CN202119875U - 微波晶体管高温老炼装置 - Google Patents

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彭浩
黄杰
童亮
张艳杰
高金环
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Abstract

本实用新型公开了一种微波晶体管高温老炼装置，包括铝制外壳、下陶瓷基板、两个L型铜柱和上陶瓷基板。所述上陶瓷基板、两个L型铜柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于铝制外壳内；所述两个L型铜柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间的凹槽内；所述两个L型铜柱的两个长臂分别从所述铝制外壳前壁上的两个方形孔中伸出，用作晶体管引出电极。整个设计采用的材料全部能耐高温，采用高温导线与外围电路连接，避免电路板受热，可进行400℃以上的高加速寿命试验。

Description

微波晶体管高温老炼装置
技术领域
本实用新型涉及一种电子器件高温老炼装置，尤其是一种微波晶体管高温老炼装置。 
背景技术
加速寿命试验是在不改变产品失效机理的前提下，利用加大应力的方法加快产品老化，从而在短时间内获得产品的失效信息，进而预测其在正常应力下的寿命特征，是快速计算产品寿命和评价长期使用可靠性的有效手段。 
微波晶体管对温度应力比较敏感，一般采用以温度为主要应力的加速寿命试验。硅器件额定结温为175℃，而加速寿命试验中的步进应力试验可将结温提高至400℃，相应的管壳温度也超过300℃，因此需要能承受超过300℃的高温老炼夹具。 
常规的老炼装置是将被测器件装入尺寸合适的塑料模具中，通过模具将器件的电极引出与PCB上的外围电路进行连接，并将器件进行固定。该装置由于将塑料模具、环氧板以及元器件整合到一起，而这些材料无法承受高温，只适用于常温老炼。因此老炼装置成为加速寿命试验的瓶颈。 
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种耐高温的微波晶体管高温老炼装置。 
为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是： 
一种微波晶体管高温老炼装置，包括铝外壳、下陶瓷基板、两个L型铜柱和上陶瓷基板；所述铝外壳的左右两侧壁上带有竖向防自激凹槽；所述铝外壳的前壁上设有两个与所述L型铜柱相适配的方形孔；所述两个方孔之间设有一个螺纹孔；在所述铝制外壳的内底面设有一个向上突出的与微波三极管底座同样大小的支座；
所述下陶瓷基板的上表面设有与两个L型铜柱相适配的相对排放的两个L型第一凹槽；所述第一凹槽短臂之间的位置设有一个与支座相适配的第一固定孔；
所述上陶瓷基板的下表面设有分别与所述第一凹槽和所述第一固定孔相对应的第二凹槽和第二固定孔；所述两个L型铜柱的长臂端上方分别设有一个与外部电路相连接的通孔；
所述上陶瓷基板、两个L型铜柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于铝制外壳内；所述两个L型铜柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间的第一凹槽和第二凹槽内；所述两个L型铜柱的两个长臂分别从所述铝制外壳前壁上的两个方形孔中伸出；
所述孔是光孔或螺纹孔。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于： 
1、铝外壳的左右两侧壁上带有竖向凹槽，可以防自激。
2、整个设计采用的材料全部能耐高温，可使铝壳放置于加热平台上，进行整体加热。 
3、采用分体结构，采用高温导线与外围电路连接，高温导线通过螺钉固定于铜柱上，避免电路板受热。 
4、可进行400℃以上的高加速寿命试验。 
附图说明
图1为本实用新型的结构爆炸示意图。 
1为铝外壳  2为下陶瓷基板  3为L型铜柱  4为上陶瓷基板  5为防自激凹槽  6为方形孔  7为螺纹孔  8为支座  9为第一凹槽  10为第一固定孔  11第二凹槽  12为第二固定孔  13 通孔。 
具体实施方式
一种微波晶体管高温老炼装置，其特征在于：包括铝外壳1、下陶瓷基板2、两个L型铜柱3和上陶瓷基板4；所述铝外壳1的左右两侧壁上带有竖向防自激凹槽5；所述铝外壳1的前壁上设有两个与所述L型铜柱3相适配的方形孔6；所述两个方形孔6之间设有一个螺纹孔7；在所述铝制外壳的内底面设有一个向上突出的与微波三极管底座同样大小的支座8； 
所述下陶瓷基板2的上表面设有与两个L型铜柱3相适配的相对排放的两个L型第一凹槽11；所述第一凹槽11短臂之间的位置设有一个与支座8相适配的第一固定孔10；
所述上陶瓷基板4的下表面设有分别与所述第一凹槽9和所述第一固定孔10相对应的第二凹槽11和第二固定孔12；所述两个L型铜柱3的长臂端上方分别设有一个与外部电路相连接的通孔13；
所述上陶瓷基板4、两个L型铜柱3和下陶瓷基板2由上至下依次放置于铝制外壳1内；所述两个L型铜柱3放在上陶瓷基板4和下陶瓷基板2之间的第一凹槽9和第二凹槽11内；所述两个L型铜柱3的两个长臂分别从所述铝制外壳前壁上的两个方形孔6中伸出。

Claims (2)

1.一种微波晶体管高温老炼装置，其特征在于：包括铝外壳（1）、下陶瓷基板（2）、两个L型铜柱（3）和上陶瓷基板（4）；所述铝外壳（1）的左右两侧壁上带有竖向防自激凹槽（5）；所述铝外壳（1）的前壁上设有两个与所述L型铜柱（3）相适配的方形孔（6）；所述两个方形孔之间设有一个螺纹孔（7）；在所述铝外壳（1）的内底面设有一个向上突出的与微波三极管底座同样大小的支座（8）；
所述下陶瓷基板（2）的上表面设有与两个L型铜柱（3）相适配的相对排放的两个L型第一凹槽（9）；所述第一凹槽（9）短臂之间的位置设有一个与支座（8）相适配的第一固定孔（10）；
所述上陶瓷基板（4）的下表面设有分别与所述第一凹槽（9）和所述第一固定孔（10）相对应的第二凹槽（11）和第二固定孔（12）；所述两个L型铜柱（3）的长臂端上方分别设有一个与外部电路相连接的通孔（13）；
所述上陶瓷基板（4）、两个L型铜柱（3）和下陶瓷基板（2）由上至下依次放置于铝制外壳（1）内；所述两个L型铜柱（3）放在上陶瓷基板（4）和下陶瓷基板（2）之间的第一凹槽（9）和第二凹槽（11）内；所述两个L型铜柱（3）的两个长臂分别从所述铝制外壳（1）前壁上的两个方形孔（6）中伸出。
2.根据权利要求１所述的微波晶体管高温老炼装置，其特征在于：所述孔（7）是光孔或螺纹孔。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102353883A (zh) * 2011-06-14 2012-02-15 中国电子科技集团公司第十三研究所 微波晶体管高温老炼装置
CN104237707A (zh) * 2014-10-11 2014-12-24 中国电子科技集团公司第十三研究所 微波器件可靠性测试装置及其测试方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102353883A (zh) * 2011-06-14 2012-02-15 中国电子科技集团公司第十三研究所 微波晶体管高温老炼装置
CN102353883B (zh) * 2011-06-14 2013-07-10 中国电子科技集团公司第十三研究所 微波晶体管高温老炼装置
CN104237707A (zh) * 2014-10-11 2014-12-24 中国电子科技集团公司第十三研究所 微波器件可靠性测试装置及其测试方法
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