CN104310801A - 一种中性色三银low-e玻璃及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种中性色三银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,在所述的玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有十五个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二膜层为TiO2层,第三膜层为ZnO层,第四膜层为Ag层,第五膜层为NiCrOx层,第六层膜为ZnSnO3层,第七膜层为ZnO层,第八膜层为Ag层,第九膜层为NiCrOx层,第十膜层为ZnSnO3层,第十一膜层为ZnO层,第十二膜层为Ag层,第十三膜层为NiCr层,第十四膜层为ZnSnO3层,最外层第十五膜层为Si3N4层。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种镀膜玻璃,更具体地说是一种中性色三银LOW-E玻璃,本发明还涉及一种玻璃的制备方法。
【背景技术】
玻璃是在当代的生产和生活中扮演着重要角色,建筑物的门窗汽车车窗和挡风玻璃等等许多地方都用到玻璃,给生产和生活带来了很多的方便。中性色玻璃需求量也很大,但现有的中性色玻璃阳光透过率低,反射率高,遮阳系数高。
【发明内容】
本发明目的是克服了现有技术的不足,提供一种透过率高,反射率低,遮阳系数小的中性色三银LOW-E玻璃。本发明还提供一种中性色三银LOW-E玻璃的制备方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种中性色三银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片1,在所述的玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有十五个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层21,第二膜层为TiO2层22,第三膜层为ZnO层23,第四膜层为Ag层24,第五膜层为NiCrOx层25,第六层膜为ZnSnO3层26,第七膜层为ZnO层27,第八膜层为Ag层28,第九膜层为NiCrOx层29,第十膜层为ZnSnO3层210,第十一膜层为ZnO层211,第十二膜层为Ag层212,第十三膜层为NiCr层213,第十四膜层为ZnSnO3层214,最外层第十五膜层为Si3N4层215。
如上所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第一膜层的Si3N4层21的厚度为10~20nm,最外层第十五膜层Si3N4层215的厚度为25~35nm。
如上所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第二膜层的TiO2层22的厚度为5~10nm。
如上所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第三膜层ZnO层23、第七膜层ZnO层27、第十一膜层为ZnO层211的厚度均为15~25nm。
如上所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第四膜层Ag层24的厚度为5~15nm,第八膜层为Ag层28的厚度为8~15nm,第十二膜层为Ag层212的厚度为5~10nm。
如上所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第五膜层NiCrOx层25的厚度为1~2nm,第九膜层NiCrOx层29的厚度为0.5~1.5nm。
如上所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于第六层膜为ZnSnO3层26的厚度为55~65nm,第十膜层为ZnSnO3层210的厚度为55~65nm,第十四膜层为ZnSnO3层214,厚度为10~20nm。
一种制备上述的中性色三银LOW-E玻璃的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)磁控溅射Si3N4层,用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al=90:10,密度96%;
(2)磁控溅射TiO2层,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶;
(3)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(4)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(5)磁控溅射NiCrOX层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(6)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(7)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(8)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(9)磁控溅射NiCrOX层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(10)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(11)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(12)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(13)磁控溅射NiCr层,用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射;
(14)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(15)磁控溅射Si3N4层,用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al=90:10,密度96%。
与现有技术相比,本发明有如下优点:
1、本玻璃利用Si3N4作基膜及顶膜,使膜层有较好的粘结性及较佳的机械强度,利用TiO2提高玻璃的透光率,并用ZnO平整膜层,使TiO2膜表面光滑,改善后期银膜的导电率。
2、本玻璃透光率T(透过透明或半透明体的光通量与其入射光通量的百分率)≥70%;反射率≤15,遮阳系数SC≤0.45。本玻璃辐射率≤0.03,辐射率是某物体的单位面积辐射的热量同单位面积黑体在相同温度、相同条件下辐射热量之比。辐射率定义是某物体吸收或反射热量的能力。玻璃的辐射率越接近于零,其绝热性能就越好。
3、本玻璃颜色显中性色,a*=-1.5~2,b*=-2~-3。
【附图说明】
图1是本发明结构示意图。
【具体实施方式】
一种中性色三银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片1,在所述的玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有十五个膜层,其中第一膜层即最内层为Si3N4层21,第二膜层为TiO2层22,第三膜层为ZnO层23,第四膜层为Ag层24,第五膜层为NiCrOx层25,第六层膜为ZnSnO3层26,第七膜层为ZnO层27,第八膜层为Ag层28,第九膜层为NiCrOx层29,第十膜层为ZnSnO3层210,第十一膜层为ZnO层211,第十二膜层为Ag层212,第十三膜层为NiCr层213,第十四膜层为ZnSnO3层214,最外层第十五膜层为Si3N4层215。
所述最内层Si3N4层21,即氮化硅层;Si3N4是一种非常坚硬的材料,提高膜层硬度及避免不良原子深入破坏银层镀膜层,使整个膜层在高温下耐热性更好,机械性更好,它确保了整个镀层具有良好的机械耐久性。Si3N4层21的厚度为20~35nm,nm是纳米,1m=109nm。
所述的第二层TiO2层22,即钛的氧化物——二氧化钛。采用高折射率n=2.5的TiO2是为了提高玻璃的透光率,降低银层的面电阻,减少银的消耗,又可以减少LOW-E热处理后产生光散射,而且玻璃呈中性颜色,TiO2膜表面非常光滑,因而改善了银膜的导电率。TiO2层的厚度是10~15nm。
所述第三层ZnO层23,即氧化锌层,是减反射的金属氧化物层,同时进一步提高银膜的导电率。氧化锌ZnO可用作助熔剂,降低玻璃的烧结温度,用作玻璃涂料,让可见光通过的同时反射红外线,以达到保温或隔热的效果。ZnO层厚度为15~25nm。
所述第四层Ag层24,即金属银层,金属银提供了较低的辐射率,起环保节能的作用;厚度为5~15nm。
所述第五膜层的NiCrOx层25,即氧化镍铬层,氧化镍铬层为了进一步保护银膜,以避免银膜在反应溅射过程受到浸蚀,还要在薄的银膜一侧或两侧增加所谓的“阻挡层”,对于镀层具有非常良好的抗化学和机械性能。厚度为1~2nm。
所述第六层ZnSnO3层26,即氧化锌锡层,提高玻璃的透过率,ZnSnO3的厚度为55~65nm。
所述第七层ZnO层27,即氧化锌层,ZnO层厚度为15~25nm。
所述第八层Ag层28,即金属银层,厚度为5~15nm。
所述第九膜层的NiCrOx层29,即氧化镍铬层,厚度为0.5~1.5nm。
所述第十层ZnSnO3层210,即氧化锌锡层,ZnSnO3的厚度为55~65nm。
所述第十一层ZnO层211,即氧化锌层,ZnO层厚度为15~25nm。
所述第十二层Ag层212,即金属银层,厚度为5~10nm。
所述第十三层NiCr层213,即镍铬金属层,作为Ag层的保护层及平整层,提高耐氧化性能防止Ag层的氧化。NiCr层的厚度为0.5~1.5nm。
所述第十四层ZnSnO3层214,即氧化锌锡层,ZnSnO3的厚度为10~20nm。
所述的最外层Si3N4层215,即氮化硅层;它确保了整个镀层具有良好的机械耐久性。Si3N4膜是非常坚硬,而且抗划伤,它的硬度是玻璃的三倍,是TiO2的二倍;Si3N4的折射率为2.05,吸收率几乎为零,所以它作为Low-e镀层的顶层是非常适合的。Si3N4层的厚度为25~35nm。
一种制备上述的中性色三银LOW-E玻璃的方法,包括如下步骤:
(1)磁控溅射Si3N4层,用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al=90:10,密度96%;
(2)磁控溅射TiO2层,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶;
(3)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(4)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(5)磁控溅射NiCrOX层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(6)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(7)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(8)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(9)磁控溅射NiCrOX层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(10)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(11)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(12)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(13)磁控溅射NiCr层,用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射;
(14)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(15)磁控溅射Si3N4层,用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al=90:10,密度96%。
中性色三银LOW-E玻璃在阳光性能上有很大提高,三层银膜可以使发射率降到很低值,即传热系数降到低值;而且它在降低太阳能的同时,仍然能保持很高的可见光透过率,所以三银LOW-E镀层在阳光性能方面具有良好的选择性。
LOW-E玻璃也叫做低辐射镀膜玻璃。
本玻璃利用TiO2可降低银层的面电阻,减少银的消耗,又可以减少LOW-E热处理后产生光散射,Si3N4作顶膜及底膜,提高膜层硬度及避免不良原子深入破坏银层镀膜层,使整个膜层在高温下耐热性更好,机械性更好,具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性。
本玻璃透光率T(透过透明或半透明体的光通量与其入射光通量的百分率)≥70%;反射率≤15,遮阳系数SC≤0.45。本玻璃辐射率≤0.03,辐射率是某物体的单位面积辐射的热量同单位面积黑体在相同温度、相同条件下辐射热量之比。辐射率定义是某物体吸收或反射热量的能力。玻璃的辐射率越接近于零,其绝热性能就越好。
本玻璃颜色显中性色,a*=-1.5~2,b*=-2~-3。
Claims (9)
1.一种中性色三银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片(1),在所述的玻璃基片(1)的复合面上由内到外依次相邻地复合有十五个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层(21),第二膜层为TiO2层(22),第三膜层为ZnO层(23),第四膜层为Ag层(24),第五膜层为NiCrOx层(25),第六层膜为ZnSnO3层(26),第七膜层为ZnO层(27),第八膜层为Ag层(28),第九膜层为NiCrOx层(29),第十膜层为ZnSnO3层(210),第十一膜层为ZnO层(211),第十二膜层为Ag层(212),第十三膜层为NiCr层(213),第十四膜层为ZnSnO3层(214),最外层第十五膜层为Si3N4层(215)。
2.根据权利要求1所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第一膜层的Si3N4层(21)的厚度为10~20nm,最外层第十五膜层Si3N4层(215)的厚度为25~35nm。
3.根据权利要求1所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第二膜层的TiO2层(22)的厚度为5~10nm。
4.根据权利要求1所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第三膜层ZnO层(23)、第七膜层ZnO层(27)、第十一膜层为ZnO层(211)的厚度均为15~25nm。
5.根据权利要求1所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第四膜层Ag层(24)的厚度为5~15nm,第八膜层为Ag层(28)的厚度为8~15nm,第十二膜层为Ag层(212)的厚度为5~10nm。
6.根据权利要求1所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于所述第五膜层NiCrOx层(25)的厚度为1~2nm,第九膜层NiCrOx层(29)的厚度为0.5~1.5nm。
7.根据权利要求1所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于第六层膜为ZnSnO3层(26)的厚度为55~65nm,第十膜层为ZnSnO3层(210)的厚度为55~65nm,第十四膜层为ZnSnO3层(214),厚度为10~20nm。
8.根据权利要求1所述的中性色三银LOW-E玻璃,其特征在于第十三膜层NiCr层(213)的厚度为0.5~1.5nm。
9.一种制备权利要求1-8任意一项所述的中性色三银LOW-E玻璃的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)磁控溅射Si3N4层,用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al=90:10,密度96%;
(2)磁控溅射TiO2层,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶;
(3)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(4)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(5)磁控溅射NiCrOX层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(6)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(7)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(8)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(9)磁控溅射NiCrOX层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(10)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(11)磁控溅射ZnO层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(12)磁控溅射Ag层,用交流电源溅射;
(13)磁控溅射NiCr层,用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射;
(14)磁控溅射ZnSnO3层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn=48~52:48~52;
(15)磁控溅射Si3N4层,用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al=90:10,密度96%。
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150128 |