CN203026553U - 水平结构的led芯片 - Google Patents
水平结构的led芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203026553U CN203026553U CN 201220664166 CN201220664166U CN203026553U CN 203026553 U CN203026553 U CN 203026553U CN 201220664166 CN201220664166 CN 201220664166 CN 201220664166 U CN201220664166 U CN 201220664166U CN 203026553 U CN203026553 U CN 203026553U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- gan layer
- chip
- led
- packaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
本实用新型涉及一种水平结构的LED芯片，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明SiO2绝缘层，并在n-GaN和p-GaN层上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明SiO2绝缘层的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。本实用新型的水平结构的LED芯片使得LED芯片在封装制造中，能够像传统贴片电阻、电容那样，用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上，相比较于传统的LED封装制造，适用于更多的LED芯片的封装方式、增加了LED芯片的封装基板材料、提高了LED芯片的封装效率、提升了LED芯片的封装产能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种LED芯片，特别涉及一种水平结构的LED芯片。
背景技术
LED是发光二极管 (LED,Lighting emitted diode),是利用在电场作用下，PN结发光的固态发光器件。具有高寿命/环保/节能的特点，是绿色环保的新光源。LED技术日趋发展成熟，目前通常LED发白光是通过蓝色芯片激发黄绿荧光粉，进行波长调和而产生出的白光，市场上大规模生产的暖白光效率达到 120 lm/W，超过大部分传统光源。一般而言，LED是通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)在蓝宝石衬底或碳化硅衬底上长出p型层、n型层以及p-n结发光层，然后通过点亮、切割、扩散颗粒、分等级等工艺做成不同尺寸的芯片，一般而言有10*10 mil, 10*23 mil, 24*24 mil, 40*40 mil等尺寸，可以承受从10mA~1A的恒流电流驱动。传统的封装是将这些芯片固定在一个封装支架上，通过金线焊接芯片的阴极和阳极，通入电流来驱动LED发出蓝色单波长光，从而激发黄绿荧光粉形成白光。支架一般采用工程塑料或者是带金属热沉的塑料，然后通过底部反射来增加其光萃取率，或者是通过硅胶,树脂或玻璃成型或带二次光学透镜来改变内部材料的折射率，从而增加其出光。
传统的封装方式，对于LED芯片的光利用率相当低，一般来讲，LED芯片背面侧面发出的光经过反射/折射之后，其光利用率不超过40%，而LED芯片在背面侧面发出的光占其整个芯片出光的60%，意味着接近有40%的光是被浪费掉的。另外传统的荧光粉点胶工艺，因为荧光粉贴近温度较高的芯片发热源，从而导致荧光粉效率降低，也会影响出光效果。出光效率的降低则意味着发热量的增加，从而对电子元器件的可靠性产生影响，这都是相互影响的结果。由于LED芯片通过封装成LED组件，然后在分别焊接在铝基板上，配上适合的驱动电源和结构壳体，最后做成整灯进行销售。这中间有过多的环节造成效率和成本的浪费。因此，基于简化的目的，通过设计一种最简单的封装结构，提高整体系统出光效率并降低成本。
发明内容
本实用新型的目的是为了克服LED芯片封装制造中由于现有LED芯片设计使LED芯片制造效率低的缺点，提供一种电极高度相同或相近的水平结构LED的芯片。
为此，本实用新型的技术方案是：一种水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN基层，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明SiO2绝缘层， 并在n-GaN和p-GaN层上分别镀上电极。
正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明SiO2绝缘层的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。
本实用新型的有益效果是：本发明的水平结构的LED芯片使得LED芯片在封装制造中，能够像传统贴片电阻、电容那样，用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上，相比较于传统的LED封装制造，适用于更多的LED芯片的封装方式、增加了LED芯片的封装基板材料、提高了LED芯片的封装效率、提升了LED芯片的封装产能。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1所示，本实用新型的水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n-GaN层5和p-GaN层2、透明SiO2绝缘层3、正、负电极1，4等
正装或倒装LED芯片的GaN层、n-GaN层5和p-GaN层2上涂覆一层透明SiO2绝缘层3， 并在n-GaN层5和p-GaN层2上分别镀上电极。
正装芯片或倒装LED芯片芯片的衬底为透明基板，蓝宝石6（AL2O3）或碳化硅（SiC）。透明SiO2绝缘层的材料为，硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。
如图1所示，水平结构LED芯片在蓝宝石6或碳化硅衬底上生长n-GaN层5（包括GaN缓冲层、GaN非掺杂层），在n-GaN层5上生长p-GaN层2，在p-GaN层2上生长 透明SiO2绝缘材料层3，硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。最后生长正电极1 和 负电极4 电极（金、银、铜及合金材料）。
Claims (3)
1.一种水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n-GaN层（5）和p-GaN层（2），其特征在于：所述正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n-GaN层（5）和p-GaN层（6）上涂覆一层透明SiO2绝缘层（3）， 并在n-GaN层（5）和p-GaN层（2）上分别镀上电极。
2.根据权利要求1所述的水平结构的LED芯片，其特征在于：所述正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石（6）或碳化硅。
3.根据权利要求1所述的水平结构的LED芯片，其特征在于：所述透明SiO2绝缘层（3）的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220664166 CN203026553U (zh) | 2012-12-06 | 2012-12-06 | 水平结构的led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220664166 CN203026553U (zh) | 2012-12-06 | 2012-12-06 | 水平结构的led芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203026553U true CN203026553U (zh) | 2013-06-26 |
Family
ID=48650512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201220664166 Expired - Fee Related CN203026553U (zh) | 2012-12-06 | 2012-12-06 | 水平结构的led芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203026553U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102945906A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-02-27 | 上海顿格电子贸易有限公司 | 水平结构的led芯片 |
-
2012
- 2012-12-06 CN CN 201220664166 patent/CN203026553U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102945906A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-02-27 | 上海顿格电子贸易有限公司 | 水平结构的led芯片 |
| WO2014086081A1 (zh) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | 上海顿格电子贸易有限公司 | 水平结构的led芯片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102751274A (zh) | 一种立体包覆封装的led芯片 | |
| CN203760472U (zh) | 一种系统级led封装器件 | |
| CN102185091A (zh) | 一种发光二极管器件及其制造方法 | |
| CN102315208A (zh) | 带有镶嵌陶瓷板的led光源封装结构 | |
| CN101958387A (zh) | 新型led光源模组封装结构 | |
| CN101777549B (zh) | 化合物半导体元件的封装模块结构及其制造方法 | |
| CN203026552U (zh) | Led发光元器件支架 | |
| CN202839748U (zh) | 一种基于倒装led芯片的白光光源模组 | |
| CN202259411U (zh) | 带有镶嵌陶瓷板的led光源封装结构 | |
| CN203026553U (zh) | 水平结构的led芯片 | |
| CN202736973U (zh) | 一种立体包覆封装的led芯片 | |
| CN102903838A (zh) | 带散热结构的封装led光源及其制备方法 | |
| CN102969433A (zh) | Led晶片模组化封装工艺 | |
| CN202205814U (zh) | 一种发光二极管器件 | |
| CN104979441A (zh) | 一种led芯片及其制作方法及led显示装置 | |
| CN102969437A (zh) | Led发光元器件 | |
| CN102945912A (zh) | Led发光元器件支架 | |
| CN102945906A (zh) | 水平结构的led芯片 | |
| CN201758139U (zh) | 新型led光源模组封装结构 | |
| CN203026558U (zh) | Led发光元器件 | |
| CN203707187U (zh) | 一种圆片级led芯片封装结构 | |
| CN203644817U (zh) | 一种led封装结构 | |
| CN201985095U (zh) | Led集成封装器件 | |
| CN202660334U (zh) | 高散热效率led光源 | |
| CN202253080U (zh) | 镀陶瓷层基板led灯条 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130626 Termination date: 20201206 |