CN202564432U - 一种发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种发光二极管，包括一电路基板和一绝缘层，所述电路基板和所述绝缘层通过胶合层连接，在所述绝缘层和胶合层开设一安装贯孔，在所述安装贯孔中安装一半导体晶片，所述半导体晶片通过粘连剂与所述电路基板连接；所述半导体晶片通过导线与所述电路基板连接，在所述安装贯孔中添装密封胶；在所述电路基板底部连接一散热板，在所述散热板上开设有复数条散热槽。本实用新型由于在电路基板底部连接一散热板，在散热板上开设有复数条散热槽，该散热槽了增加散热板与空气接触的面积，因而可以将半导体晶片散发出的热量导出电路基板，因而可以延长了发光二极管的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管。
背景技术
发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。发光二极管的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
现有发光二极管是将发光二极管制成一个个单体，然后如果将单体安装在电路基板上，安装使用时因而比较麻烦和复杂，并且体积较大，不适合安装在体积狭小的空间。
此外，发光二极管散热不好一直是发光二极管领域中重大问题。
发明内容
本实用新型设计了一种发光二极管，其解决的技术问题是（1）现有发光二极管是将发光二极管制成一个个单体，然后如果将单体安装在电路基板上，安装使用时因而比较麻烦和复杂，并且体积较大，不适合安装在体积狭小的空间。（2）发光二极管散热效果不好，会影响到照明灯具的使用寿命。
为了解决上述存在的技术问题，本实用新型采用了以下方案：
一种发光二极管，包括一电路基板和一绝缘层，所述电路基板和所述绝缘层通过胶合层连接，在所述绝缘层和胶合层开设一安装贯孔，在所述安装贯孔中安装一半导体晶片，所述半导体晶片通过粘连剂与所述电路基板连接；所述半导体晶片通过导线与所述电路基板连接，在所述安装贯孔中添装密封胶；在所述电路基板底部连接一散热板，在所述散热板上开设有复数条散热槽。
进一步，所述电路基板为铜铝合金材质。
进一步，所述胶合层为硅胶层。
进一步，所述粘连剂为锡膏或银胶。
进一步，所述散热板为金属铝。
该发光二极管比普通发光二极管具有以下有益效果：
（1）本实用新型由于将半导体晶片安装在所述安装贯孔中，并通过密封胶进行密封，因而整个发光部分位于电路基板和绝缘层中，使得发光二极管的结构更加简单，外形更加美观并适应于各种安装空间内。
（2）本实用新型由于在电路基板底部连接一散热板，在散热板上开设有复数条散热槽，该散热槽了增加散热板与空气接触的面积，因而可以将半导体晶片散发出的热量导出电路基板，因而可以延长了发光二极管的使用寿命。
附图说明
图1：本实用新型发光二极管的截面结构示意图。
附图标记说明：
1—电路基板；2—胶合层；3—绝缘层；4—安装贯孔；5—半导体晶片；6—封胶；7—散热板；8—导线；9—粘连剂；10—散热槽。
具体实施方式
下面结合图1，对本实用新型做进一步说明：
一种发光二极管，包括一电路基板1和一绝缘层3，所述电路基板1和所述绝缘层3通过胶合层2连接，在所述绝缘层3和胶合层2开设一安装贯孔4，在所述安装贯孔4中安装一半导体晶片5，所述半导体晶片5通过粘连剂9与所述电路基板1连接；所述半导体晶片5通过导线与所述电路基板1连接，在所述安装贯孔4中添装密封胶6。因此，本实用新型由于将半导体晶片安装在所述安装贯孔中，并通过密封胶进行密封，因而整个发光部分位于电路基板和绝缘层中，使得发光二极管的结构更加简单，外形更加美观并适应于各种安装空间内。
在所述电路基板1底部连接一散热板7，在所述散热板7上开设有复数条散热槽10。本实用新型由于在电路基板1底部连接一散热板7，在散热板7上开设有复数条散热槽10，该散热槽10了增加散热板7与空气接触的面积，因而可以将半导体晶片5散发出的热量导出电路基板1，因而可以延长了发光二极管的使用寿命。
所述电路基板1可以为铜铝合金材质。
所述胶合层2为硅胶层。
所述粘连剂9为锡膏或银胶。所述散热板7为金属铝。金属铝导热效果好。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述，显然本实用新型的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。
Claims (5)
1.一种发光二极管，包括一电路基板（1）和一绝缘层（3），所述电路基板（1）和所述绝缘层（3）通过胶合层（2）连接，其特征在于：在所述绝缘层（3）和胶合层（2）开设一安装贯孔（4），在所述安装贯孔（4）中安装一半导体晶片（5），所述半导体晶片（5）通过粘连剂（9）与所述电路基板（1）连接；所述半导体晶片（5）通过导线与所述电路基板（1）连接，在所述安装贯孔（4）中添装密封胶（6）；在所述电路基板（1）底部连接一散热板（7），在所述散热板（7）上开设有复数条散热槽（10）。
2.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述电路基板（1）为铜铝合金材质。
3.根据权利要求2所述发光二极管，其特征在于：所述胶合层（2）为硅胶层。
4.根据权利要求3所述发光二极管，其特征在于：所述粘连剂（9）为锡膏或银胶。
5.根据权利要求4所述发光二极管，其特征在于：所述散热板（7）为金属铝。
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| CN201220206872XU CN202564432U (zh) | 2012-05-10 | 2012-05-10 | 一种发光二极管 |
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| CN202564432U true CN202564432U (zh) | 2012-11-28 |
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| CN (1) | CN202564432U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112736184A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-04-30 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种高功率芯片封装散热结构及其制备方法 |
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2012
- 2012-05-10 CN CN201220206872XU patent/CN202564432U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN112736184A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-04-30 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种高功率芯片封装散热结构及其制备方法 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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