CN202337731U - 一种磁控溅射可钢化单银low-e 玻璃 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有九个膜层,其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为CrNx层,第四层为ZnO层,第五层为Ag层,第六层为CrNxOy层,第七层为ZnSn3O4层,第八层为TiO2层,最外层为Si3N4Oy层。本实用新型目的是克服了现有技术的不足,提供一种透过率高,镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃。
【背景技术】
玻璃是在当代的生产和生活中扮演着重要角色,建筑物的门窗汽车车窗和挡风玻璃等等许多地方都用到玻璃,给生产和生活带来了很多的方便。但是现有的镀膜玻璃的镀膜层与玻璃基材的结合力弱、镀膜层疏松、不均匀。
【发明内容】
本发明目的是克服了现有技术的不足,提供一种透过率高,镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片1,其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有九个膜层,其中第一膜层即最内层为Si3N4层21,第二层为TiO2层22,第三层为CrNx层23,第四层为ZnO层24,第五层为Ag层25,第六层为CrNxOy层26,第七层为ZnSn3O4层27,第八层为TiO2层28,最外层为Si3N4Oy层29。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述 第一膜层的Si3N4层21的厚度为13~17nm。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第二层TiO2层22的厚度为28~32nm。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第三层CrNx层23的厚度为1.5~3nm。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第四层ZnO层24的厚度为8~12nm。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第五层Ag层25的厚度为8~12nm。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第六层CrNxOy层26的厚度为1.5~3nm。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第七层ZnSn3O4层27的厚度为28~32nm。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第八层TiO2层28的厚度为18~22nm。
如上所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述最外层Si3N4Oy层29的厚度为28~32nm。
与现有技术相比,本发明有如下优点:
1、本发明采用磁控溅射法将镀膜层溅射在玻璃基材上,镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀。
2、本玻璃利用TiO2膜的高折射率,使镀膜玻璃颜色呈中性,使之具有较高的可见光透过率,并利用TiO2降低银膜的面电阻,减少 银的消耗。
3、本玻璃钢化前后透过率偏差小于1.5%,漂移小,ΔE<1.0,颜色偏差小,按国标法测耐磨ΔE<2.0。
【附图说明】
图1是本发明结构示意图。
【具体实施方式】
一种磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片1,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有九个膜层,其中第一膜层即最内层为Si3N4层21,第二层为TiO2层22,第三层为CrNx层23,第四层为ZnO层24,第五层为Ag层25,第六层为CrNxOy层26,第七层为ZnSn3O4层27,第八层为TiO2层28,最外层为Si3N4Oy层29。
所述第一膜层的Si3N4层21,即氮化硅层;Si3N4是一种非常坚硬的材料,它确保了整个镀层具有良好的机械耐久性,设置在最内层作为保护玻璃的最后一道屏障,Si3N4层的厚度为13~17nm,nm是纳米,1m=109nm。
所述第二膜层的TiO2层22,即钛的氧化物——二氧化钛。采用高折射率n=2.5的TiO2是为了提高玻璃的透光率,而且玻璃呈中性颜色,使之具有较高的可见光透过率,并利用TiO2降低银膜的面电阻,减少银的消耗。TiO2膜表面非常光滑,因而改善了银膜的导电率。厚度为28~32nm。
所述第三膜层CrNx层23,即氮化铬层,提高耐磨性,CrNx层 厚度为1.5~3nm。
所述第四层ZnO层24,即氧化锌层,是减反射的金属氧化物层,同时进一步提高银膜的导电率。氧化锌ZnO可用作助熔剂,降低玻璃的烧结温度,用作玻璃涂料,让可见光通过的同时反射红外线,以达到保温或隔热的效果。ZnO层的厚度为8~12nm。
所述第五层Ag层25,即金属银层,金属银层提供了较低的辐射率,起环保节能的作用;Ag层的厚度为8~12nm,
所述第六层CrNxOy层26,即氮氧化铬层,提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性,CrNxOy的厚度为1.5~3nm。
所述第七层ZnSn3O4层27,即氧化锌锡层,ZnSn3O4的厚度为28~32nm,
所述第八层TiO2层28,即钛的氧化物——二氧化钛,厚度为18~22nm,
最外层Si3N4Oy层29,即氮氧化硅层,氮氧化硅提高钢化时抗高温氧化性,Si3N4Oy层厚度为28~32nm。
一种磁控溅射法制备上述的可钢化单银LOW-E玻璃的方法,包括如下步骤:
(1)磁控溅射Si3N4层,用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比(Si∶Al=90~98∶2~10);
(2)磁控溅射TiO2层,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶;
(3)磁控溅射CrNx层,用氮气做反应气体,用直流电源溅射;
(4)磁控溅射ZnO层,平滑CrNx层,用中频交流电源溅射陶瓷 Zn靶,为Ag层作铺垫;
(5)磁控溅射Ag层,交流电源溅射;
(6)磁控溅射CrNxOy层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(7)磁控溅射ZnSn3O4层,用中频交流电流溅射ZnSn(Zn∶Sn48~52∶48~52);
(8)磁控溅射TiO2,层,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶。
(9)磁控溅射Si3N4Oy层,氮气作反应气体、用交流中频电源溅射半导体材料Si∶Al(90~98∶2~10)。
本发明的优选方案:
所述第一膜层的Si3N4层21的厚度为15nm,第二层TiO2层22的厚度为30nm,第三层CrNx层23的厚度为2nm,第四层ZnO层24的厚度为10nm,第五层Ag层25的厚度为10nm,第六层CrNxOy层26的厚度为2nm,第七层ZnSn3O4层27的厚度为30nm,第八层TiO2层28的厚度为20nm,最外层Si3N4Oy层29的厚度为30nm。步骤(1)和步骤(9)中半导体材料的配比均为Si∶Al(90∶10),步骤(7)中锌和锡配比为Zn∶Sn(50∶50)。
Low-E玻璃也叫做低辐射镀膜玻璃。
本发明采用磁控溅射法将镀膜层溅射在玻璃基材上,镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀。本玻璃利用TiO2膜的高折射率,使镀膜玻璃颜色呈中性,使之具有较高的可见光透过率,并利用TiO2降低银膜的面电阻,减少银的消耗。本玻璃钢化前后透过率偏 差小于1.5%,漂移小,ΔE<1.0,颜色偏差小,按国标法测耐磨ΔE<2.0。
本玻璃利用TiO2膜的高折射率,使镀膜玻璃颜色呈中性,使之具有较高的可见光透过率,并利用TiO2降低银膜的面电阻,减少银的消耗。本玻璃透光率T(透过透明或半透明体的光通量与其入射光通量的百分率)达84%;本玻璃辐射率≤0.08,辐射率是某物体的单位面积辐射的热量同单位面积黑体在相同温度、相同条件下辐射热量之比。辐射率定义是某物体吸收或反射热量的能力。玻璃的辐射率越接近于零,其绝热性能就越好。
Claims (10)
1.一种磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片(1),其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有九个膜层,其中第一膜层即最内层为Si3N4层(21),第二层为TiO2层(22),第三层为CrNx层(23),第四层为ZnO层(24),第五层为Ag层(25),第六层为CrNxOy层(26),第七层为ZnSn3O4层(27),第八层为TiO2层(28),最外层为Si3N4Oy层(29)。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第一膜层的Si3N4层(21)的厚度为13~17nm。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第二层TiO2层(22)的厚度为28~32nm。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第三层CrNx层(23)的厚度为1.5~3nm。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第四层ZnO层(24)的厚度为8~12nm。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第五层Ag层(25)的厚度为8~12nm。
7.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第六层CrNxOy层(26)的厚度为1.5~3nm。
8.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第七层ZnSn3O4层(27)的厚度为28~32nm。
9.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述第八层TiO2层(28)的厚度为18~22nm。
10.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,其特征在于所述最外层Si3N4Oy层(29)的厚度为28~32nm。
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