})}^2---\left(1\right)$

式（1）中，μ_n为OLED的电子迁移率，C_ox为OLED单位面积的绝缘侧电容，W为驱动晶体管T₂的沟道宽度，L为驱动晶体管T₂的沟道长度，V_GS为驱动晶体管T₂的栅源电压，V_th为驱动晶体管T₂的阈值电压。

在数据保持阶段中，AM-OLED驱动电路的扫描线输出行选通信号V_Sel未选通开关晶体管T₁所在的行，使得开关晶体管T₁关断，此时驱动晶体管T₂的栅极电位由于存储电容Cs中存储电荷的作用而保持不变，从而保持驱动晶体管T₂处于导通状态，同时在给定的电源电压V_dd的作用下使OLED进行灰阶发光，并在数据保持阶段保持对OLED的持续驱动。

从通过OLED的电流表达式（即，公式(1)）可以看出，该电流不仅受数据电压V_data的控制，同时也受驱动晶体管T₂阈值电压V_th的影响，即现有的2T1C结构无法对阈值电压V_th的漂移或者阈值电压V_th的不一致进行补偿。由于各像素单元驱动电路中的驱动晶体管T₂不可能具备完全一致的性能参数，又没有对各像素单元驱动电路中的驱动晶体管T₂的阈值电压V_th进行补偿，势必会造成流过各像素单元中OLED的电流不一致，使得各像素单元发光亮度不均，从而造成整个显示屏亮度不均匀，影响显示效果；而且，由于流过各像素单元中OLED的电流和数据电压V_data呈非线性关系，故不利于整个显示屏灰度的调节。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷，提供一种能够减少甚至消除阈值电压的变化对驱动电压的影响的像素单元驱动电路、像素单元及显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案：

所述像素单元驱动电路用于驱动发光器件发光，其包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和存储电容，其中第一至第三薄膜晶体管均包括栅极、第一极和第二极；

所述第一薄膜晶体管的栅极与扫描线相连，第一极与数据线相连，第二极与第一节点相连；

所述第二薄膜晶体管的栅极采用两个，其中一个栅极与扫描线相连，另一个栅极与第二控制线相连，第一极与存储电容相连，第二极与第二节点相连；

所述第三薄膜晶体管的栅极采用两个，其中一个栅极与第一节点相连，另一个栅极与第二控制线相连，第一极与电源相连，第二极与第二节点相连；

所述存储电容的一端与第一节点相连，另一端与第二薄膜晶体管的第一极相连；

所述发光器件的一端与第二节点相连，另一端接地。

优选地，所述第一节点与扫描线相连。

优选地，所述驱动电路还包括第四薄膜晶体管，其包括栅极、第一极和第二极；所述第四薄膜晶体管的栅极与第一控制线相连，第一极与第二节点相连，第二极接地。

优选地，各个薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管；

和/或，所述发光器件为有机发光二极管。

本实用新型还提供一种像素单元，包括发光器件和与之相连的上述像素单元驱动电路。

本实用新型还提供一种显示装置，包括多个呈矩阵分布的上述像素单元。

有益效果：

本实用新型所述像素单元驱动电路由于采用4T1C的结构（即包括第一至第四薄膜晶体管和存储电容），能够减少甚至消除第三薄膜晶体管（即驱动晶体管）的阈值电压变化对发光器件（OLED）的驱动电压的影响，从而保证了发光器件的驱动电压和驱动电流的稳定，也保证了每个像素单元中发光器件能够正常显示，以及保证了整个显示界面的均一性，提高了显示装置的品质。

附图说明

图1为现有技术中AM-OLED像素单元驱动电路的结构示意图；

图2为本实用新型实施例1所述像素单元驱动电路的结构示意图；

图3为本实用新型实施例1所述像素单元驱动方法的流程图；

图4为图2所述像素单元驱动电路的时序控制图；

图5为本实用新型实施例2所述像素单元驱动电路的结构示意图；

图6为本实用新型实施例2所述像素单元驱动方法的流程图；

图7为图5所述像素单元驱动电路的时序控制图；

图8为本实用新型实施例3所述像素单元驱动电路的结构示意图；

图9为本实用新型实施例3所述像素单元驱动电路及与其相连的OLED所组成的矩阵结构示意图；

图10为本实用新型实施例3所述像素单元驱动方法的流程图；

图11为图8所述像素单元驱动电路的时序控制图。

图中：T1－第一薄膜晶体管；T2－第二薄膜晶体管；T3－第三薄膜晶体管；T4－第四薄膜晶体管；OLED－有机发光二极管；Cs－存储电容；A－第一节点；B－第二节点；Gate－扫描线；Data－数据线；Scan1－第一控制线；Scan2－第二控制线。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和实施例对本实用新型所述像素单元驱动电路、像素单元及显示装置作进一步详细描述。

实施例1：

如图2所示，本实施例提供一种像素单元驱动电路，用于驱动发光器件发光，其包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和存储电容Cs。

其中，所述第一薄膜晶体管T1包括栅极、第一极和第二极，所述栅极与扫描线Gate相连，所述第一极与数据线Data相连，所述第二极与第一节点A相连。

所述第二薄膜晶体管T2包括两个栅极、第一极和第二极，即所述第二薄膜晶体管为双栅TFT，所述两个栅极中的一个栅极与扫描线Gate相连，另一个栅极与第二控制线Scan2相连，所述第一极与存储电容Cs相连，所述第二极与第二节点B相连。

所述第三薄膜晶体管T3包括两个栅极、第一极和第二极，即所述第三薄膜晶体管为双栅TFT，所述两个栅极中的一个栅极与第一节点A相连，另一个栅极与第二控制线scan2相连，所述第一极与电源V_dd相连，所述第二极与第二节点B相连。

所述存储电容Cs的一端与第一节点A相连，另一端与第二薄膜晶体管T2的第一极相连。

所述发光器件的一端与第二节点B相连，另一端接地。

优选地，第一至第三薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管。所述N型薄膜晶体管具有栅极输入高电平信号后导通，栅极输入低电平信号后关断的特性。

优选地，所述发光器件为有机发光二极管（OLED，OrganicLight-Emitting Diode）。

优选地，第一至第三薄膜晶体管的第一极均为源极，第二极均为漏极；或者，第一至第三薄膜晶体管的第一极均为漏极，第二极均为源极。

本实施例还提供一种包括发光器件和与之相连的上述像素单元驱动电路的像素单元。

本实施例还提供一种包括多个呈矩阵分布上述像素单元的显示装置。

如图3所示，本实施例还提供一种应用于上述像素单元驱动电路的像素单元驱动方法，包括如下步骤：

s101.将第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导通，并对存储电容Cs进行充电，当所述存储电容Cs两端的电压达到第三薄膜晶体管T3的阈值电压V_th(T3)时，使得第三薄膜晶体管T3开始导通。

具体地，通过扫描线Gate和数据线Data输入高电平信号，同时通过第二控制线Scan2输入低电平信号。

s102.保持第二薄膜晶体管T2导通，同时将第一薄膜晶体管T1关断，使得第三薄膜晶体管T3持续导通，以使所述发光器件开始并保持发光。

具体地，通过扫描线Gate输入低电平信号，同时通过数据线Data和第二控制线Scan2输入高电平信号。

下面通过图4所示时序控制图详细描述本实施例所述像素单元驱动电路及驱动方法的工作原理：

将图4所示时序控制图划分为两个阶段，分别为A1阶段和A2阶段，在图4中分别用A1和A2进行标示，且发光器件采用OLED。

A1阶段（数据写入阶段）：

通过扫描线Gate和数据线Data输入高电平信号，同时通过第二控制线Scan2输入低电平信号，使得第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导通，数据线Data输入的高电平信号开始对存储电容Cs进行充电，当所述存储电容Cs两端的电压达到第三薄膜晶体管T3的阈值电压V_th(T3)时，使得第三薄膜晶体管T3开始导通。此阶段第一至第三薄膜晶体管均工作在线性区，且

第一节点A的电压

V_A=V_Data              （2）

式（2）中，V_Data指的是数据线Data输出的电压，简称为数据电压；

第二节点B的电压

$V_B=V_A-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}-V_{\mathrm{OLED}}=V_{\mathrm{Data}}-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}-\frac{C_{\mathrm{OLED}}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}}=-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}+\frac{\mathrm{Cs}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}}---\left(3\right)$

式（3）中，V_OLED指的是OLED在未发光时其本身的电容C_OLED对数据电压V_Data造成电压的影响；

存储电容Cs两端的电压

$V_{\mathrm{Cs}}=V_{\mathrm{GS}\left(T3\right)}=V_A-V_B=V_{\mathrm{Data}}-(-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}+\frac{\mathrm{Cs}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}})=V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}+\frac{C_{\mathrm{OLED}}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}}---\left(4\right)$

式（4）中，V_GS为第三薄膜晶体管T3的栅源电压。从式（4）看出，存储电容Cs两端的电压会受到第三薄膜晶体管T3的阈值电压V_th(T3)变化的影响。对于OLED来说，其单位面积的绝缘侧电容一般为25nF/cm²，发光面积为100μm*200μm，故OLED的电容一般为5pF左右，而存储电容Cs的电容一般小于1pF。

A2阶段（驱动发光阶段）：

通过扫描线Gate输入低电平信号，同时通过数据线Data和第二控制线Scan2输入高电平信号，使得第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3持续导通，同时第一薄膜晶体管T1被关断，此时OLED开始发光，由于存储在存储电容Cs上的电荷继续维持第三薄膜晶体管T3的栅极电压，使得OLED在一帧图像的显示时间内保持导通。此阶段第二薄膜晶体管T2工作在线性区，第三薄膜晶体管T3工作在饱和区，且

驱动OLED发光的电流（即OLED的驱动电流）

$I_{\mathrm{OLED}}=\mathrm{\β}\·{(V_{\mathrm{GS}\left(T3\right)}-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)})}^2=\mathrm{\β}\·{(V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}+\frac{C_{\mathrm{OLED}}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}}-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)})}^2$

$\left(5\right)$

$=\mathrm{\β}\·{\left(\frac{C_{\mathrm{OLED}}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}}\right)}^2$

式（5）中，μ_n为OLED的电子迁移率，C_ox为OLED单位面积的绝缘侧电容，W为第三薄膜晶体管T3的沟道宽度，L为第三薄膜晶体管T3的沟道长度。从式（5）可以看出，OLED的驱动电流与第三薄膜晶体管T3的阈值电压V_th(T3)无关，不受其变化的影响，故本实施例所述像素单元驱动电路和驱动方法保证了OLED（发光器件）的驱动电压和驱动电流的稳定，因此保证了整个显示界面的均一性，提高了显示装置的品质。

需要说明的是，图4仅示出了该像素单元驱动电路的部分时序控制图，显示装置每显示一帧图像，扫描线Gate、数据线Data和第二控制线Scan2都会重复A1阶段和A2阶段的输入时序，如此往复。

实施例2：

如图5所示，本实施例提供一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED发光。

本实施例所述像素单元驱动电路与实施例1所述像素单元驱动电路的区别在于：所述第一节点A与扫描线Gate相连。

本实施例还提供一种包括OLED和与之相连的上述像素单元驱动电路的像素单元。

本实施例还提供一种包括多个呈矩阵分布上述像素单元的显示装置。

如图6所示，本实施例还提供一种应用于上述像素单元驱动电路的像素单元驱动方法，包括如下步骤：

s201.将第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导通，并对第一薄膜晶体管T1预压充电，以使第一节点A处具有初始电压。

具体地，通过扫描线Gate输入高电平信号，同时通过数据线Data和第二控制线Scan2输入低电平信号。

s202.保持第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导通，并对存储电容Cs进行充电，当所述存储电容Cs两端的电压达到第三薄膜晶体管T3的阈值电压V_th(T3)时，使得第三薄膜晶体管T3开始导通。

具体地，通过扫描线Gate和数据线Data输入高电平信号，同时通过第二控制线Scan2输入低电平信号。

s203.保持第二薄膜晶体管T2导通，同时将第一薄膜晶体管T1关断，使得第三薄膜晶体管T3持续导通，以使OLED开始并保持发光。

具体地，通过扫描线Gate输入低电平信号，同时通过数据线Data和第二控制线Scan2输入高电平信号。

下面通过图7所示时序控制图详细描述本实施例所述像素单元驱动电路及驱动方法的工作原理：

将图7所示时序控制图划分为三个阶段，分别为B1阶段、B2阶段和B3阶段，在图7中分别用B1、B2和B3进行标示。

B1阶段（预压充电阶段）：

通过扫描线Gate输入高电平信号，同时通过数据线Data和第二控制线Scan2输入低电平信号，使得第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导通，开始对第一薄膜晶体管T1进行预压充电，扫描线Gate输入的高电平信号使得第一节点A具有初始电压ΔP，

此时，第一节点A的电压

V_A=ΔP                    （6）

第二节点B的电压

V_B=ΔP-V_th(T3)            （7）

对第一薄膜晶体管T1进行预压充电可以避免第一薄膜晶体管T1打开时，由于第三薄膜晶体管T3的阈值电压V_th(T3)的影响，导致第一节点A的电压产生漂移，从而影响第三薄膜晶体管T3的栅极处电压。

B2阶段（数据写入阶段）：

通过扫描线Gate和数据线Data输入高电平信号，同时通过第二控制线Scan2输入低电平信号，使得第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2持续导通，数据线Data输入的高电平信号开始对存储电容Cs进行充电，当所述存储电容Cs两端的电压达到第三薄膜晶体管T3的阈值电压V_th(T3)时，使得第三薄膜晶体管T3开始导通。此阶段第一至第三薄膜晶体管均工作在线性区，且

第一节点A的电压

V_A=ΔP+V_Data               （8）

第二节点B的电压

$V_B=V_A-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}-V_{\mathrm{OLED}}=\mathrm{\ΔP}+V_{\mathrm{Data}}-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}-\frac{C_{\mathrm{OLED}}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}}$

$\left(9\right)$

$=\mathrm{\ΔP}-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}+\frac{\mathrm{Cs}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}}$

存储电容Cs两端的电压

$V_{\mathrm{Cs}}=V_{\mathrm{GS}\left(T3\right)}=V_A-V_B=\mathrm{\ΔP}+V_{\mathrm{Data}}-(\mathrm{\ΔP}-V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}+\frac{\mathrm{Cs}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}})$

$\left(10\right)$

$=V_{\mathrm{th}\left(T3\right)}+\frac{C_{\mathrm{OLED}}\·V_{\mathrm{Data}}}{C_{\mathrm{OLED}}+\mathrm{Cs}}$

B3阶段（驱动发光阶段）：

本阶段与实施例1所述A2阶段完全相同，不再赘述。

需要说明的是，图7仅示出了该像素单元驱动电路的部分时序控制图，显示装置每显示一帧图像，扫描线Gate、数据线Data和第二控制线Scan2都会重复B1阶段、B2阶段和B3阶段的输入时序，如此往复。

本实施例中的其他方法及作用都与实施例1相同，这里不再赘述。

实施例3

如图8所示，本实施例提供一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED发光。

本实施例所述像素单元驱动电路与实施例1所述像素单元驱动电路的区别在于：所述驱动电路还包括第四薄膜晶体管T4，其包括栅极、第一极和第二极；所述栅极与第一控制线Scan1相连，所述第一极与第二节点B相连，所述第二极接地。

本实施例还提供一种包括OLED和与之相连的上述像素单元驱动电路的像素单元。

本实施例还提供一种包括多个呈矩阵分布上述像素单元的显示装置。

本实施例所述像素单元驱动电路及与其相连的OLED所组成的矩阵如图9所示，所述显示装置包括图9所示的像素单元驱动电路矩阵及与分别与各个像素单元驱动电路相连的OLED。图9中，Datan指的是第n条与第n列像素单元驱动电路相连的扫描线，Gaten指的是第n条与第n行像素单元驱动电路相连的数据线，Scan1n指的是第n条与第n列像素单元驱动电路相连的第一控制线，Scan2n指的是第n条与第n行像素单元驱动电路相连的第二控制线，其中，n为自然数。

如图10所示，本实施例还提供一种应用于上述像素单元驱动电路的像素单元驱动方法，包括如下步骤：

s301.将第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2关断，同时将第四薄膜晶体管T4导通，以使第二节点B处电压为零。

具体地，通过第一控制线Scan1输入高电平信号，同时通过扫描线Gate、数据线Data和第二控制线Scan2输入低电平信号。

s302.将第四薄膜晶体管T4关断，同时将第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导通，并对第一薄膜晶体管T1预压充电，以使第一节点A处具有初始电压。

具体地，通过扫描线Gate输入高电平信号，同时通过数据线Data、第一控制线Scan1和第二控制线Scan2输入低电平信号。

s303.保持第四薄膜晶体管T4关断，同时保持第一薄膜晶体T1管和第二薄膜晶体管T2导通，并对存储电容Cs进行充电，当所述存储电容Cs两端的电压达到第三薄膜晶体管T3的阈值电压V_th(T3)时，使得第三薄膜晶体管T3开始导通。

具体地，通过扫描线Gate和数据线Data输入高电平信号，同时通过第一控制线Scan1和第二控制线Scan2输入低电平信号。

s304.保持第四薄膜晶体管T4关断、第二薄膜晶体管T2导通，同时将第一薄膜晶体管T1关断，使得第三薄膜晶体管T3持续导通，以使OLED开始并保持发光。

具体地，通过数据线Data和第二控制线Scan2输入高电平信号，同时通过扫描线Gate和第一控制线Scan1输入低电平信号。

下面通过图11所示时序控制图详细描述本实施例所述像素单元驱动电路及驱动方法的工作原理：

将图11所示时序控制图划分为四个阶段，分别为C1阶段、C2阶段、C3阶段和C4阶段，在图11中分别用C1、C2、C3和C4进行标示。

C1阶段（电荷释放阶段）：

通过第一控制线Scan1输入高电平信号，同时通过扫描线Gate、数据线Data和第二控制线Scan2输入低电平信号，使得第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2被关断，同时使得第四薄膜晶体管T4导通，第二节点B接地，从而释放第二节点B处的电荷，使得第二节点B处的电压为零，保证第二节点B处无残余电压和电荷，以避免该残余的电压和电荷影响OLED下一帧图像的灰阶以及影响OLED的驱动。

C2阶段至C4阶段与实施例2所述B1阶段至B3阶段完全相同，不再赘述。且C2阶段至C4阶段中，第一控制线Scan1均输入低电平信号，以使得第四薄膜晶体管T4保持关断。

需要说明的是，图11仅示出了该像素单元驱动电路的部分时序控制图，显示装置每显示一帧一帧图像，扫描线Gate、数据线Data、第一控制线Scan1和第二控制线Scan2都会重复C1阶段、C2阶段、C3阶段和C4阶段的输入时序，如此往复。

本实施例中的其他方法及作用都与实施例2相同，这里不再赘述。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种像素单元驱动电路，用于驱动发光器件发光，其特征在于，包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和存储电容，其中第一至第三薄膜晶体管均包括栅极、第一极和第二极；

所述第一薄膜晶体管的栅极与扫描线相连，第一极与数据线相连，第二极与第一节点相连；

所述第二薄膜晶体管的栅极采用两个，其中一个栅极与扫描线相连，另一个栅极与第二控制线相连，第一极与存储电容相连，第二极与第二节点相连；

所述第三薄膜晶体管的栅极采用两个，其中一个栅极与第一节点相连，另一个栅极与第二控制线相连，第一极与电源相连，第二极与第二节点相连；

所述存储电容的一端与第一节点相连，另一端与第二薄膜晶体管的第一极相连；

所述发光器件的一端与第二节点相连，另一端接地。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一节点与扫描线相连。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括第四薄膜晶体管，其包括栅极、第一极和第二极；所述第四薄膜晶体管的栅极与第一控制线相连，第一极与第二节点相连，第二极接地。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的驱动电路，其特征在于，

各个薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管；

和/或，所述发光器件为有机发光二极管。

5.一种像素单元，其特征在于，包括发光器件和与之相连的如权利要求1-4中任一项所述的像素单元驱动电路。

6.一种显示装置，其特征在于，包括多个呈矩阵分布的如权利要求5所述的像素单元。

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