CN202323030U - 一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置 - Google Patents
一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202323030U CN202323030U CN2011204312682U CN201120431268U CN202323030U CN 202323030 U CN202323030 U CN 202323030U CN 2011204312682 U CN2011204312682 U CN 2011204312682U CN 201120431268 U CN201120431268 U CN 201120431268U CN 202323030 U CN202323030 U CN 202323030U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- roller
- silicon chip
- silicon wafers
- water
- moisture film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置，硅片在若干滚轮支承下移动，滚轮上方有喷淋管，滚轮中有高位滚轮，高位滚轮对硅片的支承点高于前后滚轮的支承点。通过滚轮支承点的高度差，使硅片在行进过程中呈起伏状态，利用水的流动性使水膜覆盖完全，有利于提高刻蚀质量，同时减少水膜水量，使硅片在行进中水膜的水不会溢流到刻蚀槽，减少酸耗量，节约成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池片的生产装置。
背景技术
随着太阳能电池湿法刻蚀技术的发展，漏电问题得到较好解决，同时碎片率较干法刻蚀有较大改善，且背面刻蚀后形成抛光面，有利于电性能提升。但同时湿法刻蚀也易造成刻蚀不够或者刻蚀过多等问题，致使正反面导通，扩散面PN结被破坏，受光面积减少，从而导致漏电较大，电池性能急剧下降等问题。所以，湿法刻蚀的关键是要保证刻蚀完全，同时扩散面PN结不被破坏，减小漏电并最大限度的增加受光面积。
刻蚀机利用水膜喷淋覆盖技术，在扩散面喷淋水膜，利用SiO2亲水性将水吸附在表面，使扩散面PN结不易遭到破坏，在减小漏电同时最大限度的增加受光面积，提升效率。
上料台至刻蚀槽滚轮呈水平状态，硅片在经水喷淋管喷水后，由于水的流动性等不可控因素，在表面形成水膜的同时易带来其他问题：(1)表面水膜覆盖不全，高浓度的酸液挥发破坏扩散面PN结，导致漏电增大，受光面积减小，效率降低；(2)水膜覆盖过厚，表面水量加大，硅片在行进中水溢流到刻蚀槽，导致刻蚀液浓度下降，造成刻蚀不够，酸耗量增加，成本上升。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置，使硅片表面的水膜覆盖完全，提高质量，同时减少水膜水量，使硅片在行进中水膜的水不会溢流到刻蚀槽，减少酸耗量，节约成本。
本实用新型的技术方案为：一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置，硅片在若干滚轮支承下移动，滚轮上方有喷淋管，滚轮中有高位滚轮，高位滚轮对硅片的支承点高于前后滚轮的支承点。
优选的，所述高位滚轮与前后滚轮的高度差小于或等于10mm。
优选的，所述喷淋管位于高位滚轮上方。
优选的，所述高位滚轮的直径大于前后滚轮。
优选的，所述高位滚轮是在滚轮上加装橡胶圈。
优选的，所述高位滚轮是安装位置高于前后滚轮。
本实用新型通过滚轮支承点的高度差，使硅片在行进过程中呈起伏状态，利用水的流动性使水膜覆盖完全，有利于提高刻蚀质量，同时减少水膜水量，使硅片在行进中水膜的水不会溢流到刻蚀槽，减少酸耗量，节约成本。
附图说明
图1为本实用新型示意图。
图中：1-喷淋管，2-硅片，3-滚轮，4-高位滚轮。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置，若干滚轮3支承硅片2移动，滚轮3上方有喷淋管1，滚轮中有高位滚轮4，高位滚轮4对硅片2的支承点高于前后滚轮3的支承点。优选的，高位滚轮4与前后滚轮3的高度差小于或等于10mm，喷淋管1位于高位滚轮4上方。
高位滚轮4支承点高于前后滚轮3可采用以下结构之一实现：一是直接加大滚轮3的直径，使高位滚轮4的直径大于前后滚轮3；二是高位滚轮4为在普通滚轮3上加装橡胶圈，增大其直径；三是高位滚轮4的安装位置高于前后滚轮3。
操作时，当硅片2行进至高位滚轮4处时，喷淋管1开始喷水，由于重力，水会沿着硅片2倾斜的方向流向低位滚轮端，使硅片2尾部水膜覆盖均匀；硅片2继续前进，重心向前偏移，硅片2向前倾斜至另一低位滚轮处，此时硅片2尾部的水会沿着倾斜方向流向前端，使硅片2头部被水膜覆盖均匀。
当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置，硅片(2)在若干滚轮(3)支承下移动，滚轮上方有喷淋管(1)，其特征在于：滚轮(3)中有高位滚轮(4)，高位滚轮(4)对硅片(2)的支承点高于前后滚轮(3)的支承点。
2.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置，其特征在于：所述高位滚轮(4)与前后滚轮(3)的高度差小于或等于10mm。
3.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置，其特征在于：所述喷淋管(1)位于高位滚轮(4)上方。
4.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置，其特征在于：所述高位滚轮(4)的直径大于前后滚轮(3)。
5.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置，其特征在于：所述高位滚轮(4)是在滚轮(3)上加装橡胶圈。
6.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置，其特征在于：所述高位滚轮(4)是安装位置高于前后滚轮(3)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011204312682U CN202323030U (zh) | 2011-11-03 | 2011-11-03 | 一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011204312682U CN202323030U (zh) | 2011-11-03 | 2011-11-03 | 一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202323030U true CN202323030U (zh) | 2012-07-11 |
Family
ID=46435017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011204312682U Expired - Fee Related CN202323030U (zh) | 2011-11-03 | 2011-11-03 | 一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202323030U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449492A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-02-22 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 刻蚀硅片水膜去水装置 |
-
2011
- 2011-11-03 CN CN2011204312682U patent/CN202323030U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449492A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-02-22 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 刻蚀硅片水膜去水装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103618020A (zh) | 一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法 | |
| CN105414136B (zh) | 一种用于光伏组件清洗的清洗小车 | |
| CN204332925U (zh) | 硅片刻蚀设备 | |
| CN201561627U (zh) | 硅片吹干系统 | |
| CN102214732A (zh) | 一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺 | |
| CN105118802B (zh) | 电池片背面抛光用水膜厚度控制装置 | |
| CN102623560A (zh) | 一种实现太阳能电池湿法边缘绝缘的方法 | |
| CN109285772A (zh) | 一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置 | |
| CN202323030U (zh) | 一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置 | |
| CN203367238U (zh) | 一种湿法刻蚀水膜赶液系统 | |
| CN102315317A (zh) | 反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺 | |
| CN107919307B (zh) | 一种湿法刻蚀的上料装置 | |
| CN202830170U (zh) | 一种具有水膜铺开功能的湿法刻蚀机 | |
| CN102437240A (zh) | 一种太阳能电池边缘刻蚀方法 | |
| CN203179850U (zh) | 一种湿法刻蚀机 | |
| CN205159295U (zh) | 一种用于硅片清洗的大花篮 | |
| CN206727096U (zh) | 一种太阳能电池干法制绒的弹片装置 | |
| CN206412322U (zh) | 一种刻蚀装置 | |
| CN207425896U (zh) | 一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置 | |
| CN108045349A (zh) | 一种高效的智能洗车机 | |
| CN202855722U (zh) | 湿法刻蚀机 | |
| CN103347359A (zh) | 汽雾静电消除器 | |
| CN207542206U (zh) | 一种湿法刻蚀的上料装置 | |
| CN209045516U (zh) | 一种圆盘清洗承载花篮压杆装置 | |
| CN208661936U (zh) | 一种蓄电池agm隔板生产过程中的喷淋装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120711 Termination date: 20171103 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |