CN201829538U - 发光二极管装配支架 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管装配支架，包括带底的中空架体，电极引线，位于中空架体底部的芯片装配区，芯片装配区分为发光二极管芯片装配区和齐纳二极管装配区，所述齐纳二极管装配区底部与发光二极管芯片装配区的底部平行，齐纳二极管装配区所在水平面比发光二极管芯片装配区所在水平面低70um以上。本实用新型通过将齐纳二极管装配区设计在低于发光二极管芯片装配区所在的平面上，可大大减少齐纳二极管对发光二极管芯片光的吸收，从而提高二极管的发光效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示及亮化照明领域，具体的说是涉及一种发光二极管装配支架。
背景技术
白色发光二极管广泛应用在通用照明市场上，白色发光二极管常是采用蓝色发光二极管芯片激发黄色YAG荧光粉合成得到的，而蓝色发光二极管芯片是蓝宝石衬底或碳化硅衬底的氮化镓材料，其导电性和导热性很差，加上芯片正负电极间距很小，且发光层很薄，因此蓝色发光二极管芯片极易被静电击穿(绿色、紫色发光二极管芯片抗静电能力也如此)，使其成为白色发光二极管推广使用的一个瓶颈。为此，在紫色、绿色、蓝色发光二极管的芯片装配过程中，通过植入齐纳二极管提高产品的抗静电能力。现有技术发光二极管的芯片与齐纳二极管在装配上，会对发光二极管发出的光产生吸收和抵挡的影响，从而降低了产品的发光效率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种能提高二极管发光效率的发光二极管装配支架。
本实用新型采用的技术方案为：一种发光二极管装配支架，包括带底的中空架体，电极引线，位于中空架体底部的芯片装配区，芯片装配区分为发光二极管芯片装配区和齐纳二极管装配区，所述齐纳二极管装配区底部与发光二极管芯片装配区的底部平行，齐纳二极管装配区所在水平面比发光二极管芯片装配区所在水平面低70um以上。
本实用新型的有益效果：通过将齐纳二极管装配区设计在低于发光二极管芯片装配区所在的平面上，可大大减少齐纳二极管对发光二极管芯片光的吸收，从而提高二极管的发光效率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
实施例如图1所示，一种发光二极管装配支架，包括带底的中空架体1，电极引线3，位于中空架体1底部的芯片装配区，芯片装配区分为发光二极管芯片装配区2和齐纳二极管装配区4，齐纳二极管装配区4的底部与发光二极管芯片装配区2的底部平行，齐纳二极管装配区4所在水平面比发光二极管芯片装配区2所在水平面低70um。
Claims (1)
1.一种发光二极管装配支架，包括带底的中空架体(1)，电极引线(3)，位于中空架体(1)底部的芯片装配区，其特征在于：芯片装配区分为发光二极管芯片装配区(2)和齐纳二极管装配区(4)，所述齐纳二极管装配区(4)的底部与发光二极管芯片装配区(2)的底部平行，齐纳二极管装配区(4)所在水平面比发光二极管芯片装配区(2)所在水平面低70um以上。
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|---|---|---|---|---|
| CN114156389A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-03-08 | 元旭半导体科技股份有限公司 | 一种紫外灯珠封装结构及其制备方法 |
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2010
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| CN114156389A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-03-08 | 元旭半导体科技股份有限公司 | 一种紫外灯珠封装结构及其制备方法 |
| CN114156389B (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-31 | 元旭半导体科技股份有限公司 | 一种紫外灯珠封装结构及其制备方法 |
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