CN202379744U

CN202379744U - 一种硅芯搭桥结构

Info

Publication number: CN202379744U
Application number: CN2011205673156U
Authority: CN
Inventors: 曹泽俊
Original assignee: JIANGXI LDK SOLAR POLYSILICON CO Ltd
Current assignee: JIANGXI LDK SOLAR POLYSILICON CO Ltd
Priority date: 2011-12-30
Filing date: 2011-12-30
Publication date: 2012-08-15
Anticipated expiration: 2021-12-30

Abstract

本实用新型公开了一种硅芯搭桥结构，包括第一竖硅芯和第二竖硅芯，横向搭接在第一竖硅芯和第二硅芯顶端上的桥芯，第一竖硅芯和第二竖硅芯的顶端切割有一预定角度的“V”形凹槽，桥芯的两端切割有一预定角度的“V”形口，第一竖硅芯和第二竖硅芯顶端的“V”形凹槽和桥芯的两端的“V”形口相适配。本实用新型提供一种硅芯搭桥结构，通过第一竖硅芯和第二竖硅芯与桥芯构成一个“Π”形导电回路，且二者的接触面较大，因而接触电阻较小，有利于多晶硅氢还原的导通和提高生产效率。

Description

一种硅芯搭桥结构

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产领域，尤其涉及一种硅芯搭桥结构。

背景技术

目前，在西门子法生产多晶硅技术领域中，硅芯搭接技术是一项很重要的技术，主要应用与多晶生产过程中还原反应过程的环节，所述还原反应是在一个密闭的还原炉中进行，在还原炉中用硅芯搭接若干个闭合回路，每个闭合回路都是由两根竖硅芯和一根横硅芯组合而成，每一个闭合回路的两个竖硅芯分别接在炉低上的两个正负电极上，然后对硅芯加热，加热中一组搭接好的硅芯相当一个大电阻，向还原炉通入氢气和三氯氢硅，进行还原反应，这样，在硅芯表面上生成所需要的多晶硅。但是现有的硅芯搭接技术通常“U”、“V”形口搭接技术以及“Π”钻孔搭接技术，以上搭接技术共同的特点是，每个闭合回路都是由两根竖硅芯和一根横硅芯组合而成，不同的是U”、“V”形口搭接技术是在竖圆柱形硅芯的顶端开一个“U”、“V”形槽或者在竖方柱形硅芯顶端形成一定锥度的圆锥面，在横方柱形桥芯二端钻孔，将桥芯套入方柱形硅芯。

综上，现有的硅芯搭接技术存在如下缺陷：1、两根圆硅芯与桥芯接触面不够，往往仅仅为线接触，造成接触电阻相应较大，导致在通电导通的过程中需要较高的电压，而硅芯在这个高电压的情况下非常容易倒伏，影响了多晶硅的生产。2、二根方硅芯和一根桥芯的加工比较麻烦，需要采用高精度的数控磨床盒数控机床，导致生产效率不高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅芯搭桥结构，通过第一竖硅芯和第二竖硅芯与桥芯，构成一个“Π”形导电回路，且二者的接触面较大，因而接触电阻较小，有利于多晶硅氢还原的导通和提高生产效率。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种硅芯搭桥结构，包括第一竖硅芯和第二竖硅芯，横向搭接在第一竖硅芯和第二硅芯顶端上的桥芯，第一竖硅芯和第二竖硅芯的顶端切割有一预定角度的“V”形凹槽，桥芯的两端切割有一预定角度的“V”形口，第一竖硅芯和第二竖硅芯顶端的“V”形凹槽和所述桥芯的两端的“V”形口相适配。

具体地，所述两根竖硅芯顶端部的“V”形凹槽和所述桥芯的两端的“V”形口相卡合。

具体地，所述“V”形口中的切割角度和“V”形凹槽的切割角度是完全一致的。

具体地，所述桥芯两端的 “V”形口的长度是相等的。

具体地，所述桥芯中部未加工长度略小于还原炉电极中心距。

具体地，所述桥芯的两端的“V”形口位于第一竖硅芯和第二根竖硅芯顶端的“V”形凹槽中，“V”形口和“V”形凹槽完全适配。

具体地，所述第一竖硅芯和第二竖硅芯的顶端的“V”形凹槽是纵向方向的。

具体地，所述桥芯的两端的“V”形口是横向方向的。

由于硅芯顶端的“V”形凹槽和桥芯的两端的“V”形口的切割角度是完全相同的，两根竖硅芯顶端部的“V”形凹槽和所述桥芯的两端的“V”形口相连接，第一竖硅芯和第二硅芯横和搭接在所述两根竖硅芯顶端上的桥芯构成了一个稳定的“Π”形导电回路，故该“Π”形导电回路中硅芯和桥芯是完全接触的，接触电阻比较小，解决了现有硅芯搭接技术中存在的硅芯和桥芯二者之间的接触面不足，接触电阻比较大以及需要采用高精度的数控磨床盒数控机床才能够加工方硅芯和桥芯的缺陷。另外，加工本实用新型中硅芯顶端部的“V”形凹槽和桥芯的两端的“V”形口所需的加工机床比较简单，只需要一台机床切割硅芯，一台机床切割桥芯，加工效率较高，设备、人工成本均比较低，有利于工业推广。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的硅芯搭桥结构的第一结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的硅芯搭桥结构的第二结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请一并参阅图1及图2，本实用新型实施例提供的一种硅芯搭桥结构，包括第一竖硅芯12、第二竖硅芯11和桥芯10，所述桥芯10横向搭接在所述第一竖硅芯12及第二竖硅芯11。第一竖硅芯12、第二竖硅芯11的顶端均切割有一预定角度的“V”形凹槽，“V”形凹槽是纵向方向的，桥芯10两端切割有一预定角度的“V”形口，桥芯10的两端的“V”形口是横向方向的，“V”形口中的切割角度和“V”形凹槽的切割角度是完全一致的，故所述第一竖硅芯12、第二竖硅芯11顶端“V”形凹槽和桥芯10两端的“V”形口相适配，第一竖硅芯12、第二竖硅芯11顶端的“V”形凹槽和所述桥芯10两端的“V”形口相卡合。保证了第一竖硅芯12、第二竖硅芯11和桥芯10在组合安装后，二者的接触面积足够大，形成全面接触。

由于切割硅芯“V”形凹槽和桥芯两端的“V”形口的切割刀具采用了同一角度的切割刀具，其切割加工片的角度完全一致，故硅芯顶端切割的“V”形凹槽和桥芯的两端切割的“V”形口的切割角度是完全相同的，这样就保证了硅芯和桥芯在组合安装后，二者的接触面积足够大，形成全面接触，因而接触电阻比较小，有利于多晶硅氢还原的导通和提高生产效率。

桥芯10两端的“V”形口的加工长度是相等的，中部未加工部分长度略小于还原炉电极中心距，桥芯10的两端的“V”形口是横向方向的，第一竖硅芯12和第二竖硅芯11的顶端的“V”形凹槽是纵向方向的，桥芯10的两端的“V”形口位于第一竖硅芯12和第二根竖硅芯11顶端的“V”形凹槽中，“V”形口和“V”形凹槽完全适配。

第一竖硅芯12和第二硅芯11的顶端的“V”形凹槽和所述桥芯10的两端的“V”形口相连接，第一竖硅芯12和第二硅芯11和横向搭连在所述两根竖硅芯顶端上的桥芯10构成了一个稳定的“Π”形导电回路。硅芯顶端的“V”形凹槽和桥芯的两端的“V”形口的切割角度是完全相同的，故该“Π”形导电回路中硅芯和桥芯是完全接触的，接触电阻比较小，该设计结构有效提高改良西门子法多晶硅的氢还原生成。

以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。

Claims

1. 一种硅芯搭桥结构，包括第一竖硅芯和第二竖硅芯，横向搭接在所述第一竖硅芯和第二硅芯顶端上的桥芯，其特征在于，所述第一竖硅芯和第二竖硅芯的顶端切割有一预定角度的“V”形凹槽，所述桥芯的两端切割有一预定角度的“V”形口，所述第一竖硅芯和第二竖硅芯顶端的“V”形凹槽和所述桥芯的两端的“V”形口相适配。

2.如权利要求1所述的硅芯搭桥结构，其特征在于，所述两根竖硅芯顶端的“V”形凹槽和所述桥芯的两端的“V”形口相卡合。

3.如权利要求2所述的硅芯搭桥结构，其特征在于，所述“V”形口中的切割角度和“V”形凹槽的切割角度是完全一致的。

4.如权利要求3所述的硅芯搭桥结构，其特征在于，所述桥芯两端的 “V”形口的长度是相等的。

5.如权利要求4所述的硅芯搭桥结构，其特征在于，所述桥芯中部未加工长度略小于还原炉电极中心距。

6.如权利要求5所述的硅芯搭桥结构，其特征在于，所述桥芯的两端的“V”形口位于第一竖硅芯和第二根竖硅芯顶端的“V”形凹槽中，“V”形口和“V”形凹槽完全适配。

7.如权利要求6所述的硅芯搭桥结构，其特征在于，所述第一竖硅芯和第二竖硅芯的顶端的“V”形凹槽是纵向方向的。

8.如权利要求7所述的硅芯搭桥结构，其特征在于，所述桥芯的两端的“V”形口是横向方向的。