CN105157651A - 一种敷型涂覆膜厚度的测量方法、装置及系统 - Google Patents

一种敷型涂覆膜厚度的测量方法、装置及系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,在获取元器件的长度L1、高度H,元器件的器件封装长度L2和敷型涂覆膜的光圈长度L3后,根据其几何关系计算出元器件周围平坦区域敷型涂覆膜厚度D。该方法以电路板上的元器件作为测量点,不需要特殊的布局要求,并可以针对每个电子元器件周围进行敷型涂覆膜厚度的检查,准确的测量敷型涂覆膜的厚度。

Description

一种敷型涂覆膜厚度的测量方法、装置及系统
技术领域
本发明涉及敷型涂覆膜测量技术,具体为一种敷型涂覆膜厚度的测量方法、装置及系统。
背景技术
敷型涂覆是保护电路板的一种常用方式,敷型涂覆膜厚度的测量和管控对其防护能力起着重要的作用。敷型涂覆膜过薄,防护能力达不到要求,敷型涂覆膜过厚,在温度冲击环境中会产生裂纹,使防护能力失效。
根据GB_T13452.2-1992,当前测量敷型涂覆膜厚度的方法有机械法、磁感应干膜测厚仪以及湿膜测厚法。上述方法对产品有一定的空间布局要求,例如,要求有板面上有9mm2的连续铜皮供测厚仪放置探头,而电路板上元器件较为密集,通常很难找到能够达到要求的连续铜皮,并且上述测量模式均为以测量一点代替产品整个平面敷型涂覆膜的厚度情况,在一定程度上测量值不能真实反映产品整个平面敷型涂覆膜的厚度情况。
发明内容
本发明提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,以电路板上的元器件作为测量点,不需要特殊的布局要求,并可以针对每个电子元器件周围进行敷型涂覆膜厚度的检查,准确的测量敷型涂覆膜的厚度。
为实现上述目的,本申请提供了如下技术方案:
一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,包括:
获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
利用公式计算得到敷型涂覆膜厚度D。
优选的,所述获得元器件的长度L1、高度H,包括:
通过实际测量或电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H。
优选的,所述获得元器件的封装长度L2,包括:
通过实际测量或电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2
优选的,所述获得元器件的敷型涂覆膜上的光圈长度L3,包括:
通过具有测量功能的显微镜测量获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
优选的,所述获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3,还包括:
在封装前,获得元器件的长度L1、高度H;
在封装后,进行敷型涂覆前,获得元器件的封装长度L2
在敷型涂覆膜完全固化后,获得元器件的敷型涂覆膜上的光圈长度L3
一种敷型涂覆膜厚度的测量装置,包括:
获取单元,用于获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
计算单元,用于利用公式计算得到敷型涂覆膜厚度D。
优选的,所述获取单元包括:
第一获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H;
第二获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2
第三获取单元,用于获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
一种敷型涂覆膜厚度的测量系统,包括:显微镜和处理器,其中:
所述显微镜,用于测量得到所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
所述处理器用于:获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3;并利用公式计算得到敷型涂覆膜厚度D。
优选的,所述处理器包括:
获取单元,用于获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
计算单元,用于利用公式计算得到敷型涂覆膜厚度D。
优选的,所述获取单元包括:
第一获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H;
第二获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2
第三获取单元,用于获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
本发明提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,在获取元器件的长度L1、高度H,元器件的器件封装长度L2和敷型涂覆膜的光圈长度L3后,根据其几何关系计算出元器件周围平坦区域敷型涂覆膜厚度D。该方法以电路板上的元器件作为测量点,不需要特殊的布局要求,并可以针对每个电子元器件周围进行敷型涂覆膜厚度的检查,准确的测量敷型涂覆膜的厚度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1本发明提供的一种敷型涂覆膜厚度的测量方法的物理模型结构图;
图2本发明提供的一种敷型涂覆膜厚度的测量方法的流程图;
图3本发明提供的一种敷型涂覆膜厚度的测量方法的物理模型平面图;
图4本发明提供的一种敷型涂覆膜厚度的测量装置的示意图;
图5本发明提供的一种敷型涂覆膜厚度的测量装置的获取单元示意图;
图6本发明提供的一种敷型涂覆膜厚度的测量系统的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
因电子元器件肩部的敷型涂覆膜厚度是一个定值,该值的大小只和电子元器件肩部半径和敷型涂覆材料的粘度有关。故敷型涂覆膜将以电子元器件肩部为起点,沿着电子元器件封装焊点的斜面向下不断进行堆积。而敷型涂覆膜在电子元器件封装焊点上堆积出的斜面与敷型涂覆膜在电子印刷版上形成的平面交接处形成的痕迹,即为光圈。所述敷型涂覆膜101、光圈102,焊点斜面103和电子元器件104之间的结构位置如图1所示。将封装焊点斜面的垂直剖面等效为一个直角三角形,电子元器件的垂直剖面等效为一个矩形,以矩形左上角的顶点为圆心,以直角三角形的斜边为半径画圆,则轨迹圆的一部分即为随着电子元器件周围平坦区域敷型涂覆膜厚度变化而引起光圈位置变化的连续轨迹。
有鉴于此,本发明提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,在不需要对敷型涂覆膜造成破坏的前提下,准确的测量敷型涂覆膜的厚度。
如图2所示,本实施例提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,包括:
S101、获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
S102、利用公式计算得到敷型涂覆膜厚度D。
如图3所示,D为敷型涂覆膜厚度,所述敷型涂覆膜厚度为电子元器件周围平坦区域的敷型涂覆膜厚度,所述电子元器件周围平坦区域为:所有距离光圈5mm的点形成的连线圈与光圈之间的区域;H为元器件高度;L1为元器件长度;L2为元器件封装长度;L3为敷型涂覆膜上的光圈长度;R为封装焊点斜面长度;上述数据单位均为mm。
根据几何关系,在封装焊点斜面的直角三角形中可以得到公式:
( L 2 - L 1 2 ) 2 + H 2 = R 2
以R为斜边,以元器件高度H与电子元器件周围平坦区域敷型涂覆膜厚度D的差为一个直角边,以敷型涂覆膜上的光圈长度L3与元器件长度L1的差的一半为另一个直角边,构成直角三角形,得到公式:
( L 3 - L 1 2 ) 2 + ( H - D ) 2 = R 2
由上述两个公式可知:
( L 3 - L 1 2 ) 2 + ( H - D ) 2 = ( L 2 - L 1 2 ) 2 + H 2 = R 2
再经过变换即可得到公式:
D = H - ( L 2 - L 1 2 ) 2 + H 2 - ( L 3 - L 1 2 ) 2
本发明提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,在获取元器件的长度L1、高度H,元器件的器件封装长度L2和敷型涂覆膜的光圈长度L3后,根据其几何关系计算出元器件周围平坦区域敷型涂覆膜厚度D。该方法以电路板上的元器件作为测量点,不需要特殊的布局要求,并可以针对每个电子元器件周围进行敷型涂覆膜厚度的检查,准确的测量敷型涂覆膜的厚度。
此外,需要说明的是,本发明提供的一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,由于只是针对元器件的长度L1、高度H、封装长度L2和元器件上敷型涂覆膜的光圈长度L3,进行测量,并不会对元器件上的敷型涂覆膜造成破坏,保护了敷型涂覆膜的防护能力。
可选的,在本发明的另一实施例中,所述获得元器件的长度L1、高度H,包括:
通过实际测量或电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H。
可选的,在本发明的另一实施例中,所述获得元器件的封装长度L2,包括:
通过实际测量或电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2。
可选的,在本发明的另一实施例中,所述获得元器件的敷型涂覆膜上的光圈长度L3,包括:
通过具有测量功能的显微镜测量获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
可选的,在本发明的另一实施例中,所述获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3,还包括:
在封装前,获得元器件的长度L1、高度H;
在封装后,进行敷型涂覆前,获得元器件的封装长度L2
在敷型涂覆膜完全固化后,将元器件置于具有可读数显微镜下,获得元器件的敷型涂覆膜上的光圈长度L3
如图4所示,本发明另一实施例提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量装置,包括:
获取单元210,用于获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
计算单元220,用于利用公式计算得到敷型涂覆膜厚度D。
本发明实施例提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量装置,在通过获取单元210得到元器件的长度L1、高度H,元器件的器件封装长度L2和敷型涂覆膜的光圈长度L3后,在通过计算单元220根据其几何关系计算出元器件周围平坦区域敷型涂覆膜厚度D。该方法以电路板上的元器件作为测量点,不需要特殊的布局要求,并可以针对每个电子元器件周围进行敷型涂覆膜厚度的检查,准确的测量敷型涂覆膜的厚度。
可选的,如图5所示,在本发明的另一实施例中,所述获取单元210包括:
第一获取单元211,用于从电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H;
第二获取单元212,用于从电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2;
第三获取单元213,用于获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3。
如图6所示,本实施例提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量系统,包括:
显微镜310和处理器320,其中:
所述显微镜310,用于测量得到所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3;
所述处理器320,用于获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3;并利用公式:计算得到敷型涂覆膜厚度D。
本发明提供了一种敷型涂覆膜厚度的测量系统,通过显微镜310测量到敷型涂覆膜上的光圈长度L3,并发送给处理器320,处理器320在得到元器件的长度L1、高度H,元器件的器件封装长度L2和敷型涂覆膜的光圈长度L3后,根据其几何关系计算出元器件周围平坦区域敷型涂覆膜厚度D。该方法以电路板上的元器件作为测量点,不需要特殊的布局要求,并可以针对每个电子元器件周围进行敷型涂覆膜厚度的检查,准确的测量敷型涂覆膜的厚度。
可选的,所述显微镜310为可读数显微镜,在使用时,将所述敷型涂覆膜已固化的元器件置于可度数显微镜下,测量光圈的长度L3
所述敷型涂覆膜已完全固化的状态为;所述敷型涂覆膜表面干燥,用手触碰时无粘手现象。
可选的,在本发明的另一实施例中,所述处理器320包括:
获取单元,用于获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
计算单元,用于利用公式计算得到敷型涂覆膜厚度D。
可选的,在本发明的另一实施例中,所述获取单元包括:
第一获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H;
第二获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2;
第三获取单元,用于获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种敷型涂覆膜厚度的测量方法,其特征在于,包括:
获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
利用公式 D = H - ( L 2 - L 1 2 ) 2 + H 2 - ( L 3 - L 1 2 ) 2 计算得到敷型涂覆膜厚度D。
2.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述获得元器件的长度L1、高度H,包括:
通过实际测量或电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H。
3.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述获得元器件的封装长度L2,包括:
通过实际测量或电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2
4.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述获得元器件的敷型涂覆膜上的光圈长度L3,包括:
通过具有测量功能的显微镜测量获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
5.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3,还包括:
在封装前,获得元器件的长度L1、高度H;
在封装后,进行敷型涂覆前,获得元器件的封装长度L2
在敷型涂覆膜完全固化后,获得元器件的敷型涂覆膜上的光圈长度L3
6.一种敷型涂覆膜厚度的测量装置,其特征在于,包括:
获取单元,用于获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
计算单元,用于利用公式 D = H - ( L 2 - L 1 2 ) 2 + H 2 - ( L 3 - L 1 2 ) 2 计算得到敷型涂覆膜厚度D。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述获取单元包括:
第一获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H;
第二获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2
第三获取单元,用于获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
8.一种敷型涂覆膜厚度的测量系统,其特征在于,包括:显微镜和处理器,其中:
所述显微镜,用于测量得到所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
所述处理器用于:获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3;并利用公式计算得到敷型涂覆膜厚度D。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述处理器包括:
获取单元,用于获得元器件的长度L1、高度H、封装长度L2以及敷型涂覆膜上的光圈长度L3
计算单元,用于利用公式 D = H - ( L 2 - L 1 2 ) 2 + H 2 - ( L 3 - L 1 2 ) 2 计算得到敷型涂覆膜厚度D。
10.根据权利要求9所述的系统,其特征在于,所述获取单元包括:
第一获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述长度L1和高度H;
第二获取单元,用于从电子元器件的数据表中获得所述封装长度L2
第三获取单元,用于获得所述敷型涂覆膜上的光圈长度L3
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