CN201758118U - 用于固定晶圆的支撑物 - Google Patents

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赵星
高剑鸣
翟立君
王秉国
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Abstract

本实用新型公开了一种用于固定晶圆的支撑物,所述支撑物包括立柱和沿着立柱纵向分布的多个支架,所述支架与晶圆接触的面为斜面。采用本实用新型方案,当晶圆正面向下放置在所述支撑物上时,晶圆与支架接触的面积相对于现有技术大大缩小,可以减少由于晶圆正面朝下放置导致的产量损失。

Description

用于固定晶圆的支撑物 
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域,特别涉及一种用于固定晶圆的支撑物。 
背景技术
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。CVD的反应过程是两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子,它是由硅烷和氮反应形成的。 
CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类,包括低压CVD(LPCVD),常压CVD(APCVD),亚常压CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),等离子体增强CVD(PECVD),高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后,还有金属有机物CVD(MOCVD), 
对LPCVD来说,由于有足够的反应气体到达晶圆表面,这意味着许多片晶圆可以密集纵向堆放,纵向堆放的晶圆数量可以达到200片左右。图1所示为现有技术中用于LPCVD反应室中的晶圆支撑物的示意图。其中,晶圆101纵向堆放(图中仅示出两片晶圆,其他晶圆省略)。支撑物102包括立柱103和在立柱103纵向均匀分布的多个支架104。为了能够叠放较多的晶圆,相邻支架104间的距离一般在10毫米以内。至少3个支撑物102按照晶圆的轮廓合围而立,有支架的一侧朝向晶圆的圆心,晶圆101放置在相同高度的支架104上。 
最初晶圆都是正面向上放置在支撑物上的。但在LPCVD过程之后对晶圆表面进行检测发现,在晶圆正面靠近支架的表面常常会检测到很多的杂质颗粒物,对晶圆造成污染。图2所示为现有技术中LPCVD之后晶圆表面的检测图像,图2中一共示出了三个晶圆,分别为晶圆2-1、晶圆2-2和晶圆2-3。每个圆代表一个晶圆,圆中点代表杂质颗粒物。经分析,这是由于晶圆在放置到支撑物或从支撑物取下时,晶圆背面不可避免地与支撑物的支架发生摩擦产生碎屑,碎屑就掉落在下方的晶圆上。 
为了解决这一问题,可以将晶圆正面朝下放置,这样下落的碎屑就会掉落在晶圆的背面,避免了污染的问题,但这样一来又会造成新的问题:晶圆正面与支架直接接触的面积会遭到破坏,这一部分就无法用来生产芯片,造成一定的产量损失。 
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于,提出一种用于固定晶圆的支撑物,可以减少由于晶圆正面朝下放置导致的产量损失。 
本实用新型实施例提出的一种用于固定晶圆的支撑物,所述支撑物包括立柱和沿着立柱纵向分布的多个支架,所述支架与晶圆接触的面为斜面。 
所述立柱上相邻支架的间距为6毫米至10毫米。 
所述立柱上,上一个支架的底部到下一个支架的顶部之间距离为2毫米至3.5毫米。 
所述支架的斜面与支架横截面的交线是直线或曲线。 
所述交线的切线与水平方向的夹角大于10度且小于90度。 
所述交线为直线,该交线与水平方向的夹角小于45度。 
从以上技术方案可以看出,支撑物的支架与晶圆接触的部分为斜面,这样晶圆与支架接触的面积大大缩小,可以减少由于晶圆正面朝下放置导致的产量损失。 
附图说明
图1为现有技术中的用于LPCVD反应室中的晶圆支撑物的示意图; 
图2中的2-1至2-3为现有技术中LPCVD之后晶圆表面的检测图像; 
图3为本实用新型实施例的用于LPCVD反应室中的晶圆支撑物的示意图。 
图4中的4-1至4-12分别为本实用新型实施例的支撑物的12种截面示意图。 
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本实用新型作进一步的详细阐述。 
图3示出了本实用新型实施例的用于LPCVD反应室中的晶圆支撑物的示意图。其中支撑物302的结构包括立柱303和沿着立柱303纵向分布的多个支架304。图1所示的现有技术的支架104的形状特征是:其与晶圆接触的面是水平面,而支架304与晶圆接触的面是与水平方向成b角的斜面。这样,在本实用新型实施例中,当晶圆正面向下放置在支撑物上时,晶圆与支架接触的部分仅仅是晶圆的外沿,接触面积与现有技术相比大大缩小,因此可以达到减小产量损失的效果。 
较佳地,相邻支架的间距a为6毫米至10毫米,上一个支架的底部到下一个支架的顶部之间距离为2毫米至3.5毫米。支架斜面与支架横截面交线的切线与水平方向的夹角b大于10度小于90度。如果该斜面的是平面,则该交线的切线与水平方向的夹角不应大于45度。 
如图3所示的支架,其截面形状如图4左上角第一个所示为直角三角形,该三角形的斜边401是用于放置晶圆的斜面与横截面的交线。实际上其截面形状可不限于此,用于放置晶圆的斜面与横截面的交线可以是直线也可以是曲线。也就是说,支架与晶圆接触的斜面不仅仅限于倾斜的平面,也可以是倾斜的曲面。该曲面可以是向外弯曲,也可以是向内弯曲。如果所述交线是曲线的话,该曲线上任一点的切线与水平方向的夹角大于10度且小于90度。图4中的4-1至4-12共示出了12种不同的支架截面形状。实际本实用新型的支撑物支架的截面形状还可以不限于此。 
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。 

Claims (6)

1.一种用于固定晶圆的支撑物,所述支撑物包括立柱和沿着立柱纵向分布的多个支架,其特征在于,所述支架与晶圆接触的面为斜面。
2.根据权利要求1所述的支撑物,其特征在于,所述立柱上相邻支架的间距为6毫米至10毫米。
3.根据权利要求1所述的支撑物,其特征在于,所述立柱上,上一个支架的底部到下一个支架的顶部之间距离为2毫米至3.5毫米。
4.根据权利要求1至3任一项所述的支撑物,其特征在于,所述支架的斜面与支架横截面的交线是直线或曲线。
5.根据权利要求4所述的支撑物,其特征在于,所述交线的切线与水平方向的夹角大于10度且小于90度。
6.根据权利要求5所述的支撑物,其特征在于,所述交线为直线,该交线与水平方向的夹角小于45度。 
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102270597A (zh) * 2011-08-16 2011-12-07 清华大学 用于晶圆交换装置的晶圆托架组件和晶圆交换装置
CN103904016A (zh) * 2014-04-04 2014-07-02 株洲南车时代电气股份有限公司 硅片承载装置
CN109755183A (zh) * 2017-11-08 2019-05-14 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆容器及固持晶圆的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102270597A (zh) * 2011-08-16 2011-12-07 清华大学 用于晶圆交换装置的晶圆托架组件和晶圆交换装置
CN102270597B (zh) * 2011-08-16 2014-04-09 清华大学 用于晶圆交换装置的晶圆托架组件和晶圆交换装置
CN103904016A (zh) * 2014-04-04 2014-07-02 株洲南车时代电气股份有限公司 硅片承载装置
CN109755183A (zh) * 2017-11-08 2019-05-14 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆容器及固持晶圆的方法
CN109755183B (zh) * 2017-11-08 2023-07-07 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆容器及固持晶圆的方法

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