CN202185817U - 一种提高硅片平整度的抛光头 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种提高硅片平整度的抛光头，该抛光头包括：硅片的固定盘、抛光垫、气囊和上抛光盘，所述上抛光盘的断面为倒U形，所述上抛光盘位于硅片的固定盘的上方，所述气囊固定在所述上抛光盘的底面，所述抛光垫固定在所述气囊的底面。该提高硅片平整度的抛光头可通过调节气体压力或者换用不同的弹性材料用以适应不同尺寸的硅片，从而达到提高硅片抛光平整度的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉提高硅片平整度的抛光头，用于提高硅片抛光的平整度。
背景技术
硅片在抛光加工过程中，使用有弹性的抛光垫，在一定的压力下配合抛光药液进行化学机械抛光，由于弹性的原因使得硅片从边缘到中心承受的压力逐步减小，经过抛光后，硅片整体形状会变成中心鼓起，向边缘逐步塌陷的“面包”状，靠近边缘的地方塌陷或更严重，产生“塌边”现象，即边缘比其它地方有明显的塌陷，对整个硅片的平整度有比较大的影响。产生这种几何缺陷以后，通过通常的机械化学抛光方法很难解决，重新进行机械研磨，由于成品硅片厚度有一定限制，又不允许，抛光累计时间稍长便会导致硅片因为平整度原因而发生不合格，由于单片硅片的价值很高，所以提高硅片平整度就成为本领域有待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种提高硅片平整度的抛光头，其可通过调节气体压力或者换，用不同的弹性材料用以适应不同尺寸硅片，以提高硅片抛光的平整度。
为实现上述目的，本实用新型的技术方案是设计一种提高硅片平整度的抛光头，其特征在于，所述抛光头包括：硅片的固定盘、抛光垫、气囊和上抛光盘，所述上抛光盘的断面为倒U形，所述上抛光盘位于硅片的固定盘的上方，所述气囊固定在所述上抛光盘的底面，所述抛光垫固定在所述气囊的底面。
其中优选的技术方案是，所述气囊为球状气囊。
其中优选的技术方案还包括，所述硅片固定盘为矩形盘。
其中优选的技术方案还包括，所述上抛光盘与硅片固定盘相对应，亦为矩形盘。
其中优选的技术方案还包括，所述气囊在非充气状态时为盘状，紧贴上抛光盘的下表面。
本实用新型的优点和有益效果在于：该提高硅片平整度的抛光头可通过调节气体压力或者换用不同的弹性材料用以适应不同尺寸的硅片，从而达到提高硅片抛光平整度的效果。
附图说明
图1是本实用新型提高硅片平整度的抛光头的结构示意图；
图2是图1中气囊2充气状态示意图；
图3是本实用新型提高硅片平整度的抛光头对硅片进行抛光的示意图。
图中：1、上抛光盘；2、气囊；3、抛光垫；4、加工硅片；5、硅片固定盘。
气囊固定在上抛光盘的上面，未充气时气囊同其下表面贴紧。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1所示，本实用新型是一种提高硅片平整度的抛光头，包括：硅片固定盘5，硅片固定盘5为矩形盘；抛光盘1，上抛光盘1的断面为倒U形，上抛光盘1与硅片固定盘5相对应，亦为矩形盘；气囊2，气囊2固定在上抛光盘1的底面，气囊可以充气，其中气囊2为一球状气囊，在同硅片接触时产生的压力从气囊中心到边缘压力逐步减小，该气囊2在非充气状态时为平面，紧贴上抛光盘1的下表面；抛光垫3，抛光垫3固定在气囊2的底面；欲将硅片抛光时，将气囊2充气，将硅片固定在硅片固定盘5上面，控制上抛光盘1的转动及上抛光盘1的上下位移，由抛光垫3对硅片抛光。
其中气囊2为一球状气囊，在同硅片接触时产生的压力从气囊中心到边缘压力逐步减小。
本实用新型提高硅片平整度的抛光头，见图1，装置采用一个带有通气孔的矩形铁盘1，上面贴上一层有弹性的气囊2，气囊2下面贴有抛光垫3，充气后该气囊膨胀，形成一个球截面见图2，上面贴上抛光垫配合抛光液进行对硅片进行抛光；由于气囊2中心鼓起，同硅片4接触施压时，压力从硅片中心到边缘，由大逐步变小，硅片的去除量也就相应的从中心到边缘逐步变小，这种过程正好弥补同正常抛光的方法带来的塌边缺陷，可应用到硅片的平整度修整中。调节气体压力或者换用不同的弹性材料用以适应不同尺寸硅片的抛光。
如图3，使用硅片固定盘5固定四英寸硅片4，采用直径97mm的抛光盘1，中心留有通气孔。平面气囊2从外面包着抛光盘，压缩空气通过中心孔通入气囊中，调解气体压力是气囊鼓起大概2-3毫米左右，通入抛光液，降下抛光头，抛光垫3同硅片接触，两者基本重合，抛光垫3同硅片接触直径大约98-99毫米，最外圈1毫米左右的硅片部分在跑光过程中不作任何处理。施加压力使抛光头同硅片紧密接触，然后抛光头带动气囊和抛光垫开始自转，根据需要修整硅片的具体参数确定加工压力和时间，加工时一般选择对硅片背面，经过几分钟的抛光，去除了硅片中心鼓起的材料部分，硅片的平整度一般可以由7个微米恢复到2-3微米以内。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种提高硅片平整度的抛光头，其特征在于，所述抛光头包括：硅片的固定盘、抛光垫、气囊和上抛光盘，所述上抛光盘的断面为倒U形，所述上抛光盘位于硅片的固定盘的上方，所述气囊固定在所述上抛光盘的底面，所述抛光垫固定在所述气囊的底面。
2.如权利要求1所述的提高硅片平整度的抛光头，其特征在于，所述气囊为球状气囊。
3.如权利要求1所述的提高硅片平整度的抛光头，其特征在于，所述硅片固定盘为矩形盘。
4.如权利要求1所述的提高硅片平整度的抛光头，其特征在于，所述上抛光盘与硅片固定盘相对应，亦为矩形盘。
5.如权利要求1所述的提高硅片平整度的抛光头，其特征在于，所述气囊在非充气状态时为盘状，紧贴上抛光盘的下表面。
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| CN102825543B (zh) * | 2012-09-18 | 2014-09-03 | 厦门大学 | 一种用于气囊式抛光的气囊抛光头 |
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