CN202473914U - 一种新型的大功率led - Google Patents
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Abstract
本实用新型揭露了一种新型的大功率LED，包括一陶瓷基板，陶瓷基板上设置有独立的电路区域，电路区域设置有垂直芯片，电路区域外围设置有一圈围墙胶，从而该一圈围墙胶内形成一个可以点荧光粉的区域，所述电路区域在可以点荧光粉的区域范围之内，所述可以点荧光粉的区域内点有荧光粉，从而将垂直芯片封装成白光，因为本实用新型采用了高导热系数的陶瓷基板，从而导热性能好，而采用了垂直芯片，则避免了水平芯片的正负极都在发光面上的不足，使得整个LED的有效发光面积变大，从而整个LED的发光效率高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种照明装置，特别是涉及一种大功率LED。
背景技术
面光源(COB)是一种新的LED封装形式，目前市场上的COB都是在铝基板上面用小尺寸的水平芯片进行串并联电路封装，其发光效率一般只有60-80lm/W，发光效率较低的原因有两个主要方面：1、铝基板导热系数较小；2、水平芯片正负极都在发光面上，从而减小了有效的发光面积。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服目前技术的不足，提供一种发光效率高的新型大功率LED。
为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：
一种新型的大功率LED，包括一陶瓷基板，陶瓷基板上设置有独立的电路区域，电路区域设置有垂直芯片，电路区域外围设置有一圈围墙胶，从而该一圈围墙胶内形成一个可以点荧光粉的区域，所述电路区域在可以点荧光粉的区域范围之内，所述可以点荧光粉的区域内点有荧光粉。
本实用新型的有益效果为：因为采用了高导热系数的陶瓷基板，从而导热性能好，而采用了垂直芯片，则避免了水平芯片的正负极都在发光面上的不足，使得整个LED的有效发光面积变大，从而整个LED的发光效率高。
附图说明
图1为本实用新型大功率LED平面示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1所示，本实用新型的大功率LED包括一陶瓷基板1，陶瓷基板1上设置有独立的电路区域2，电路区域2设置有垂直芯片3，电路区域2外围设置有一圈围墙胶4，从而该一圈围墙胶4内形成一个可以点荧光粉的区域5，所述电路区域2在可以点荧光粉的区域5范围之内，在该可以点荧光粉的区域5内点荧光粉，从而将垂直芯片4封装成白光。
在本实施例中，所述垂直芯片4通过高导热系数的银胶固定在陶瓷基板1的电路区域2。
综上所述，本实用新型因为采用了高导热系数的陶瓷基板1，从而导热性能好，再加上采用了垂直芯片3，避免了水平芯片的正负极都在发光面上的不足，使得整个LED的有效发光面积变大，从而本实用新型LED发光效率高。
Claims (1)
1.一种新型的大功率LED，其特征在于：包括一陶瓷基板，陶瓷基板上设置有独立的电路区域，电路区域设置有垂直芯片，电路区域外围设置有一圈围墙胶，从而该一圈围墙胶内形成一个可以点荧光粉的区域，所述电路区域在可以点荧光粉的区域范围之内，所述可以点荧光粉的区域内点有荧光粉。
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Publications (1)
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| CN202473914U true CN202473914U (zh) | 2012-10-03 |
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Country Status (1)
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2011
- 2011-12-30 CN CN2011205738748U patent/CN202473914U/zh not_active Expired - Fee Related
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