CN201421846Y - 发光二极管结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种发光二极管结构，其将支架完全埋入于胶座中，并在支架设置增强部增强胶座以及支架之间的结合力，且在胶座的下表面形成电性连接部，避免对支架进行弯折，借此可以达到避免支架弯折导致胶座受损并正确定位电性连接部的技术功效。

Description

发光二极管结构

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管结构，尤其是指一种支架全完埋入于胶座中，并在支架设置增强部增强胶座以及支架之间的结合力，且在胶座的下表面形成电性连接部的发光二极管结构。

背景技术

近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管已普遍使用于信息、通信及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如移动电话及个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。

通常发光二极管晶片是通过表面粘贴技术(Surface Mount Device，SMD)或是覆晶接合技术(flip chip bonding)固接于具有凹陷部的胶座内的支架上，如图1所示，图1为现有之发光二极管结构侧视剖面图。

在具有凹陷部52的胶座51中，埋入设置有至少两个支架53，支架53的一端即是分别暴露在胶座51的凹陷部52内，另一端则是分别延伸出胶座51的两侧，即可形成外部电性连接部54，并且将外部电性连接部54进行弯折，并使得外部电性连接部54贴合于胶座51，以便于与其他电子装置(图式中未绘示)电性连接。

接着，再通过表面粘贴技术将发光二极管晶片55固接于暴露在胶座51的凹陷部52内的支架53其中之一的端部，以及通过打线接合技术或是覆晶接合技术使发光二极管晶片55可以通过导线与另一支架53形成电性连接，最后，再在胶座51的凹陷部52上形成封装胶体56，封装胶体56即可以覆盖于凹陷部52上，即可以形成现有的发光二极管结构。

在外部电性连接部54进行弯折且贴合于胶座51时，由于胶座51为热塑性树脂所形成，当受到外力所挤压时，将无法承受挤压时的外力，因此会造成胶座51受外力挤压的部分造成形变，甚至会造成胶座51破损，进而导致外部电性连接部54定位的错误。

综上所述，可知现有技术中长期以来一直存在发光二极管结构的支架在弯折电性连接部时，造成胶座结构受损并导致电性连接部定位错误的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。

实用新型内容

有鉴于现有技术存在发光二极管结构的支架在弯折电性连接部时，造成胶座结构受损并导致电性连接部定位错误的问题，本实用新型提供一种发光二极管结构，其中：

本实用新型所提供的发光二极管结构，其第一实施例包含有：胶座以及至少两个支架。

其中，自胶座的上表面凹设第一凹陷部，且自胶座的下表面凹设至少一第二凹陷部；至少两个支架分别设置至少一增强部，且支架分别用于提供发光二极管晶片形成电性连接，支架是完全埋于胶座内，而增强部与胶座形成固接，且支架固接发光二极管晶片的部分暴露于第一凹陷部，支架暴露在第二凹陷部以形成电性连接部。

本实用新型所提供的发光二极管结构，其第二实施例包含有：胶座、散热支架以及至少两个支架。

其中，自胶座的上表面凹设第一凹陷部，且自胶座的下表面凹设至少一第二凹陷部；散热支架设置至少一增强部，且散热支架用于固接发光二极管晶片，散热支架是完全埋于胶座内，而散热支架的增强部与胶座形成固接，且散热支架固接发光二极管晶片的部分暴露于第一凹陷部；至少两个支架分别设置至少一增强部，支架是完全埋于胶座内，而支架的增强部与胶座形成固接，支架暴露于第一凹陷部的部分与发光二极管晶片形成电性连接，支架暴露于第二凹陷部以形成电性连接部。

本实用新型所提供的发光二极管结构如上，与现有技术之间的差异在于本实用新型将支架完全埋入于胶座中，并在支架设置增强部增强胶座以及支架之间的结合力，并且支架分别暴露在胶座的第一凹陷部以及第二凹陷部，借以在胶座的下表面形成电性连接部，并不需要对支架进行弯折，可以避免支架弯折时所产生胶座结构受损并导致电性连接部定位错误的问题。

通过上述的技术手段，本实用新型可以达到避免支架弯折导致胶座受损并正确定位电性连接部的技术功效。

附图说明

图1为现有的发光二极管结构侧视剖面图；

图2为本实用新型发光二极管结构第一实施例的俯视示意图；

图3A为本实用新型发光二极管结构第一实施例的支架侧视示意图；

图3B至图3D为本实用新型发光二极管结构第一实施例的增强部实施例侧视放大示意图；

图4A为本实用新型发光二极管结构第一实施例的侧视第一剖面示意图；

图4B为本实用新型发光二极管结构第一实施例的侧视第二剖面示意图；

图5A至图5C为本实用新型发光二极管结构第一实施例的第二凹陷部设置位置仰视示意图；

图6为本实用新型发光二极管结构第二实施例的俯视示意图；

图7A至图7B为本实用新型发光二极管结构第二实施例的第二凹陷部设置位置仰视示意图；

图8A为本实用新型发光二极管结构第三实施例的俯视示意图；

图8B为本实用新型发光二极管结构第三实施例的仰视示意图。

具体实施方式

以下将配合图式及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题并达到技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。

以下将说明本实用新型所提供的发光二极管结构的第一实施例，第一实施例为发光二极管结构中发光二极管晶片以电热一体的形式制成，并请参照图2所示，图2为本实用新型发光二极管结构第一实施例的俯视示意图；发光二极管结构的第一实施例包含有：至少两个支架10以及胶座20。

其中支架10是以导电及导热性良好的金属材质并且通过冲压(stamping)方式制成具有至少一增强部11的支架10，并且支架10是与发光二极管晶片(图中未绘示)形成电性连接，请参考图3A所示，图3A为本实用新型发光二极管结构第一实施例的支架侧视示意图；如图所示，在支架10的两侧分别冲压凸起的半圆形增强部11，图式所呈现的结果仅为举例说明，并不以此局限本实用新型的应用范畴。

除此之外，请参照图3B、图3C以及图3D所示，图3B至图3D为本实用新型发光二极管结构第一实施例的增强部实施例侧视放大示意图；支架10所冲压形成凸起设置的增强部11，除了为凸起半圆形形状(如图3B所示)之外，更可以冲压形成倒凹形形状(如图3C所示)或是冲压形成倒V形形状(如图3D所示)。

值得注意的是，支架10所冲压形成的增强部11亦可冲压形成凹陷设置，即将上述的图3B、图3C以及图3D旋转180度，即支架10呈现出冲压形成凹陷设置的增强部11，可以分别形成凹陷半圆形形状、凹形形状或是V形形状。

上述的导电及导热性良好的金属材质可以是铜、铁或其他导电性佳的金属板或合金板。也就是说，支架10的材质可以是铜、铁或其他导电及导热性佳的金属或合金。

请再次参照图2所示，以埋入射出(insert molding)的方式将支架10完全埋入于胶座20内并形成胶座20，并且自胶座20的上表面21凹设有第一凹陷部22，而支架10与发光二极管晶片12形成电性连接的部分即暴露于第一凹陷部22，由于支架10完全埋入于胶座20内，因此，支架10所设置的增强部11亦被埋入于胶座20内，并且由于增强部11是凸设或凹设于支架10，即会与胶座20形成固接，可以增强胶座20以及支架10之间的结合，胶座20以及支架10之间的结合可以参照图4A所示，图4A为本实用新型发光二极管结构第一实施例的侧视第一剖面示意图。

上述胶座20的材质则可以是聚邻苯二甲酰胺(polyphthalamide，PPA)或其他常用来作为发光二极管结构的胶座20的热塑性树脂材质。

请参照图4B所示，图4B为本实用新型发光二极管结构第一实施例的侧视第二剖面示意图；除了在胶座20的上表面21凹设有第一凹陷部22之外，在胶座20的下表面23凹设有至少一第二凹陷部24，胶座20的下表面23是背对于胶座20的上表面21，第二凹陷部24所设置的位置与支架10(请参考图1所示)相对应，而使得支架10亦会暴露于第二凹陷部24，而支架10对应暴露于第二凹陷部24的部分即形成电性连接部13，电性连接部13即可以与其他电子装置(图式中未绘示)形成电性连接并且固接于其他电子装置上，或是通过电性连接部13提供发光二极管晶片12(请参考图1所示)所需要的电性极性。

值得注意的是，请参照图5A至图5C所示，图5A至图5C为本实用新型发光二极管结构第一实施例的第二凹陷部设置位置仰视示意图；在胶座20的下表面23凹设有至少一第二凹陷部24，第二凹陷部24是分别设置于下表面23相对应的两侧，如图5A以及图5B所示，除此之外，第二凹陷部24亦可分别设置于下表面23相同的侧边如图5C所示，上述图5A、图5B以及图5C仅为举例说明，并不以此局限本实用新型的应用范畴。

并且更可以在胶座20的下表面23凹设有至少一第三凹陷部25，第三凹陷部25是对应于配置有发光二极管晶片12(请参照图1所示)的支架10所设置，是用于将支架10所吸收发光二极管晶片12产生的热能通过第三凹陷部25与外界空气接触，以自然对流的方式将发光二极管晶片12产生的热能加以散逸。

请再次参考图2所示，通过表面粘贴技术(Surface Mount Device，SMD)将发光二极管晶片12固接于暴露在胶座20的第一凹陷部22内支架10其中之一，再以打线接合技术(wire bonding)或是覆晶接合技术(flip chipbonding)将固接于支架10其中之一上的发光二极管晶片12电性连接于另一支架10上。

除此之外，更可于胶座20的第一凹陷部22上形成封装胶体30，封装胶体30即可以覆盖于第一凹陷部22内的发光二极管晶片12，即可以对发光二极管晶片11进行保护。

上述的封装胶体30例如是以点胶(dispensing)的方式形成(在此仅为举例说明，并不以此局限本实用新型的应用范畴)，且封装胶体30中可掺有萤光粉(图式中未绘示)，因此当发光二极管晶片12所发出的光线照射到萤光粉而使其激发出另一种颜色的可见光时，发光二极管晶片12所发出的光线即可与萤光粉所激发出来的光线混合而产生混光效果。

接着，以下将说明本实用新型所提供的发光二极管结构的第二实施例，第二实施例为发光二极管结构中发光二极管晶片采用电热分离的型式制成，并请参照图6所示，图6为本实用新型发光二极管结构第二实施例的俯视示意图；发光二极管结构的第二实施例包含有：至少两个支架10、散热支架40、胶座20以及封装胶体30。

第二实施例与第一实施例的差别在于增加了散热支架40，散热支架40是用于固接发光二极管晶片42，而支架10是分别与发光二极管晶片42形成电性连接，即发光二极管晶片42所产生的热能会被散热支架40吸收，而支架10仅提供发光二极管晶片42所需要的电性极性，即为电热分离制成本实用新型发光二极管结构。

其中，支架10与第一实施例中的支架相同，在此不再进行赘述，而散热支架40设置至少一增强部41，散热支架40所设置的增强部41亦与第一实施例中支架10所设置的增强部11具有相同功效，因此，在此亦不再进行赘述。

以埋入射出方式将支架10以及散热支架40完全埋入于胶座20内并形成胶座20，自胶座20的上表面21凹设有第一凹陷部22，散热支架40固接发光二极管晶片42的部分是暴露于第一凹陷部22，并且支架10与发光二极管晶片42分别形成电性连接的部分亦暴露于第一凹陷部22，并且支架10所设置的增强部11以及散热支架40所设置的增强部41与胶座20形成固接，可以增强胶座20、支架10以及散热支架40之间的结合。

请参考图7A以及图7B所示，图7A以及图7B为本实用新型发光二极管结构第二实施例的第二凹陷部设置位置仰视示意图；除了在胶座20的上表面21凹设有第一凹陷部22之外，在胶座20的下表面23凹设有至少一第二凹陷部24，而支架10对应暴露于第二凹陷部24的部分即形成电性连接部13，第二凹陷部24以及电性连接部13是与第一实施例中相同，并且第二凹陷部2所设置的位置在第一实施例中已说明，在此不再进行赘述。

并且更可以在胶座20的下表面23凹设有至少一第三凹陷部25，第三凹陷部25是对应于配置有发光二极管晶片42(请参照图6所示)的散热支架40所设置，是用于将散热支架40所吸收发光二极管晶片42产生的热能通过第三凹陷部25与外界空气接触，以自然对流的方式将发光二极管晶片42产生的热能加以散逸。

请再次参照图6所示，发光二极管晶片42的固接方式以及与支架10形成电性连接方式，以及形成封装胶体30的方式已于第一实施例中说明，在此不再进行赘述，将封装胶体30覆盖在第一凹陷部22内的发光二极管晶片12上，即为本实用新型第二实施例的发光二极管结构。

最后，请参照图8A以及图8B所示，图8A为本实用新型发光二极管结构第三实施例的俯视示意图，图8B为本实用新型发光二极管结构第三实施例的仰视示意图。

在第一实施例以及第二实施例中的支架10(请参考图2所示)以及散热支架40(请参考图6所示)的配置方式，呈现出上下水平的配置支架10以及散热支架40，即为在支架20之间配置有散热支架40，但除了以水平方式配置支架10以及散热支架40之外，更可以将支架10配置于散热支架40的同一侧，其配置方式请参照图8A以及图8B所示，上述配置方式仅为举例说明，并不以此局限本实用新型的应用范畴。

综上所述，可知本实用新型与现有技术之间的差异在于本实用新型将支架完全埋入于胶座中，并于支架设置增强部使得胶座以及支架之间的结合，并且支架分别暴露于胶座之第一凹陷部以及第二凹陷部，借以于胶座的下表面形成电性连接部，并不需要对支架进行弯折，可以避免支架弯折时所产生胶座结构受损并导致电性连接部定位错误的问题。

通过此一技术手段可以来解决现有技术所存在发光二极管结构的支架在弯折电性连接部时，造成胶座结构受损并导致电性连接部定位错误的问题，进而达到避免支架弯折导致胶座受损并正确定位电性连接部的技术功效。

虽然本实用新型所公开的实施方式如上，惟所述的内容并非用于直接限定本实用新型之专利保护范围。本领域技术人员在不脱离本实用新型所揭露之精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作些许之更动。本实用新型之专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的为准。

Claims (14)

1、一种发光二极管结构，其特征在于，包含：

一胶座，自该胶座的一上表面凹设一第一凹陷部，且自该胶座的一下表面凹设至少一第二凹陷部；及

至少两个支架，该些支架分别设置至少一增强部，且该些支架分别用于提供一发光二极管晶片形成电性连接，该些支架是完全埋于所述胶座内，而该些增强部与该胶座形成固接，且该些支架固接该发光二极管晶片的部分暴露于该第一凹陷部，该些支架暴露于该些第二凹陷部以形成电性连接部。

2、如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述增强部是凸设或凹设于所述支架。

3、如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述增强部选自V形形状、凹形形状或半圆形形状中任一的形状。

4、如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二凹陷部是设置于该下表面的相同侧。

5、如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二凹陷部是设置于该下表面的相对应的两侧。

6、如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述胶座的所述下表面更凹设至少一第三凹陷部。

7、如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构更包含一封装胶体，配置于所述胶座上且覆盖于所述第一凹陷部。

8、一种发光二极管结构，其特征在于，包含：

一胶座，自该胶座的一上表面凹设一第一凹陷部，且自该胶座的一下表面凹设至少一第二凹陷部；

一散热支架，该散热支架设置至少一增强部，且该散热支架用于固接一发光二极管晶片，该散热支架是完全埋于该胶座内，而该散热支架的该些增强部与所述胶座形成固接，且该散热支架固接该发光二极管晶片的部分暴露于所述第一凹陷部；及

至少两个支架，该些支架分别设置至少一增强部，该些支架是完全埋于该胶座内，而该些支架的该些增强部与所述胶座形成固接，该些支架暴露于所述第一凹陷部的部分与所述发光二极管晶片形成电性连接，该些支架暴露于所述第二凹陷部以形成电性连接部。

9、如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，该些增强部是凸设或凹设于该些支架及该散热支架。

10、如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，所述增强部选自V形形状、凹形形状或半圆形形状中任一的形状。

11、如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二凹陷部是设置于该下表面的相同侧。

12、如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二凹陷部是设置于该下表面的相对应的两侧。

13、如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述胶座的所述下表面更凹设至少一第三凹陷部，该些第三凹陷部是对应于所述散热支架。

14、如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构更包含一封装胶体，配置于所述胶座上且覆盖于所述第一凹陷部。

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