CN203746903U - 一种高封接强度led陶瓷电路cob基片 - Google Patents
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Abstract
一种高封接强度LED陶瓷电路COB基片，包括LED基槽、芯片槽、焊接基片和自释釉陶瓷基片，所述自释釉陶瓷基片上开有LED基槽和芯片槽，所述芯片槽位于LED基槽底部，所述焊接基片位于自释釉陶瓷基片的两侧，所述焊接基片为厚度为2-3mm的纳米氧化铝涂层。本实用新型结构简单，便于焊接，封接强度高，能根据需要制定形状。
Description
技术领域
本实用新型涉及无机非金属工业，具体为一种高封接强度LED陶瓷电路COB基片。
背景技术
COB，(Chips on Board) ，多LED芯片封装在一起作为一个照明模块。当它点亮的时候，看起来就像是一个发光面；LED(light emitting diode发光二极管)是新一代照明光源，具有节能环保的特点，然而并非完美无缺。相较于传统光源，由于其单位面积发光强度过高，所以带来严重眩光。当需要大瓦数光源时，需要将多颗LED安装在一起，在不采取雾状滤光片或雾状透镜的情况下，会有严重的斑马纹，而使用雾状滤光片或雾状透镜又会带来不小的光损失。世纪光点拥有LED MCOB技术的知识产权，是LED面光源的倡导者，世纪光点使用小尺寸芯片集群封装技术小尺寸芯片集群封装数十倍的增加了发光面积，最大限度避免了眩光，LED的光效随着芯片尺寸的增大而降低。到目前为止世界各大LED公司的最新成果，小芯片的光效已可以做到249lm/watt 20mA，而大尺寸芯片只做到161lm/watt 350mA。随着驱动电流的增加，光效会随之降低。小尺寸芯片集群封装成为了LED封装技术的一个趋势。未来的LED照明光源和背光源，面发光光源将占据至少半壁江山。
发明内容
本实用新型所解决的技术问题在于提供一种高封接强度LED陶瓷电路COB基片，以解决上述背景技术中的缺点。
本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
一种高封接强度LED陶瓷电路COB基片，包括LED基槽、芯片槽、焊接基片和自释釉陶瓷基片，所述自释釉陶瓷基片上开有LED基槽和芯片槽，所述芯片槽位于LED基槽底部，所述焊接基片位于自释釉陶瓷基片的两侧，所述焊接基片为厚度为2-3mm的纳米氧化铝涂层。
本实用新型中，所述LED基槽为弧面型，所述芯片槽的宽度为5-10㎜，所述焊接基片的厚度为10-15㎜，所述自释釉陶瓷基片的陶瓷厚度为20-30mm。
本实用新型中，所述自释釉陶瓷基片的材料采用自释釉陶瓷。
有益效果：本实用新型结构简单，便于焊接，封接强度高，能根据需要制定形状。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
参见图1，一种高封接强度LED陶瓷电路COB基片的结构示意图，一种高封接强度LED陶瓷电路COB基片，包括LED基槽1、芯片槽2、焊接基片3和自释釉陶瓷基片4，所述自释釉陶瓷基片4上开有LED基槽1和芯片槽2，所述芯片槽2位于LED基槽1底部，所述焊接基片3位于自释釉陶瓷基片4的两侧，所述焊接基片3为厚度为2-3mm的纳米氧化铝涂层。所述LED基槽1为弧面型，所述芯片槽2的宽度为5-10㎜，所述焊接基片3的厚度为10-15㎜，所述自释釉陶瓷基片4的陶瓷厚度为20-30mm，所述自释釉陶瓷基片4的材料采用自释釉陶瓷。
使用时，将芯片安装在芯片槽2内，LED安装在LED基槽1内部，将多个LED灯具通过焊接基片3进行焊接。自释釉陶瓷基片4具有良好的导热性能，能够大大延长LED的寿命。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征及本实用新型的优点，本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内，本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (2)
1.一种高封接强度LED陶瓷电路COB基片，包括LED基槽、芯片槽、焊接基片和自释釉陶瓷基片，其特征在于，所述自释釉陶瓷基片上开有LED基槽和芯片槽，所述芯片槽位于LED基槽底部，所述焊接基片位于自释釉陶瓷基片的两侧，所述焊接基片为厚度为2-3mm的纳米氧化铝涂层。
2.根据权利要求1所述的一种高封接强度LED陶瓷电路COB基片，其特征在于，所述LED基槽为弧面型，所述芯片槽的宽度为5-10㎜，所述焊接基片的厚度为10-15㎜，所述自释釉陶瓷基片的陶瓷厚度为20-30mm。
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2014
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