CN203013399U - 一种ptfe绝缘同轴电缆 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种PTFE绝缘同轴电缆，包括由内至外同轴设置的内导体、PTFE绝缘层、编织外导体、浸锡外导体、护套，所述PTFE绝缘层的外表面包覆有一层金属外导体。本实用新型结构简单，便于生产，兼具半柔型电缆和半刚型电缆的优点，低损耗、高屏蔽；同时，PTFE绝缘层呈类似“藕芯”的结构，减少了PTFE绝缘材料的用量，减轻电缆的重量，降低生产及运输成本。

Description

一种PTFE绝缘同轴电缆

技术领域

本实用新型涉及通讯电缆，具体的说是一种低成本、低损耗、高屏蔽的PTFE（polytetrafluoroethylene、聚四氟乙烯）绝缘同轴电缆。

背景技术

随着通信技术的发展，PTFE绝缘同轴电缆以其优异的耐高温、高功率的优点，被广泛的用于射频及微波通讯系统及各种通讯设备中的内部信号传输。

传统的PTFE绝缘同轴电缆是采用实芯PTFE介质将金属内、外导体隔开的复合结构，根据外导体的不同，主要分为半柔型电缆（其外导体采用编织外导体与浸锡外导体相结合）和半刚型电缆（其外导体为铜管）；两者间各有其优、缺点，半柔型电缆具有良好的弯曲性能，但电缆的损耗高、屏蔽性能差，抗焊性能优；而半刚型电缆虽然具有优异的损耗和屏蔽性能，但电缆的机械弯曲性能较差。

另外，传统电缆中隔离电缆内、外导体的PTFE绝缘层一般是实心包覆在内导体上，此种结构的电缆不仅损耗高，质量重，不便于运输、铺设；而且，需要使用较多的PTFE绝缘材料多，导致生产成本昂贵。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低成本、低损耗、高屏蔽的PTFE绝缘同轴电缆。

为了达到上述目的，本实用新型采用了如下的技术方案：

一种PTFE绝缘同轴电缆，包括由内至外同轴设置的内导体、PTFE绝缘层、编织外导体、浸锡外导体、护套，所述PTFE绝缘层的外表面包覆有一层金属外导体。

作为本实用新型的优选技术方案：所述金属外导体的厚度为0.01-0.15mm。

作为本实用新型的优选技术方案：所述金属外导体由镀银铜带或铜带包覆于PTFE绝缘层的外表面组成。

作为本实用新型的优选技术方案：所述镀银铜带或铜带为一表面上涂覆有粘胶的自粘型镀银铜带或铜带。

作为本实用新型的优选技术方案：所述PTFE绝缘层内沿该电缆轴线方向设有至少一个间隙孔。

作为本实用新型的优选技术方案：所述间隙孔等间距的均匀分布于该PTFE绝缘层的横截面上。

与现有技术相比，本实用新型结构简单，便于生产，兼具半柔型电缆和半刚型电缆的优点，低损耗、高屏蔽；同时，PTFE绝缘层呈类似“藕芯”的结构，减少了PTFE绝缘材料的用量，减轻电缆的重量，降低生产及运输成本。

附图说明

图1为本实用新型PTFE绝缘同轴电缆的结构示意图。

图2为本实用新型PTFE绝缘同轴电缆的横截面示意图。

图3为本实用新型中实施例的传输损耗曲线图。

图4为本实用新型中实施例的屏蔽衰减曲线图。

图5为本实用新型中实施例的三阶交调曲线图。

具体实施方式

请参阅图1与图2，PTFE绝缘同轴电缆，包括由内至外同轴设置的内导体101、PTFE绝缘层102、金属外导体103、编织外导体104、浸锡外导体105、护套106。该金属外导体103采用镀银铜带或铜带包覆于PTFE绝缘层102的外表面组成，其厚度为0.01-0.15mm。较优的，该镀银铜带或铜带可选择自粘型的镀银铜带或铜带，即镀银铜带或铜带的一表面（与PTFE绝缘层102相接触的一面）上涂覆有粘胶。选择自粘型的镀银铜带或铜带能够使金属外导体103与PTFE绝缘层102的结合更加紧密，电缆在弯曲或使用过程中，避免金属外导体103与PTFE绝缘层102间产生微位移，而增大外导体的电阻，导致电缆损耗的提高，选择自粘型的镀银铜带或铜带可保证电缆整体结构的一致性与稳定性。

较优的，在PTFE绝缘层102内沿该电缆轴线方向设有至少一个间隙孔107；在本实例中以PTFE绝缘层内设有7个间隙孔为例予以说明，但并不仅限于此。该7个间隙孔107等间距的均匀分布于该在PTFE绝缘层102的横截面上，使PTFE绝缘层102呈类似“藕芯”的结构。在PTFE绝缘层102内设置间隙孔107，提高了PTFE绝缘层102中的空气含量，从而降低绝缘结构的介电常数，以达到降低绝缘介质损耗的目的；同时，减少PTFE绝缘材料的用量，减轻电缆的重量，降低生产及运输成本。

请参阅图3、图4与图5，为采用上述结构的0.141”规格的PTFE绝缘同轴电缆的传输损耗曲线图、屏蔽衰减曲线图、三阶交调曲线图。

与相同规格的半柔型电缆、半刚型电缆的性能指标对比如下：

传输损耗性能：本方案的PTFE绝缘同轴电缆的传输损耗性能比半刚型电缆低10%以上，比半柔型电缆损耗低20%以上。

屏蔽衰减性能：在0-20GHz的条件下，本方案的PTFE绝缘同轴电缆屏蔽衰减值为≥110dB，远远优于半柔型电缆（半柔型电缆的屏蔽衰减值为≥100dB）；与半刚型电缆的屏蔽衰减指标一致。

信号传输及失真性能：在2GHz的条件下，本方案的PTFE绝缘同轴电缆，其三阶交调值为175dBc，优于半柔型电缆（半柔型电缆的三阶交调值为165dBc）和半刚型电缆（半刚型电缆的三阶交调值为170dBc）。

静态最小弯曲半径：半柔型电缆的最小静态弯曲半径为8mm，半刚型电缆的最小静态弯曲半径为12.5mm，本方案的PTFE绝缘同轴电缆的最小静态弯曲半径仍为8mm。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并非用来限定本实用新型的实施范围；凡是依本实用新型所作的等效变化与修改，都被本实用新型权利要求书的范围所覆盖。

Claims (6)

1.一种PTFE绝缘同轴电缆，包括由内至外同轴设置的内导体、PTFE绝缘层、编织外导体、浸锡外导体、护套，其特征在于：所述PTFE绝缘层的外表面包覆有一层金属外导体。

2.根据权利要求1所述的一种PTFE绝缘同轴电缆，其特征在于：所述金属外导体的厚度为0.01-0.15mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种PTFE绝缘同轴电缆，其特征在于：所述金属外导体由镀银铜带或铜带包覆于PTFE绝缘层的外表面组成。

4.根据权利要求3所述的一种PTFE绝缘同轴电缆，其特征在于：所述镀银铜带或铜带为一表面上涂覆有粘胶的自粘型镀银铜带或铜带。

5.根据权利要求1所述的一种PTFE绝缘同轴电缆，其特征在于：所述PTFE绝缘层内沿该电缆轴线方向设有至少一个间隙孔。

6.根据权利要求5所述的一种PTFE绝缘同轴电缆，其特征在于：所述间隙孔等间距的均匀分布于该PTFE绝缘层的横截面上。

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