CN202487658U - 一种混光二极管结构 - Google Patents
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Abstract
一种混光二极管结构，其特征在于：包括：一LED基座，一侧设有芯片结合区，另一侧具有连通芯片结合区的注入口与排气孔；一发光二极管芯片，结合于LED基座的芯片结合区；以及具有荧光粉的一荧光胶，填注在LED基座的注入口中；以此使得混光二极管的混光效果更加优良。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种使荧光胶中的荧光粉置于发光二极管芯片顶部而不致沉淀于发光二极管芯片底部的混光二极管结构，尤适于应用在混光二极管或类似结构中。
背景技术
发光二极管大多仅能辐射一定波长范围的光线，原则上单一发光二极管并无法产生白光。在现有技术中，通过混合多种光线以获得白光，例如混合蓝光、黄光即可获得近似白光。所述多种光线可能来自不同的发光二极管，或可能来自由单一发光二极管辐射部份原始光线以及部份原始光线经荧光粉转换的光线，亦可能来自由单一发光二极管辐射的原始光线经不同的荧光粉转换的光线。
在现有技术中，荧光粉先制成胶状，再包覆发光二极管晶粒。由于荧光粉散布于荧光粉胶中，因此发光二极管辐射出的光线经过荧光粉胶时，部份光线将被荧光粉转换。未被转换的光线与被转换的光线混合后，形成视觉上单一色的光线。然而，荧光粉胶虽可转换发光二极管辐射出的光线，但荧光粉胶包覆发光二极管晶粒在等待干固时，荧光粉会随本身的重量下沉，形成发光二极管顶面的荧光粉与胶混合不均匀，以致影响该混光二极管的质量，故不理想。
本创作人有鉴于传统混光发光二极管结构有待改进的不足，因此希望能提供一种防止荧光胶中的荧光粉沉淀至发光二极管芯片底部的混光发光二极管结构。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种能够防止荧光胶中的荧光粉沉淀至发光二极管芯片底部的混光发光二极管结构。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种混光二极管结构，包括：一LED基座，一侧设有芯片结合区，另一侧具有连通芯片结合区的注入口与排气孔；一发光二极管芯片，结合于该LED基座的芯片结合区；以及具有荧光粉的一荧光胶，填注在LED基座的注入口中。
上述技术方案中的有关内容解释如下：
1．上述方案中，更包含一遮蔽物，该遮蔽物覆盖于倒置的LED基座的芯片结合区下方。
2．所述遮蔽物为盖片、盖板、覆膜或可剥离的耐热胶带。
3．上述方案中，所述荧光胶注入在倒置的LED基座的注入口中，所述荧光粉则沉淀至芯片结合区顶部。
本实用新型工作原及优点如下：
本实用新型一种混光二极管结构，其包覆发光二极管芯片的荧光胶因为倒放的缘故，该荧光粉沉淀的位置为芯片结合区 (即发光二极管芯片)的顶部，有效且完整的将发光二极管芯片遮蔽，因此使得混光二极管的混光效果更加优良。
附图说明
附图1为本实用新型实施例的剖面示意图；
附图2为本实用新型LED基座结合LED发光芯片并覆盖遮蔽物的倒置状态示意图；
附图3为本实用新型注入荧光胶的状态示意图；
附图4为本实用新型荧光胶中荧光粉淀沉的示意图;
附图5为本实用新型LED基座分离遮蔽物的状态示意图。
以上附图中：1．混光二极管；11．LED基座；12．注入口；13．排气孔；14．芯片结合区；15．发光二极管芯片；16．荧光胶；17．荧光粉；20．遮蔽物。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例：参见附图1所示，一种混光二极管1结构，该混光二极管1主要设有一LED基座11，该LED基座11的一侧设有芯片结合区14，另一侧具有连通芯片结合区14的注入口12与排气孔13。如图2所示，一发光二极管芯片15结合于LED基座11的芯片结合区14，并于LED基座11的光源射出面的开口端面覆盖一遮蔽物20，该遮蔽物20覆盖于倒置的LED基座11的芯片结合区14下方。且该遮蔽物20可为一盖片、一盖板、一覆膜或一可剥离的耐热胶带任其中一种，本实施例中的遮蔽物20为一盖板，同时并将覆盖有该遮蔽物20的LED基座11倒置，令光源射出端面位于下方。
如图3所示，具有荧光粉17的一荧光胶16填注在LED基座11的注入口12中，更详细地说，该荧光胶16注入在倒置的LED基座11的注入口12中，以使原本存在于LED基座11内部的空气可经排气孔13排出，且待荧光胶16中的荧光粉17沉淀至邻近遮蔽物20，如图4所示，再将注有荧光胶16的LED基座11连同遮蔽物20一起进行烘烤，于烘烤完成后，取下LED基座11上的遮蔽物20，如图5所示，即完成混光二极管1的制作，故该混光二极管1包覆发光二极管芯片15的荧光胶16因为倒放的缘故，该荧光粉17沉淀的位置为芯片结合区14 (发光二极管芯片15)的顶部，有效且完整的将发光二极管芯片15遮蔽，如图1所示，因此使得混光二极管1的混光效果更加优良。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种混光二极管结构，其特征在于：包括：
一LED基座，一侧设有芯片结合区，另一侧具有连通芯片结合区的注入口与排气孔；
一发光二极管芯片，结合于该LED基座的芯片结合区；以及
具有荧光粉的一荧光胶，填注在LED基座的注入口中。
2.根据权利要求1所述的混光二极管结构，其特征在于：更包含一遮蔽物，该遮蔽物覆盖于倒置的LED基座的芯片结合区下方。
3.根据权利要求2所述的混光二极管结构，其特征在于：所述遮蔽物为盖片、盖板、覆膜或可剥离的耐热胶带。
4.根据权利要求1所述的混光二极管结构，其特征在于：所述荧光胶注入在倒置的LED基座的注入口中，所述荧光粉则沉淀至芯片结合区顶部。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN113193096A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-07-30 | 苏州东岩电子科技有限公司 | 一种低成本的led发光器件的制备方法及其led发光器件 |
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2011
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| CN113193096B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-09-16 | 吴冬梅 | 一种低成本的led发光器件的制备方法及其led发光器件 |
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