CN201776703U - 可以修整抛光晶片平整度的抛光头 - Google Patents
可以修整抛光晶片平整度的抛光头 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201776703U CN201776703U CN2010201716942U CN201020171694U CN201776703U CN 201776703 U CN201776703 U CN 201776703U CN 2010201716942 U CN2010201716942 U CN 2010201716942U CN 201020171694 U CN201020171694 U CN 201020171694U CN 201776703 U CN201776703 U CN 201776703U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- air bag
- polishing
- disk
- polishing disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形，该上抛光盘位于晶片固定盘的上方；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛光时，将气囊充气，将晶片固定在晶片固定盘上面，控制上抛光盘的转动及上抛光盘的上下位移，由抛光垫对晶片抛光。
Description
技术领域
本实用新型设计了一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，用于晶片抛光或平整度修整。
背景技术
晶片在抛光加工过程中，使用有弹性的抛光垫，在一定的压力下配合抛光药液进行化学机械抛光，由于弹性的原因使得晶片从边缘到中心承受的压力逐步减小，经过抛光后，晶片整体形状会变成中心鼓起，向边缘逐步塌陷的“面包”状，靠近边缘的地方塌陷或更严重，产生“塌边”现象，即边缘比其他地方有明显的塌陷，对整个晶片的平整度有比较大的影响。产生这种几何缺陷以后，通过通常的机械化学抛光方法很难解决，重新进行机械研磨，由于成品晶片厚度有一定限制，又不允许，抛光累计时间稍长便会导致晶片因为平整度原因而发生不合格，由于单片晶片的价值很高，所以进行晶片平整度修整就有必要了。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其可通过调节气体压力或者换用不同的弹性材料用以适应不同尺寸和不同材料的晶片平整度修整。
本实用新型一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：
一晶片固定盘；
一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形，该上抛光盘位于晶片固定盘的上方；
一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；
一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面。
其中气囊为一球状气囊，在同晶片接触时产生的压力从气囊中心到边缘压力逐步减小。
其中晶片固定盘为圆盘状。
其中上抛光盘与晶片固定盘相对应，亦为圆盘状。
其中气囊在非充气状态时为平面，紧贴上抛光盘的下表面。
本实用新型的有益效果是：其可通过调节气体压力或者换用不同的弹性材料用以适应不同尺寸和不同材料的晶片平整度修整。
附图说明
为进一步说明本实用新型的具体技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：
图1是本实用新型的结构示意图；其中上抛光盘1：上面固定气囊，未充气时气囊同其下表面贴紧、气囊2、抛光垫3、加工晶片4、晶片固定盘5；
图2是图1中气囊2充气状态示意图；
图3是本实用新型对晶片进行抛光的示意图。
具体实施方式
请参阅图1所示，本实用新型一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：
一晶片固定盘5，该晶片固定盘5为圆盘状；
一上抛光盘1，该上抛光盘1的断面为倒T形，该上抛光盘1与晶片固定盘5相对应，亦为圆盘状；
一气囊2，该气囊2固定在上抛光盘1的底面，该气囊可以充气，其中气囊2为一球状气囊，在同晶片接触时产生的压力从气囊中心到边缘压力逐步减小，该气囊2在非充气状态时为平面，紧贴上抛光盘1的下表面；
一抛光垫3，该抛光垫3固定在气囊2的底面；
欲将晶片抛光时，将气囊2充气，将晶片固定在晶片固定盘5上面， 控制上抛光盘1的转动及上抛光盘1的上下位移，由抛光垫3对晶片抛光。
其中气囊2为一球状气囊，在同晶片接触时产生的压力从气囊中心到边缘压力逐步减小。
本实用新型的可以修整抛光晶片平整度的抛光头，见图1，该装置采用一个带有通气孔的圆形铁盘1，上面贴上一层有弹性的气囊2，气囊2下面贴有抛光垫3，充气后该气囊膨胀，形成一个球截面(见图2)，上面贴上抛光垫配合抛光液进行对晶片进行抛光修正平整度；由于气囊2中心鼓起，同晶片4接触施压时，压力从晶片中心到边缘，由大逐步变小，晶片的去除量也就相应的从中心到边缘逐步变小，这种过程正好弥补同正常抛光的方法带来的塌边缺陷，可应用到晶片的平整度修整中。调节气体压力或者换用不同的弹性材料用以适应不同尺寸和不同材料的晶片平整度修整。
请参阅图3，使用晶片固定盘5固定四英寸晶片4，采用直径97mm的抛光盘1，中心留有通气孔。平面气囊2从外面包着抛光盘，压缩空气通过中心孔通入气囊中，调解气体压力是气囊鼓起大概2-3毫米左右，通入抛光液，降下抛光头，抛光垫3同晶片接触，两者基本重合，抛光垫3同晶片接触直径大约98-99毫米，最外圈1毫米左右的晶片部分在修整过程中不作任何处理。施加压力使抛光头同晶片紧密接触，然后抛光头带动气囊和抛光垫开始自转，根据需要修整晶片的具体参数确定加工压力和时间，加工时一般选择对晶片背面，经过几分钟的修整，去除了晶片中心鼓起的材料部分，晶片的平整度一般可以由7个微米恢复到2-3微米以内。
Claims (5)
1.一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：
一晶片固定盘；
一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形，该上抛光盘位于晶片固定盘的上方；
一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面；
一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面。
2.根据权利要求1所述的可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，其中气囊为一球状气囊。
3.根据权利要求1所述的可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，其中晶片固定盘为圆盘状。
4.根据权利要求1所述的可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，其中上抛光盘与晶片固定盘相对应，亦为圆盘状。
5.根据权利要求1所述的可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，其中气囊在非充气状态时为平面，紧贴上抛光盘的下表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010201716942U CN201776703U (zh) | 2010-04-21 | 2010-04-21 | 可以修整抛光晶片平整度的抛光头 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010201716942U CN201776703U (zh) | 2010-04-21 | 2010-04-21 | 可以修整抛光晶片平整度的抛光头 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201776703U true CN201776703U (zh) | 2011-03-30 |
Family
ID=43789934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010201716942U Expired - Lifetime CN201776703U (zh) | 2010-04-21 | 2010-04-21 | 可以修整抛光晶片平整度的抛光头 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201776703U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102873648A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-01-16 | 昆山市大金机械设备厂 | 气垫抛光盘 |
| CN110315425A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-11 | 衢州学院 | 蓝宝石晶圆游离磨料研磨设备 |
| CN114728399A (zh) * | 2019-10-01 | 2022-07-08 | 爱思开矽得荣株式会社 | 晶片抛光头、晶片抛光头的制造方法以及包括该抛光头的晶片抛光设备 |
-
2010
- 2010-04-21 CN CN2010201716942U patent/CN201776703U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102873648A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-01-16 | 昆山市大金机械设备厂 | 气垫抛光盘 |
| CN110315425A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-11 | 衢州学院 | 蓝宝石晶圆游离磨料研磨设备 |
| CN110315425B (zh) * | 2019-07-10 | 2020-08-28 | 衢州学院 | 蓝宝石晶圆游离磨料研磨设备 |
| CN114728399A (zh) * | 2019-10-01 | 2022-07-08 | 爱思开矽得荣株式会社 | 晶片抛光头、晶片抛光头的制造方法以及包括该抛光头的晶片抛光设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101028699A (zh) | 可以修整抛光晶片平整度的抛光头 | |
| CN105313002B (zh) | 抛光衬底的方法和装置 | |
| CN202825512U (zh) | 研磨垫及化学机械研磨机台 | |
| US9399274B2 (en) | Wafer polishing method | |
| CN205021392U (zh) | 用于基板抛光的装置 | |
| CN201776703U (zh) | 可以修整抛光晶片平整度的抛光头 | |
| CN102652049B (zh) | 圆柱状部件的研磨装置、圆柱状部件以及圆柱状部件的研磨方法 | |
| CN106061679B (zh) | 双面研磨装置用载体的制造方法及双面研磨装置用载体并用的双面研磨方法 | |
| CN103522191A (zh) | 应用在晶圆化学机械平坦化设备中的抛光垫修整装置 | |
| KR100814069B1 (ko) | 에어백 방식의 웨이퍼 폴리싱 헤드 | |
| CN203245721U (zh) | 研磨调整装置及化学机械研磨装置 | |
| CN102284910A (zh) | 研磨垫的修整方法和修整装置 | |
| US20140113533A1 (en) | Damper for polishing pad conditioner | |
| US20210170541A1 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
| CN105081957A (zh) | 一种用于晶圆平坦化生产的化学机械研磨方法 | |
| CN110871385A (zh) | 双面抛光机与抛光方法 | |
| CN202185817U (zh) | 一种提高硅片平整度的抛光头 | |
| CN203245737U (zh) | 多功能研磨液供应结构及研磨装置 | |
| CN102922414B (zh) | 化学机械抛光装置 | |
| CN206659266U (zh) | 鞋底斜度磨边机 | |
| CN103522167B (zh) | 研磨头及研磨装置 | |
| CN102339742A (zh) | 多晶硅化学机械研磨工艺的研磨垫预研磨方法 | |
| CN206662962U (zh) | 晶元研磨装置的研磨头 | |
| JP2011527242A (ja) | 一般的及びフリーフォームの光学面を磨くためのツール | |
| CN109015335A (zh) | 化学机械研磨装置及其工作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20110330 |