CN202384390U - 高电流取出效率led - Google Patents
高电流取出效率led Download PDFInfo
- Publication number
- CN202384390U CN202384390U CN2011205719802U CN201120571980U CN202384390U CN 202384390 U CN202384390 U CN 202384390U CN 2011205719802 U CN2011205719802 U CN 2011205719802U CN 201120571980 U CN201120571980 U CN 201120571980U CN 202384390 U CN202384390 U CN 202384390U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- led
- deposited
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的
SiO
2
层、以及沉积于所述的SiO
2
层上方的ITO和金属电极。
所述的基底为P-GaN层。
在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，然后制作成类似CBL的结构，然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上，该层SiO2的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。
由于采用上述技术方案，
本实用新型利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制造领域。
背景技术
现有技术中LED的构造，是在p型GaN上沉积电流阻挡层，然后在电流阻挡层上沉积电流扩展层和电极，这种结构会造成从电极下方发出的光被电极吸收的情况，从而导致现有技术中的LED 的出光效率不高。
发明内容
本发明目的是增加电极下方的光反射能力，从而减少电极对光的吸收，提高出光效率。
为了达到以上以技术目的，本发明的技术方案为：一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO
2
层、以及沉积于所述的SiO
2
层上方的ITO和金属电极。
优选地，所述的基底为P-GaN层。
优选地，在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，然后制作成类似CBL的结构，然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上，该层SiO2的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。
由于采用上述技术方案，本发明利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。
附图说明
附图1为根据本发明的高电流取出效率LED的结构示意图；
附图2为根据本发明的高电流取出效率LED的制造流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
参见附图1所示，为根据本发明的高电流取出效率LED的结构示意图，它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO
2
层、以及沉积于所述的SiO
2
层上方的ITO和金属电极。本实施例中的基底为P-GaN层，在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。
参见附图2所示，为根据本发明的高电流取出效率LED的制造流程示意图。首先在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等制作成类似CBL——CBL=current blocking layer主要是为了让不能出光(或挡光)的地方(PN结)不发光，或叫提高电流有效注入的结构，然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上，该层SiO2的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种高电流取出效率LED，其特征在于：它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。
2.根据权利要求1所述的高电流取出效率LED，其特征在于：所述的金属薄膜的反射率大于70%。
3.根据权利要求2所述的高电流取出效率LED，其特征在于：所述的金属薄膜选自银、铜、铑中的一种。
4.根据权利要求1所述的高电流取出效率LED，其特征在于：所述的基底为P-GaN层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011205719802U CN202384390U (zh) | 2011-12-31 | 2011-12-31 | 高电流取出效率led |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011205719802U CN202384390U (zh) | 2011-12-31 | 2011-12-31 | 高电流取出效率led |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202384390U true CN202384390U (zh) | 2012-08-15 |
Family
ID=46632872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011205719802U Expired - Lifetime CN202384390U (zh) | 2011-12-31 | 2011-12-31 | 高电流取出效率led |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202384390U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103117343A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-22 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 具有反射镜结构的led发光器件及其制备方法 |
| CN103824922A (zh) * | 2011-12-31 | 2014-05-28 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 高电流取出效率led |
| CN104425662A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 |
-
2011
- 2011-12-31 CN CN2011205719802U patent/CN202384390U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103824922A (zh) * | 2011-12-31 | 2014-05-28 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 高电流取出效率led |
| CN103117343A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-22 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 具有反射镜结构的led发光器件及其制备方法 |
| CN103117343B (zh) * | 2013-02-05 | 2016-06-15 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 具有反射镜结构的led发光器件及其制备方法 |
| CN104425662A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101976718B (zh) | 光电子半导体芯片 | |
| CN201773864U (zh) | 具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管 | |
| CN101859861A (zh) | 具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 | |
| CN102709422A (zh) | 半导体发光器件及其制备方法 | |
| CN101872824A (zh) | 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 | |
| CN101840985A (zh) | 具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法 | |
| CN103078024A (zh) | 一种具有反射镜结构的发光二极管 | |
| TWI601312B (zh) | 光電半導體晶片 | |
| CN102150272A (zh) | 具供设置反射性电极的平滑表面的发光二极管 | |
| CN102969422B (zh) | 高出光率倒装结构led的制作方法 | |
| CN202025790U (zh) | 一种改进的具有电流阻挡层的发光二极管芯片 | |
| US20050236636A1 (en) | GaN-based light-emitting diode structure | |
| CN103022310B (zh) | Led发光芯片的光提取层及led装置 | |
| CN204088355U (zh) | 一种发光二极管结构 | |
| CN106159100A (zh) | 有机发光二极管结构及其制作方法 | |
| CN202384390U (zh) | 高电流取出效率led | |
| JP5893699B1 (ja) | 発光ダイオードの透明導電層構成 | |
| RU2011144445A (ru) | Светоизлучающее полупроводниковое устройство и способ его изготовления | |
| CN103855261A (zh) | 半导体发光元件 | |
| CN105449070A (zh) | 一种发光二极管的透明导电层结构 | |
| CN103489977A (zh) | 具有全方位反射镜的发光二极管及其相应的制造方法 | |
| CN203521452U (zh) | 提高发光效率的led芯片结构 | |
| CN203674250U (zh) | 一种提高led侧面出光的结构 | |
| CN204257689U (zh) | 一种发光二极管电极结构及包含其的发光二极管结构 | |
| CN102903817B (zh) | 具有反射电极的发光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: FOCUS LIGHINGS TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: FOCUS LIGHTING (SUZHOU) CO., LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8 Patentee after: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8 Patentee before: Focus Lightings Tech Inc. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20120815 |