CN202351834U - 具有导电桥架构的触控面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及触控技术领域，提供了一种具有导电桥架构的触控面板及其制造方法，其特征在于在导电桥上设有一抗反射层。根据本实用新型之具有导电桥架构的触控面板及其制造方法，可消除触控萤幕的视觉差异问题，并减少制程步骤。

Description

具有导电桥架构的触控面板

技术领域

本实用新型系关于一种触控面板及其制造方法，特别系关于一种具有导电桥架构的触控面板及其制造方法。 

背景技术

触控面板通常包括一基板与在该基板上沿第一轴向间断分布的感测垫和沿第二轴向分布的感测阵列，其中沿第一轴向间断分布的感测垫是由一导电桥电性连接且与沿第二轴向分布的感测阵列电性绝缘。 

由于导电桥为高反射不透光之材料(如钼铝钼等金属)，于操控触控萤幕时，导电桥会反射光线形成亮点区域，亦即，在触控萤幕上会呈现出导电桥区域和无导电桥区域的视觉差异问题，造成使用者视觉上的不舒服。 

实用新型内容

鉴于上述习知触控面板之缺点，本实用新型之目的系提供一种具有导电桥架构的触控面板，其在导电桥上形成一层具有层迭构造的抗反射层，而使导电桥在触控面板上不可见，进而消除视觉差异的问题。 

本实用新型提供一种具有导电桥架构的触控面板，该导电桥上设有一抗反射层。 

上述本实用新型之具有导电桥架构的触控面板中，该抗反射层包括：一第一折射率层，覆盖该导电桥；以及一第二折射率层，位于该第一折射率层上；其中，所述第一折射率层的折射率低于所述导电桥的折射率，所述第二折射率层的折射率高于所述第一折射率层的折射率。 

该抗反射层还可包含一第三折射率层，位于该第二折射率层上，且该第三折射率层的折射率低于该第二折射率层的折射率。该导电桥架构还包含一保护层，覆盖该第三折射率层。 

该第一折射率层具有19-23奈米之厚度，该第二折射率层具有9-13奈米之厚度，该第三折射率层则具有22-28奈米之厚度。 

该第一折射率层和该第三折射率层系透明导电材料，该第二折射率层系导电金属材料。较佳地，该透明导电材料系选自由氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化锌铝(aluminum zinc oxide，AZO)和氧化锑锡(antimony tin oxide，ATO)组成之群组，而该导电金属材料系选自由铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和铜(Cu)组成之群组。 

本实用新型另提供一种具有导电桥架构的触控面板之制造方法，包含以下步骤：形成一抗反射层，覆盖于该导电桥之上。 

该形成抗反射层的步骤包括：形成一第一折射率层，覆盖该导电桥；以及形成一第二折射率层，位于该第一折射率层上；其中，所述第一折射率层的折射率低于所述导电桥的折射率，所述第二折射率层的折射率高于所述第一折射率层的折射率。 

该形成抗反射层的步骤还包括：形成第三折射率层，覆盖于该第二折射率层之上，且该第三折射率层的折射率低于该第二折射率层的折射率。该形成抗反射层的步骤更包括形成一保护层覆盖该抗反射层。该导电桥、该抗反射层系由同一图案化制程形成。 

本实用新型之触控面板于导电桥架构上形成一层抗反射层，经由调整该抗反射层中不同折射率层的折射率，可降低抗反射层的反射率，而使导电桥在触控面板上不可见，进而消除视觉差异的问题。 

本实用新型的其他目的和优点可以从本实用新型所揭露的技术特征中得到进一步的了解。 

附图说明

图1A为触控面板之电极结构示意图。 

图1B是图1A中沿剖面线I-I’所绘示的剖面示意图。 

图2为本实用新型之具有导电桥架构的触控面板中由2层材料构成抗反射层的示意图。 

图3为本实用新型之具有导电桥架构的触控面板中由3层材料构成抗反射层的示意图。 

图4为本实用新型之具有导电桥架构的触控面板中由n层材料构成抗反射层的示意图。 

【主要元件符号说明】 

10        触控面板 

11        基板 

12        第一感测垫 

13        第二感测垫 

14        导线 

16        金属导线 

20        绝缘层 

30        导电桥 

40        保护层 

50        抗反射层 

501       第一折射率层 

502    第二折射率层 

50n    第n折射率层 

具体实施方式

以下将参照图式，详细说明本实用新型之较佳实施例。 

参考图1A和图1B，图1A为触控面板之电极结构示意图，触控面板10通常包括一基板11与在该基板11上沿第一轴向分布的第一感测垫12和沿第二轴向分布的第二感测垫13。两相邻第一感测垫12之间以导线14连接。两相邻第二感测垫13分别置于导线14的两侧边，而以横跨导线14的导电桥30连接彼此，并以绝缘层20等方式保持导电桥30与导线14之间的电性绝缘。另有复数条金属导线16设置在该等电极周侧，以将感测到之讯号传到外部。由于导电桥30或可为一种高反射不透光之材料(如钼铝钼等金属)所制成，因此于操控触控面板时，导电桥30会反射光线形成亮点区域，因此在该导电桥30上设有一抗反射层(将于后续详细描述之)可解决亮点问题，进而使导电桥在触控面板上不可见，进而消除视觉差异的问题。以上的触控面板结构仅为本实用新型之实施例之一，但本实用新型并不以此为限，如在其他结构的触控面板中出现会导致亮点的元件，则皆可适用本案的抗反射层。 

图1B为图1A中沿剖面线I-I’所绘示的剖面示意图。绝缘层20覆盖导线14，导电桥30横跨绝缘层20连接相邻的第二感测垫13，保护层40覆盖导电桥30。。该抗反射层既可为单层结构，其材料可为反射率低于导电桥的材料，如氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(AZO)和氧化锑锡(ATO)等透明导电材料，亦可为多层结构(如后续图2-图4所示)，其中优选多层结构。 

图2为本实用新型之具有导电桥架构的触控面板中由2层材料构成抗反射层的示意图。图2中，元件符号20表示绝缘层，元件符号30表示导电桥，在导电桥30上依序形成(如：涂布)一做为第一折射率层的透明导电材料层501、一做为第二折射率层的导电金属材料层502、一用于图案化之光阻层(图未示)，其中，该透明导电材料层501的折射率低于导电桥30的折射率，该导电金属材料层502的折射率高于该透明导电材料层501的折射率。该透明导电材料系选自由氧化铟锡(indium tin oxide；简称ITO)、氧化锌铝(aluminum zinc oxide；简称AZO)和氧化锑锡(antimony tin oxide简称ATO)组成之群组，该导电金属材料系选自由铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和铜(Cu)组成之群组。于曝光后使用一酸性蚀刻液进行蚀刻，而形成一层具有层迭构造的抗反射层50，之后再于该抗反射层50上镀上一层保护层40。 

如图3所示，可在该导电金属材料层502上涂布另一透明导电材料层503做为第三折射率层，以调整该抗反射层50的折射率。该透明导电材料层503的折射率低于该导电金属材料层502的折射率。该透明导电材料系选自由氧化铟锡、氧化锌铝和氧化锑锡组成之群组。视需要而定，该抗反射层50之迭层构造可涂布三层以上，以进一步调整该抗反射层50的折射率，如图4中第一折射率层501...第n折射率层50n所示。 

(实施例1) 

在导电桥30上依序涂布具有ITO、Cr、ITO三个折射率层的抗反射层50以及一用于图案化之光阻层，于曝光后使用一酸性蚀刻液进行蚀刻，使得导电桥30连同抗反射层50具有如下结构：导电桥30/ITO(厚度：21奈米)/Cr(厚度：12奈米)/ITO(厚度：25奈米)。 

(实施例2) 

在导电桥30上依序涂布具有ITO、Al、ITO三个折射率层的抗反射层50以及一用于图案化之光阻层，于曝光后使用一酸性蚀刻液进行蚀刻，使得导电桥连同抗反射层50具有如下结构：导电桥/ITO(厚度：21奈米)/Al(厚度：10奈米)/ITO(厚度：25奈米)。 

(实施例3) 

在导电桥30上依序涂布具有AZO、Al、AZO三个折射率层的抗反射层50以及一用于图案化之光阻层，于曝光后使用一酸性蚀刻液进行蚀刻，使得导电桥连同抗反射层50具有如下结构：导电桥/AZO(厚度：20奈米)/Al(厚度：11奈米)/AZO(厚度：23奈米)。 

(实施例4) 

在导电桥30上依序涂布具有ATO、Mo、ATO三个折射率层的抗反射层50以及一用于图案化之光阻层，于曝光后使用一酸性蚀刻液进行蚀刻，使得导电桥连同抗反射层50具有如下结构：导电桥/ATO(厚度：22奈米)/Mo(厚度：12奈米)/ATO(厚度：27奈米)。 

(实施例5) 

在导电桥30上依序涂布具有AZO、Cr、AZO三个折射率层的抗反射层50以及一用于图案化之光阻层，于曝光后使用一酸性蚀刻液进行蚀刻，使得导电桥连同抗反射层50具有如下结构：导电桥/AZO(厚度：20奈米)/Cr(厚度：10奈米)/AZO(厚度：28奈米)。 

通过调整抗反射层之迭层所使用的材料和涂布厚度，可降低抗反射层的折射率，从而使抗反射层底下的导电桥不可见。上述各具体实施例中，构成抗反射层之第一、第二、第三层折射率层的厚度分别在19-23奈米、9-13奈米、22-28奈米之范围内，可获得较佳效果。 

本实用新型已参照较佳具体例及例示性附图叙述如上，惟其不应被视为限制性者。熟悉相关技术领域之人士对其形态及具体例之内容所做之任何修改、省略及变化，均不离开本实用新型权利要求所主张之范围。 

Claims (8)

1.一种具有导电桥架构的触控面板，其特征在于在导电桥上设有一抗反射层。

2.如权利要求1所述的具有导电桥架构的触控面板，其特征在于，该抗反射层包括：

一第一折射率层，覆盖该导电桥；以及

一第二折射率层，位于该第一折射率层上；

其特征在于，所述第一折射率层的折射率低于所述导电桥的折射率，所述第二折射率层的折射率高于所述第一折射率层的折射率。

3.如权利要求2所述的具有导电桥架构的触控面板，其特征在于，该抗反射层还包含第三折射率层，位于该第二折射率层上，且该第三折射率层的折射率低于该第二折射率层的折射率。

4.如权利要求3所述的具有导电桥架构的触控面板，其特征在于，还包含一保护层，覆盖该第三折射率层。

5.如权利要求3所述的具有导电桥架构的触控面板，其特征在于，该第一折射率层具有19-23奈米之厚度，该第二折射率层具有9-13奈米之厚度，该第三折射率层则具有22-28奈米之厚度。

6.如权利要求3所述的具有导电桥架构的触控面板，其特征在于，该第一折射率层和该第三折射率层系透明导电材料，该第二折射率层系导电金属材料。

7.如权利要求6所述的具有导电桥架构的触控面板，其特征在于，该透明导电材料系选自由氧化铟锡、氧化锌铝和氧化锑锡组成之群组。

8.如权利要求6所述的具有导电桥架构的触控面板，其特征在于，该导电金属材料系选自由铝、铬、钼和铜组成之群组。

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