CN202712261U - 一种白光led芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种白光LED芯片，在所述第一衬底上形成发光元件；在所述发光元件的上覆盖表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层采用磁控溅射、离子辅助蒸发或电子束蒸发法形成，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。综上所述，本实用新型所述白光LED芯片，在发光元件上形成表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，覆盖于所述发光元件上，使荧光粉的浓度均匀，颜色均匀性好，进而提高同批次产品的色温的均匀性，形成色温一致的白光LED芯片。同时表面荧光体层直接设置发光元件上，使得在芯片级发出白光，大大提高了白光的生产效率。

Description

一种白光LED芯片

技术领域

本实用新型涉及光电技术领域，具体涉及在LED芯片表面形成表面荧光体层，实现白光发射的一种白光LED芯片及其制作方法。 

背景技术

LED(发光二极管，Light Emitting Diode)根据发光材料不同可以发射不同颜色的光，由于具有低电压驱动、全固态、低功耗、长效可靠等优点，利用光混色原理可以实现白光的发射，是一种符合环保节能绿色照明理念的高效光源。现有技术中实现白光的方式主要有三种：即蓝光LED芯片与黄色荧光粉混合；紫外LED激发RGB荧光粉混合得到白光；红、绿、蓝三基色LED多芯片集成封装成白光。其中可以在外延生长阶段通过外延生长发射蓝光与黄光的量子阱层获得白光，也可以通过封装阶段通过在蓝光LED芯片上面涂覆硅胶与荧光粉的混合体获得白光。通过外延生长发射蓝光和黄光的量子阱层，采用该方法获得白光不仅内量子效率低，而且发射的蓝光与黄光的半波宽窄得到的白光均匀性差。 

在现有技术中，采用在具有激发紫外光或蓝紫光的发光元件上涂覆硅胶与荧光粉的混合体获得白光，采用该方法实现白光LED，由于荧光粉的沉降速度不一致使荧光粉层的浓度不均匀，以及固晶时LED芯片的位置不在正中，导致蓝光LED通过荧光粉的光程不一样，颜色会出现很大的偏差。而且点胶过程中形成的不均匀的拱形形状导致白光空间色均匀性较差，容易形成黄圈或者色斑。 

于是在LED芯片的制造过程中，提供一种能够在LED芯片表面生长一层表面荧光体层来直接实现白光发射的LED芯片成为有待解决的技术问题。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种能够在LED芯片表面生长一层固体状材质的表面荧光体层，以直接实现白光发射的LED芯片。 

为解决上述技术问题：本实用新型提供一种白光LED芯片，包括：第一衬底；发光元件，所述发光元件位于所述第一衬底上；表面荧光体层，覆盖于所述发光元件上，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。 

进一步的，所述表面荧光体层的材质为单结晶体、多结晶体或由荧光体粉末烧结呈的块状荧光体。 

进一步的，所述表面荧光体层的材质为黄色荧光体、黄色荧光体与绿色荧光体、黄色荧光体与红色荧光体、或黄色荧光体、绿色荧光体与红色荧光体三者的组合。 

进一步的，所述黄色荧光体的材质为镧系元素掺杂的铝酸盐荧光体，所述绿色荧光体的材质为卤代硅酸盐，所述红色荧光体的材质为氮化物荧光体。 

进一步的，所述表面荧光体层的厚度为20μm～50μm。 

进一步的，所述白光LED芯片为倒装结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括P型层、发光层、N型层、缓冲层和第二衬底，所述第二衬底为发光面，所述发光元件还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述P型层和所述第一衬底之间，所述第二电极位于所述P型层和所述第一衬底之间；所述白光LED芯片还包括导电层，所述第一电极和第二电极通过所述导电层焊接于所述第一衬底。 

进一步的，所述白光LED芯片为垂直结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括第一电极、P型层、发光层和N型层和第二电极，所述N型层为发光面；在所述发光元件和所述第一衬底之间，所述LED芯片还包括导电层和金属反射层，所述金属反射层形成于所述第一衬底和所述第一电极之间，所述导电层形成于第一衬底的金属反射层所在面的相对面上，所述表面荧光体层 在所述第一电极上形成有开口。 

进一步的，所述白光LED芯片为平面结构，所述白光LED芯片为平面结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括N型层、发光层和P型层，所述P型层为发光面，所述白光LED芯片还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述P型层上，所述第二电极位于所述N型层上；所述表面荧光体层在所述第一电极和第二电极上均形成有开口。 

进一步的，所述发光元件激发紫外光或蓝紫光。 

进一步的，所述白光LED芯片还包括钝化层，所述钝化层位于所述发光元件和所述表面荧光体层之间。 

综上所述，本实用新型所述白光LED芯片，在发光元件上形成表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，覆盖于所述发光元件上，使荧光粉的浓度均匀，颜色均匀性好，进而提高同批次产品的色温的均匀性，形成色温一致的白光LED芯片。 

同时表面荧光体层直接设置发光元件上，使得在芯片级发出白光，大大提高了白光的生产效率。 

此外，在LED芯片阶段就制备好表面荧光体层，不仅省去了实现白光的后期封装过程，节省了成本。 

附图说明

图1为本实用新型一实施例中白光LED芯片的制造方法的流程示意图。 

图2为本实用新型一实施例中白光LED芯片的结构示意图。 

图3a为本实用新型再一实施例中白光LED芯片的结构示意图。 

图3b为本实用新型另一实施例中白光LED芯片的结构示意图。 

图4为本实用新型又一实施例中白光LED芯片的结构示意图。 

具体实施方式

为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。 

其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。 

本实用新型提供一种白光LED芯片，包括第一衬底、发光元件和表面荧光体层。所述发光元件位于所述第一衬底上，所述发光元件正装或倒装焊接于所述第一衬底上；所述表面荧光体层覆盖于所述发光元件上，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。 

所述表面荧光体层为固体状材质，可以为单结晶体、多结晶体或由荧光体粉末烧结呈的块状荧光体。所述表面荧光体层的材质为黄色荧光体、黄色荧光体与绿色荧光体、黄色荧光体与红色荧光体、或黄色荧光体、绿色荧光体与红色荧光体三者的组合。所述表面荧光体层的材质为单独黄色荧光体，或黄色荧光体中增加绿色荧光体和红色荧光体中的一种或其组合，以增加显色性。所述黄色荧光体的材质为YAG系荧光体，其主要是由Ce等镧系元素掺杂的铝酸盐荧光体还有Tb、Lu等置换Y的一部分或者全部的得到的荧光体；所述绿色荧光体的材质可以为卤代硅酸盐，所述红色荧光体的材质可以为氮化物荧光体。在本实施例中，所述黄色荧光体为YAG系荧光体(Yttrium Aluminum Garnet)，例如Y₃Al₅O₁₂:Ce，(Y_0.8Gd_0.2)₃Al₅O₁₂:Ce，Y₃(Al_0.8Ga_0.2)₅O₁₂:Ce或(Y，Gd)₃(Al,Ga₅)O₁₂:Ce等。所述绿色荧光体为BOS(Barium ortho-Silicate)，例如Ga₈Mg₄O₁₆C₁₂:Eu((Ca_7.6,Eu_0.4)MgSi₄O₁₆C₁₂)；所述红色荧光体为silicon nitride based phosphor，例如GaAlSiBN₃:Eu((Ca_0.97,Eu_0.03)AlSiBN₃)，其他使用上述荧光体以外的具有相同性能、效果、作用的荧光体，或化学式中的各组分的比例进行适当调整的亦在本实用新型的思想范围之内。所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm，在较佳的实施例中，所述表面荧光体层的厚度为20μm～50μm。 

所述表面荧光体层为固体状材质，代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，使荧光粉的浓度均匀，颜色偏差小，从而能够提高同批次产品的色温的均匀性， 同时在LED芯片阶段就制备好表面荧光体层，不仅省去了实现白光的后期封装过程，节省了成本。 

所述白光LED芯片还包括钝化层，所述钝化层位于所述发光元件和所述表面荧光体层之间，或位于所述表面荧光体层上。 

图1为本实用新型一实施例中白光LED芯片的制造方法的流程示意图，结合图1及上述白光LED芯片，本实用新型所述白光LED芯片的制造方法，包括以下步骤： 

步骤S01：提供第一衬底； 

步骤S02：在所述第一衬底上形成发光元件； 

步骤S03：在所述发光元件上覆盖表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层采用磁控溅射、离子辅助蒸发或电子束蒸发法形成，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。在较佳的实施例中，所述表面荧光体层的厚度为20μm～50μm。 

在较佳的实施例中，所述表面荧光体层的采用磁控溅射法形成，反应在氩气环境氛围中，反应功率大于5kW，反应靶材与所述第一衬底之间距离为5cm～10cm，环境压力为30～60mTorr，沉积时间为150s～250s。在较佳的实施例中，在氩气环境氛围中，反应功率大于5kW，反应靶材与所述第一衬底之间距离为7cm，环境压力为56mTorr，沉积时间为220s。 

相比于现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，所述表面荧光体层采用磁控溅射、离子辅助蒸发或电子束蒸发法形成，使表面荧光体层更加稳定、均匀地形成形成于发光元件上，从而能够提高同批次产品的色温的均匀性，同时在LED芯片阶段就制备好表面荧光体层，不仅省去了实现白光的后期封装过程，节省了成本。 

所述白光LED芯片可以为倒装结构、垂直结构或平面结构，以下结合具体实施例，详细说明所述白光LED芯片的结构及其制造方法。 

【实施例1】 

图2为本实用新型一实施例中白光LED芯片的制造方法的流程示意图，本实施例为采用如图2所示的倒装结构的白光LED芯片。 

在本实施例中，所述第一衬底为氮化铝基底10，所述发光元件倒装于所述氮化铝基底10上，所述表面荧光体层3覆盖于所述发光元件上。 

对于倒装结构的白光LED芯片，所述发光元件从氮化铝基底10向上，所述发光元件依次包括P型层4、发光层5、N型层6、缓冲层7和第二衬底8，最顶层的第二衬底8作为出光面，其中所述第二衬底8较佳的为蓝宝石材质的衬底，所述N型层6和P型层4可以为氮化物半导体材料，例如氮化镓，所述发光层5为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱有源层。 

所述发光元件还包括第一电极1和所述第二电极2，均位于所述发光元件和所述氮化铝基底10之间，其中所述第一电极1位于所述P型层4和所述氮化铝基底10之间，所述第二电极2位于所述N型层6和所述氮化铝基底10，之间，所述白光LED芯片还包括导电层9，所述第一电极1和第二电极2通过所述导电层9焊接于所述氮化铝基底10上。所述导电层9的材质较佳的为金锡合金。 

本实施例中白光LED芯片的制作过程具体包括： 

在步骤S01中，提供第一衬底，所述第一衬底为氮化铝基底10。 

在步骤S02中，在蓝宝石材质的第二衬底8上依次生长缓冲层7、N型层6、发光层5、P型层4，并在发光元件上形成第一电极1和第二电极2，第一电极1连接于P型层4上，第二电极2连接于N型层6上，形成发光元件； 

然后，对氮化铝材质的氮化铝基底10进行图案印刷，并烧结形成与发光元件点连接的布线，布线结构依次包括Al-Si-Cu；接着，在氮化铝基底10上，将发光元件倒置焊接在氮化铝材质的氮化铝基底10的表面上，并利用导电层9将氮化铝基底10与第一电极1和第二电极焊接，使发光元件倒置焊接在氮化铝基底10的表面上，以发光元件的蓝宝石材质的衬底8作为出光面，实现LED白光芯片的倒装，其中导电层9的材质较佳的为金锡合金； 

在步骤S03中，在所述发光元件上覆盖表面荧光体层3，可以采用磁控溅射、离子辅助蒸发或电子束蒸发法形成，在较佳的实施例中，采用磁控溅射的方法， 将黄色荧光体结晶块(YAG:Ce³⁺)溅射在蓝宝石材质的衬底8的出光面及发光元件的侧壁上，形成YAG荧光体材质的表面荧光体层3，表面荧光体层3较佳的厚度为30um； 

此后，通过研磨抛光、激光切割等工艺最终得到白光发射的倒装结构LED芯片，研磨抛光、激光切割等工艺为本领域普通技术人员所熟知的技术手段，故不再赘述。 

在本实施例的基础上，所述表面荧光体层3可以也通过离子辅助蒸发的方法将荧光体粉末、荧光体粉末形成的块状荧光体结晶块蒸发在发光元件上；或通过电子束蒸发法形成在元件上，此外，也可以通过磁控溅射、离子辅助蒸发及电子束蒸发法的结合形成，以提高表面荧光体层3的沉积速度和均匀性。表面荧光体层3的材质除单独采用黄色荧光体外，还可以采用黄色荧光粉与绿色荧光粉的组合形成的荧光体结晶块，黄色荧光粉与红色荧光粉的组合形成的荧光体结晶块，或黄色、绿色与黄色三者的组合。例如所述黄色荧光体的化学式为Y_2.95(Al_0.8,Ga_0.2)O₁₂:Ce_0.05；所述绿色荧光体的化学式为Ga₈Mg₄O₁₆C₁₂:Eu((Ca_7.6,Eu_0.4)MgSi₄O₁₆C₁₂)；所述红色荧光体的化学式为GaAlSiBN₃:Eu((Ca_0.97,Eu_0.03)AlSiBN₃)，化学式中的各组分的比例是可以根据要求适当调整。 

【实施例2】 

图3a为本实用新型另一实施例中白光LED芯片的结构示意图。本实施例为采用如图3a所示的垂直结构的白光LED芯片，在本实施例中，所述第一衬底为转移衬底13，所述转移衬底13可以为氮化铝基底或蓝宝石材质的衬底，所述表面荧光体层3覆盖于所述发光元件上，包括发光元件的顶面和侧壁。 

对于垂直结构的白光LED芯片，所述发光元件从转移衬底13向上依次包括第一电极1、P型层4、发光层5、N型层6和第二电极2，N型层6作为出光面，其中第二衬底(图中未标示)的材质较佳的为蓝宝石材质的衬底，所述N型层6和P型层4的材质可以为氮化物半导体材料，例如氮化镓，所述发光层5为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱有源层。 

所述LED芯片还包括导电层9和金属反射层12，所述金属反射层12形成于所述转移衬底13和所述第一电极1之间，所述导电层9形成于转移衬底13的金属反射层所在面的相对面上。所述导电层9的较佳材质为金锡合金。 

此外，所述表面荧光体层3在所述第二电极2上具有开口，以便第二电极2的电性引出。 

本实施例中垂直结构的白光LED芯片的制作过程具体包括： 

在步骤S01中，提供第一衬底，在本实施例中所述第一衬底为转移衬底13。 

在步骤S02中，在所述转移衬底13上形成发光元件；在蓝宝石材质的第二衬底上依次生长P型层4、发光层5、N型层6和第一电极1，形成发光元件，所述发光层5为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱有源层； 

然后，在第一电极1上通过蒸镀的方法形成金属反射层12，通过芯片键合工艺将发光元件倒置键合到转移转移衬底13上，其中金属反射层12位于转移衬底13和发光元件之间，蓝宝石材质的第二衬底位于最顶端，然后采用激光剥离法去除蓝宝石材质的第二衬底； 

其后，采用化学机械抛光的(CMP)的方法对N型层6的表面进行抛光，并通过采用高温KOH溶液对N型层6的表面进行粗化，以在N型层6上形成粗化层11，接着在所述N型层6上形成第二电极2，从而形成第一电极1位于发光元件底部、第二电极2位于发光元件顶部，且以N型层4作为出光面的垂直结构。 

在步骤S03中，在所述发光元件的顶面和侧壁上覆盖表面荧光体层3，可以采用磁控溅射、离子辅助蒸发或电子束蒸发法形成，在较佳的实施例中，采用磁控溅射的方法将黄色荧光体结晶块(YAG:Ce³⁺)溅射在发光元件的顶面和侧壁上，形成YAG表面荧光体层3，其溅射的表面荧光体层较佳的厚度为30um。 

其后，通过生长SiO₂作为掩膜层，通过光刻、曝光、显影在BOE(Buffered oxide etche)中腐蚀所述掩膜层(图中未标示)，形成掩膜图形。以掩模图形为研磨，采用氟基等离子体在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机中刻蚀所述第二电极2上的表面荧光体层3，在第二电极2上形成开口，以保持电流引出；然后在 转移衬底13的另一面蒸镀形成导电层9。导电层9较佳的材质为金锡合金，通过研磨抛光、激光切割等工艺最终得到白光发射的垂直结构LED芯片，研磨抛光、激光切割等工艺为本领域普通技术人员所熟知的技术手段，故不再赘述。 

在本实施例的基础上，所述表面荧光体层3可以也通过离子辅助蒸发的方法将荧光体粉末、荧光体粉末形成的块状荧光体结晶块蒸发在发光元件上；或通过电子束蒸发法形成在元件上，此外，也可以通过磁控溅射、离子辅助蒸发及电子束蒸发法的结合形成，以提高表面荧光体层3的沉积速度和均匀性。表面荧光体层3的材质除单独采用黄色荧光体外，还可以采用黄色荧光粉与绿色荧光粉的组合形成的荧光体结晶块，黄色荧光粉与红色荧光粉的组合形成的荧光体结晶块，或黄色、绿色与黄色三者的组合。例如所述黄色荧光体的化学式为Y_2.95(Al_0.8,Ga_0.2)O₁₂:Ce_0.05；所述绿色荧光体的化学式为Ga₈Mg₄O₁₆C₁₂:Eu((Ca_7.6,Eu_0.4)MgSi₄O₁₆C₁₂)；所述红色荧光体的化学式为GaAlSiBN₃:Eu((Ca_0.97,Eu_0.03)AlSiBN₃)，化学式中的各组分的比例是可以根据要求适当调整。 

图3b为本发明再一实施例中白光LED芯片的结构示意图。在图3a所示的白光LED芯片结构的基础上，在所述表面荧光体层3和发光元件之间，具体所述表面荧光体层3和所述P型层4之间，还形成有钝化层14，所述钝化层14能够具有提高发光元件的绝缘性。 

【实施例3】 

图4为本实用新型又一实施例中白光LED芯片的结构示意图。本实施例为采用如图4所示的平面结构的白光LED芯片，在本实施例中，所述第一衬底为蓝宝石衬底8，所述表面荧光体层3覆盖于所述发光元件上，包括发光元件的顶面和侧壁。 

对于平面结构的白光LED芯片，所述发光元件依次包括N型层6、发光层5和P型层4，第二衬底8为蓝宝石衬底，所述N型层6和P型层4的材质可以为氮化物半导体材料，例如氮化镓，所述发光层5为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱有源层。 

所述白光LED芯片还包括第一电极1和第二电极2，所述第一电极1连接于所述P型层4上，所述第二电极2连接于所述N型层6上。所述表面荧光体层3在所述第一电极1和第二电极2上均形成有开口，以便电性引出。 

本实施例中平面结构的白光LED芯片的制作过程具体包括： 

在步骤S01中，提供第一衬底，在本实施例中所述第一衬底为蓝宝石8。 

在步骤S02中，在蓝宝石衬底8上依次生长缓冲层7、N型层6、发光层5和P型层4，并形成第一电极1和第二电极2，第一电极1连接于P型层4上，第二电极2连接于N型层6上，形成发光元件； 

然后，在P型层4的表面蒸镀ITO电流扩展层(图中未标示)，通过光刻、曝光显影的方法对第二电极2以外的地方进行掩膜，通过感应耦合等离子体(ICP)刻蚀第二电极2，直至暴露所述N型层6； 

此后，采用磁控溅射蒸镀Al-Si-Cu电极层； 

在步骤S03中，在所述发光元件的顶面和侧壁上覆盖表面荧光体层3，可以采用磁控溅射、离子辅助蒸发或电子束蒸发法形成，首先通过生长一定厚度光刻胶作为掩膜层，通过光刻、曝光显影的方法对焊盘电极进行遮挡，然后在较佳的实施例中，采用通过磁控溅射的方法将黄色荧光体结晶块(YAG:Ce³⁺)溅射在LED晶圆表面，形成YAG表面荧光体层3的溅射厚度为30um。 

然后，在丙酮中浸泡5分钟剥离的焊盘电极上表面荧光体层；其后，在所述蓝宝石衬底8的另一面上蒸镀形成导电层9；此后通过研磨抛光、激光切割等工艺最终得到白光发射的倒装结构LED芯片，研磨抛光、激光切割等工艺为本领域普通技术人员所熟知的技术手段，故不再赘述。 

在本实施例的基础上，所述表面荧光体层3可以也通过离子辅助蒸发的方法将荧光体粉末、荧光体粉末形成的块状荧光体结晶块蒸发在发光元件上；或通过电子束蒸发法形成在元件上，此外，也可以通过磁控溅射、离子辅助蒸发及电子束蒸发法的结合形成，以提高表面荧光体层3的沉积速度和均匀性。表面荧光体层3的材质除单独采用黄色荧光体外，还可以采用黄色荧光粉与绿色荧光粉的组合形成的荧光体结晶块，黄色荧光粉与红色荧光粉的组合形成的荧 光体结晶块，或黄色、绿色与黄色三者的组合。例如所述黄色荧光体的化学式为Y_2.95(Al_0.8,Ga_0.2)O₁₂:Ce_0.05；所述绿色荧光体的化学式为Ga₈Mg₄O₁₆C₁₂:Eu((Ca_7.6,Eu_0.4)MgSi₄O₁₆C₁₂)；所述红色荧光体的化学式为GaAlSiBN₃:Eu((Ca_0.97,Eu_0.03)AlSiBN₃)，化学式中的各组分的比例是可以根据要求适当调整。 

综上所述，本实用新型所述白光LED芯片，在发光元件上形成表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，覆盖于所述发光元件上，使荧光粉的浓度均匀，颜色均匀性好，进而提高同批次产品的色温的均匀性，形成色温一致的白光LED芯片。 

同时表面荧光体层直接设置发光元件上，使得在芯片级发出白光，大大提高了白光的生产效率。 

此外，在LED芯片阶段就制备好表面荧光体层，不仅省去了实现白光的后期封装过程，节省了成本。 

虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。 

Claims (9)

1.一种白光LED芯片，包括：

第一衬底；

发光元件，所述发光元件位于所述第一衬底上；

表面荧光体层，覆盖于所述发光元件上，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。

2.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述表面荧光体层的材质为单结晶体、多结晶体或由荧光体粉末烧结呈的块状荧光体。

3.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述表面荧光体层的材质为黄色荧光体、黄色荧光体与绿色荧光体、黄色荧光体与红色荧光体、或黄色荧光体、绿色荧光体与红色荧光体三者的组合。

4.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述表面荧光体层的厚度为20μm～50μm。

5.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片为倒装结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括P型层、发光层、N型层、缓冲层和第二衬底，所述第二衬底为发光面，所述发光元件还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述P型层和所述第一衬底之间，所述第二电极位于所述P型层和所述第一衬底之间；所述白光LED芯片还包括导电层，所述第一电极和第二电极通过所述导电层焊接于所述第一衬底。

6.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片为垂直结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括第一电极、P型层、发光层和N型层和第二电极，所述N型层为发光面；在所述发光元件和所述第一衬底之间，所述LED芯片还包括导电层和金属反射层，所述金属反射层形成于所述第一衬底和所述第一电极之间，所述导电层形成于第一衬底的金属反射层所在面的相对面上，所述表面荧光体层在所述第一电极上形成有开口。

7.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片为 平面结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括N型层、发光层和P型层，所述P型层为发光面，所述白光LED芯片还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述P型层上，所述第二电极位于所述N型层上；所述表面荧光体层在所述第一电极和第二电极上均形成有开口。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的白光LED芯片，其特征在于，所述发光元件激发紫外光或蓝紫光。

9.如权利要求1至7中任意一项所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还可以包含钝化层，所述钝化层位于所述发光元件和所述表面荧光体层之间。 

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