CN203084413U - 一种掩膜板组和标记实体台 - Google Patents
一种掩膜板组和标记实体台 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203084413U CN203084413U CN 201320005281 CN201320005281U CN203084413U CN 203084413 U CN203084413 U CN 203084413U CN 201320005281 CN201320005281 CN 201320005281 CN 201320005281 U CN201320005281 U CN 201320005281U CN 203084413 U CN203084413 U CN 203084413U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mark
- line width
- width
- entity
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 33
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种掩膜板组和标记实体台。掩膜板组包括：第一掩膜板，包括第一标记图案；第二掩膜板，包括由边线构成的第二标记图案，第二标记图案的线宽为第二掩膜板待测线宽的宽度；第一标记图案对应的几何图形与所述第二标记图案的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记图案对应的几何图形面积小于所述第二标记图案的边线所围成的几何图形面积；当第一掩膜板和第二掩膜板对位时，第一标记图案与第二标记图案的中心重叠。本实用新型，对于既需要进行对位测量，也需要进行线宽测量的层，在该层掩膜板上通过一个标记图案实现对位和线宽测量，降低了标记制作的复杂度及成本，减化了测量程序，便于对位精度监测和线宽测量。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子产品技术领域，尤其涉及一种掩膜板组和标记实体台。
背景技术
在TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管）-LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器）以及其他电子产品的制造中，需要对不同层之间对位，为了衡量对位的精度，需要在Mask（掩膜）或衬底材料上设计一些对位Mark（标记）。另外，为了保证电子产品设计的线宽大小，也需要设计一些线宽测量标记进行对线宽进行监控。
传统的Overlay（覆盖）对位原理是，在第一Mask上设计一个方形对位标记（如图1所示），在第二Mask上设计另一个方形对位标记（如图2所示）。其中，第一Mask上的方形对位标记的面积大于第二Mask上的方形对位标记的面积。进行对位时，利用第一Mask上的对位标记，经过薄膜沉积、曝光显影、刻蚀后，形成对应的薄膜实体1；然后利用第二Mask上的对位标记，在上述的薄膜实体上形成PR胶实体2；得到图3所示的对位标记实体台。
如图4所示，对位测量时，测量横向偏移时可以使用公式A1=（A1B1－A1B2）/2，测量纵向偏移时可以使用公式A2=（A2B1－A2B2）/2。其中，A1B1、A1B2、A2B1、A2B2为偏移参数。
如图5所示，为了监控某一层的线宽大小，在Mask或衬底材料上设计待监测线宽大小相同的线宽测量标记。利用显微镜的测量系统可以获得对应的线宽大小L1。
对于待对位的两层，如果上层还需要进行线宽测量，现有技术需要分别设 计对位标记和线宽测量标记，并分别制作对位标记实体台和线宽测量标记实体。不仅增加了标记的成本，也使得对位精度监测和线宽测量较为耗时。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种掩膜板组和标记实体台，以解决上述技术问题。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：
一种掩膜板组，包括：
第一掩膜板，包括第一标记图案；
第二掩膜板，包括由边线构成的第二标记图案，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度；
所述第一标记图案对应的几何图形与所述第二标记图案的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记图案对应的几何图形面积小于所述第二标记图案的边线所围成的几何图形面积；
当所述第一掩膜板和所述第二掩膜板对位时，所述第一标记图案与所述第二标记图案的中心重叠。
较佳地，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括：
所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度；或者，
所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度；或者，
所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。
在上述任一实施例基础上，较佳地，所述第一标记图案的形状为矩形，所述第二标记图案的边线所围形状为矩形；或者，所述第一标记图案的形状为正八边形，所述第二标记图案的边线所围形状为正八边形；或者，所述第一标记图案的形状为圆形，所述第二标记图案的边线所围形状为圆形；或者，所述第一标记图案的形状为椭圆形，所述第二标记图案的边线所围形状为椭圆形。
一种标记实体台，包括：
采用第一掩膜板的第一标记图案形成的第一标记实体；
在所述第一标记实体上层、采用第二掩膜板的第二标记图案形成的由边线构成的第二标记实体，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度；
所述第一标记实体对应的几何图形与所述第二标记实体的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记实体对应的几何图形面积小于所述第二标记实体的边线所围成的几何图形面积；
所述第一标记实体与所述第二标记实体的中心重叠。
较佳地，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括：
所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度；或者，
所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度；或者，
所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。
在上述任一标记实施例基础上，较佳地，所述第一标记实体的形状为矩形，所述第二标记实体中边线所围形状为矩形；或者，所述第一标记实体的形状为正八边形，所述第二标记实体的边线所围形状为正八边形；或者，所述第一标 记实体的形状为圆形，所述第二标记实体的边线所围形状为圆形；或者，所述第一标记实体的形状为椭圆形，所述第二标记实体的边线所围形状为椭圆形。
本实用新型，对于既需要进行对位测量，也需要进行线宽测量的层，在该层掩膜板上通过一个标记实现对位和线宽测量，降低了标记制作的复杂度及成本，减化了测量程序，便于对位精度监测和线宽测量。
附图说明
图1为现有技术中待对位的第一Mask上的对位标记示意图；
图2为现有技术中待对位的第二Mask上的对位标记示意图；
图3为现有技术中对位标记实体台示意图；
图4为现有技术中对位偏移精度示意图；
图5为现有技术中线宽测量标记示意图；
图6为本实用新型提供的第一Mask上的第一种标记结构示意图；
图7为本实用新型提供的第二Mask上的第一种标记结构示意图；
图8为本实用新型提供的第一Mask上的第一种标记和第二Mask上的第二种标记的位置关系示意图；
图9为本实用新型提供的一种标记中测量参数示意图；
图10为本实用新型提供的第二种标记结构及位置关系示意图；
图11为本实用新型提供的第三种标记结构及位置关系示意图；
图12为本实用新型提供的第四种标记结构及位置关系示意图；
图13为本实用新型提供的第五种标记结构及位置关系示意图。
具体实施方式
对于待对位的两层，将先制作在衬底材料上的一层称作下层，将后制作在衬底材料上的一层称作上层。如果上层还需要进行线宽测量，本实用新型提供一种标记设计结构，使得上层的对位标记和线宽测量标记由同一个标记实现， 从而降低标记制作的复杂度及成本，减化测量程序，便于对位精度监测和线宽测量。
下面将结合附图，对本实用新型实施例提供的技术方案进行详细描述。
本实用新型实施例提供的一种设计有标记图案的Mask组，包括第一Mask和第二Mask。其中，第一Mask即上述的下层Mask，第二Mask即上述的上层Mask。
如图6所示，第一Mask包括第一标记图案3；如图7所示，第二Mask包括由边线构成的第二标记图案4，该第二标记图案4边线的线宽为上层Mask待测线宽的宽度。由于图6以矩形为例对标记图案进行说明，因此，第二标记图案4具体由纵向延伸的一对边线41和横向延伸的一对边线42构成。
第一标记图案3对应的几何图形与第二标记图案4的边线所围成的几何图形为相似图案，且第一标记图案3对应的几何图形面积小于第二标记图案4的边线所围成的几何图形面积。
第一标记图案3和第二标记图案4套刻用于对第一Mask和第二Mask进行对位测量。相应的，如图8所示，当上下两层Mask对位时，第一标记图案3与第二标记图案4的中心重叠。
对于图8中所示的第一Mask上的第一标记图案3和第二Mask上的第二标记图案4，使用其进行对位精度测量和线宽测量时，具体测量参数如图9所示。其中，L1为上层Mask纵向待测线宽，L2为上层Mask横向待测线宽，A1B1、A2B2、A2B1和A1B2为对位偏移参数。
应当指出的是，图9所示，第二标记图案纵向延伸的一条边线的线宽为第二Mask纵向待测线宽的宽度，第二标记图案横向延伸的一条边线的线宽为第二Mask横向待测线宽的宽度。其中，还可以是图9所示的第二标记图案纵向延伸的另一条边线（或纵向延伸的两条边线各自）的线宽为第二Mask纵向待测线宽的宽度，第二标记图案横向延伸的另一条边线（或横向延伸的两条边线各自）的线宽为第二Mask横向待测线宽的宽度。也可以是图9所示的第二标 记图案纵向延伸的一条边线的线宽为第二Mask纵向待测线宽的宽度，第二标记图案纵向延伸的另一条边线的线宽为第二Mask横向待测线宽的宽度。也可以是图9所示的第二标记图案横向延伸的一条边线的线宽为第二Mask纵向待测线宽的宽度，第二标记图案横向延伸的另一条边线的线宽为第二Mask横向待测线宽的宽度。也可以是图9所示的第二标记图案纵向延伸的至少一条边线的线宽为第二Mask横向待测线宽的宽度，第二标记图案横向延伸的至少一条边线的线宽为第二Mask纵向待测线宽的宽度。另外，以图9所示第二标记图案纵向延伸的一条边线为例，该条边线的线宽既可以处处相同，也可以是用于围成对位几何图形的部分线宽与用于线宽测量部分的线宽不同。
应当指出的是，图6和图7仅以一种形状进行举例，对本实用新型的标记进行说明。第一标记图案和第二标记图案的具体形状不仅限于图6和图7所示。
例如，本实用新型提供的标记图案还可以如图10～13所示。
图10中，第二标记图案4的两对边线41和42并未相交，第二标记图案4的两对边线41和42所围成的矩形如虚线框所示，具体是指纵向延伸的一对边线41和横向延伸的一对边线42的延长线所围成的矩形。
图13中，第二标记图案4的两对边线41和42并未相交，第二标记图案4的两对边线41和42所围成的矩形如虚线框所示，具体是指纵向延伸的一对边线41的延长线和横向延伸的一对边线42的延长线所围成的矩形。
使用图10～图13中所示的标记进行对位精度测量和线宽测量时，具体测量参数可以参照上述图6～图9所示的实施例描述，这里不再赘述。
在上述任一实施例基础上，较佳地，所述第一标记图案的形状具体为正方形，所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线和横向延伸的一对边线所围形状为正方形。
应当指出的是，第一标记图案和第二标记图案的形状不仅可以是矩形，还可以是其他能够实现对位的几何图形。作为举例而非限定：
第一标记图案的形状还可以为正八边形，相应的，第二标记图案的边线所 围形状为正八边形。其中，正八边形中有一对边线沿所在Mask纵向延伸，另一对边线沿所在Mask横向延伸。
第一标记图案的形状还可以为圆形，相应的，第二标记图案的边线所围形状为圆形。
第一标记图案的形状还可以为椭圆形，相应的，第二标记图案的边线所围形状为椭圆形。
本实用新型实施例还提供了一种标记实体台，包括采用第一Mask的第一标记图案形成的第一标记实体，和在第一标记实体上层、采用第二Mask的第二标记图案形成的由边线构成的第二标记实体，该第二标记实体边线的线宽为所述第二Mask待测线宽的宽度。
第一标记实体对应的几何形状与第二标记实体的边线所围成的几何形状为相似图案，且第一标记实体对应的几何图形面积小于第二标记实体的边线所围成的几何形状面积。
为了实现对第一Msak和第二Mask的对位测量，第一标记实体与第二标记实体的中心重叠。
本实用新型提供的由上述任一实施例所述的Mask组形成的用于对位和线宽测量的标记，其具体实现结构及位置关系可以参照图6～图8、图10～图13，重复之处不再赘述。
较佳地，本实用新型提供的由上述任一实施例所述的Mask组形成的用于对位和线宽测量的标记中，所述第二标记实体的边线的线宽与所述上层Mask待测线宽的宽度的对应关系可以但不仅限于是：
所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二Mask纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二Mask横向待测线宽的宽度；或者，
所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二Mask纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的 另一条边线的线宽为所述第二Mask横向待测线宽的宽度；或者，
所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二Mask纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二Mask横向待测线宽的宽度。
在上述任一标记实施例基础上，较佳地，所述第一标记实体的形状为正方形，所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线和横向延伸的一对边线所围形状为正方形。
应当指出的是，第一标记实体和第二标记实体的形状不仅可以是矩形，还可以是其他能够实现对位的几何图形。作为举例而非限定：
第一标记实体的形状还可以为正八边形，相应的，第二标记实体的边线所围形状为正八边形。其中，正八边形中有一对边线沿对应Mask纵向延伸，另一对边线沿对应Mask横向延伸。
第一标记实体的形状还可以为圆形，相应的，第二标记实体的边线所围形状为圆形。
第一标记实体的形状还可以为椭圆形，相应的，第二标记实体的边线所围形状为椭圆形。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种掩膜板组，其特征在于，包括：
第一掩膜板，包括第一标记图案；
第二掩膜板，包括由边线构成的第二标记图案，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度；
所述第一标记图案对应的几何图形与所述第二标记图案的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记图案对应的几何图形面积小于所述第二标记图案的边线所围成的几何图形面积；
当所述第一掩膜板和所述第二掩膜板对位时，所述第一标记图案与所述第二标记图案的中心重叠。
2.根据权利要求1所述的掩膜板组，其特征在于，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括：
所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。
3.根据权利要求1所述的掩膜板组，其特征在于，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括：
所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。
4.根据权利要求1所述的掩膜板组，其特征在于，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括：
所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。
5.根据权利要求1～4任一项所述的掩膜板组，其特征在于，所述第一标 记图案的形状为矩形，所述第二标记图案的边线所围形状为矩形；或者，
所述第一标记图案的形状为正八边形，所述第二标记图案的边线所围形状为正八边形；或者，
所述第一标记图案的形状为圆形，所述第二标记图案的边线所围形状为圆形；或者，
所述第一标记图案的形状为椭圆形，所述第二标记图案的边线所围形状为椭圆形。
6.一种标记实体台，其特征在于，包括：
采用第一掩膜板的第一标记图案形成的第一标记实体；
在所述第一标记实体上层、采用第二掩膜板的第二标记图案形成的由边线构成的第二标记实体，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度；
所述第一标记实体对应的几何图形与所述第二标记实体的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记实体对应的几何图形面积小于所述第二标记实体的边线所围成的几何图形面积；
所述第一标记实体与所述第二标记实体的中心重叠。
7.根据权利要求6所述的标记实体台，其特征在于，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括：
所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。
8.根据权利要求6所述的标记实体台，其特征在于，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括：
所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。
9.根据权利要求6所述的标记实体台，其特征在于，所述边线的线宽为 所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括：
所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。
10.根据权利要求6～9任一项所述的标记实体台，其特征在于，所述第一标记实体的形状为矩形，所述第二标记实体的边线所围形状为矩形；或者，
所述第一标记实体的形状为正八边形，所述第二标记实体的边线所围形状为正八边形；或者，
所述第一标记实体的形状为圆形，所述第二标记实体的边线所围形状为圆形；或者，
所述第一标记实体的形状为椭圆形，所述第二标记实体的边线所围形状为椭圆形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320005281 CN203084413U (zh) | 2013-01-07 | 2013-01-07 | 一种掩膜板组和标记实体台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320005281 CN203084413U (zh) | 2013-01-07 | 2013-01-07 | 一种掩膜板组和标记实体台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203084413U true CN203084413U (zh) | 2013-07-24 |
Family
ID=48830237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201320005281 Expired - Lifetime CN203084413U (zh) | 2013-01-07 | 2013-01-07 | 一种掩膜板组和标记实体台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203084413U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104570589A (zh) * | 2013-10-12 | 2015-04-29 | 北大方正集团有限公司 | 掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法 |
| CN112582324A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种标记及其制作方法 |
-
2013
- 2013-01-07 CN CN 201320005281 patent/CN203084413U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104570589A (zh) * | 2013-10-12 | 2015-04-29 | 北大方正集团有限公司 | 掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法 |
| CN104570589B (zh) * | 2013-10-12 | 2018-08-07 | 北大方正集团有限公司 | 掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法 |
| CN112582324A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种标记及其制作方法 |
| CN112582324B (zh) * | 2019-09-27 | 2022-11-11 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种标记及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103744214B (zh) | 一种液晶显示器的玻璃基板的曝光方法 | |
| CN104006777B (zh) | 一种二维大行程精密工作台测量系统自标定方法 | |
| WO2017140034A1 (zh) | 套刻键标、形成套刻键标的方法和测量套刻精度的方法 | |
| CN106019860B (zh) | 一种套刻精度的确定方法 | |
| WO2015096665A1 (zh) | Pcb板涨缩补偿方法 | |
| CN106019814B (zh) | 掩膜板及膜层的制备方法 | |
| CN106773525B (zh) | 掩模板、对位方法、显示面板、显示装置及其对盒方法 | |
| CN104423144A (zh) | 一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法 | |
| TW388803B (en) | A structure and method of measuring overlapping marks | |
| CN105974638B (zh) | 一种显示基板及显示装置 | |
| CN108196408B (zh) | Coa基板的测试键以及使用其的测试方法 | |
| CN105865389B (zh) | 一种微纳米标准样板及其循迹方法 | |
| CN105867066B (zh) | 掩膜板、显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 | |
| US9298034B1 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| CN203084413U (zh) | 一种掩膜板组和标记实体台 | |
| CN203941362U (zh) | 液晶面板 | |
| CN107037692A (zh) | 掩膜组件及对准量测方法 | |
| CN102749815B (zh) | 套刻精度的检测方法 | |
| CN204102865U (zh) | 一种对准测量结构 | |
| WO2018076591A1 (zh) | 用于设备的方法、制造掩膜版或显示基板的方法及系统 | |
| US11994810B2 (en) | Alignment mark, mask and display substrate motherboard | |
| CN104317170A (zh) | 测量套刻精度的方法及装置、光刻方法 | |
| CN103832966B (zh) | 半导体器件的形成方法及检测方法 | |
| CN105157651A (zh) | 一种敷型涂覆膜厚度的测量方法、装置及系统 | |
| CN206116392U (zh) | 套准标记结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20150707 Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY Effective date: 20150707 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150707 Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Patentee after: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 100176 Beijing city in Western Daxing District economic and Technological Development Zone, Road No. 8 Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130724 |