CN201364347Y - 探针卡 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种探针卡，用于对一具有栅极区和漏极区的晶片进行电性测试，所述探针卡包括四个探针，所述四个探针的针尖的连线成一平行四边形，本实用新型可以在多种尺寸和类型的晶片上进行电性测试，避免了探针卡的重复设计，降低了工厂的测试成本。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体工艺中的测试装置，涉及一种用于晶片电性测试的探针卡。
背景技术
在半导体工艺中，晶片经过切割、刻蚀、离子注入以及退火等一系列工序之后形成产品，产品在封装之前，需要对产品的多项电性参数进行测试以判断产品是否合格，而只有测试合格的产品才会进行下一步骤的封装，目前，用于测试产品的电性参数的装置是探针卡，现有技术中的探针卡包含5个探针，其中一个探针放置于晶片的栅极区，其他的四个探针都放置于晶片的漏极区，漏极区的四个探针彼此之间形成一个正方形，栅极区的探针和漏极区四个探针中的一个探针形成一个回路，通上电流之后，连接测试设备便可以进行电性参数的测试，而漏极区的其他三个探针则起到稳定平衡的作用，避免探针卡在测试过程中左摇右摆，影响测试的精度，漏极区的四个探针到底选择哪一个探针作为通电流测试的探针，工作人员可以通过测试设备进行操控。
现有技术中的探针卡的这种布局，有很大的局限性，那就是尺寸不一样大或者栅极位置不相同的晶片，往往需要专门设计一种匹配这样布局的探针卡来检测，图1至图3都是现有技术中探针在探测的晶片上的位置示意图，请先参考图1，图1中A区为晶片的栅极区，B区为晶片的漏极区，探针11位于栅极区内，而其余四个探针12位于漏极区内，这种探针卡用于测量图1中的晶片是合适的，然而，若是将它用于图2中的晶片，则不行了，同样的摆放过去，探针11很有可能不再位于栅极区内，而跑到漏极区来了，因此，对于图2中的晶片的电性测试，要重新设计例如图2中的探针的布局才行，而对于图3，图3的晶片的尺寸小于图1，在图1中适用的探针卡，用到图3所示的晶片中来，可能漏极区的四个探针12会超出晶片的范围，这是肯定不能使用的，因此，针对图3所示的晶片也要重新设计探针卡。
由此可见，根据晶片的不同尺寸以及栅极区在晶片上所处的不同位置，需要分别设计与其相对应的探针卡来进行测试，如果一种产品做完之后，不再生产了，为该产品设计的探针卡也就报废了，而新产品到来时又需要设计与该产品匹配的探针卡，这样就造成极大的浪费，而且生产部在测货选卡时也容易造成混乱和错误。
实用新型内容
为了解决以上所提到的由于测试晶片的变化而要跟着变换测试用的探针卡的问题，本实用新型提供一种能测试多种晶片的探针卡。
为了达到上述目的，本实用新型提出一种探针卡，用于对一具有栅极区和漏极区的晶片进行电性测试，所述探针卡包括四个探针，所述四个探针的针尖的连线成一平行四边形。
可选的，四个探针包括第一探针、第二探针、第三探针和第四探针，其中，所述第一探针和第四探针的针尖的连线为所述平行四边形的较长的对角线。
可选的，所述探针卡与晶片的连接关系为：第一探针连接至所述晶片的栅极区，其他三个探针连接至所述晶片的漏极区。
可选的，所述晶片的漏极区的三个探针中有一个探针通电流用于测试。
可选的，所述探针卡与晶片的连接关系为：第四探针连接至所述晶片的栅极区，其他三个探针连接至所述晶片的漏极区。
可选的，所述晶片的漏极区的三个探针中有一个探针通电流用于测试。
本实用新型探针卡的有益效果为：通过四个探针成平行四边形的设计，使得探针卡可以适用多种类型的晶片测试的问题，避免了以往对于一种新产品就要设计一种探针卡用来测试的麻烦，能有效的节约成本，更能方便工厂测试使用。
附图说明
图1至图3是现有技术在不同晶片上的测试示意图；
图4是本实用新型探针卡的示意图；
图5至图7是本实用新型在不同晶片上的测试示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式对本实用新型探针卡作进一步的详细说明。
首先，请参考图4，图4是本实用新型探针卡的示意图，所述探针卡用于对一具有栅极区和漏极区的晶片进行电性测试，从图上可以看出，所述探针卡包括四个探针，所述四个探针的针尖的连线成一平行四边形。四个探针分别为第一探针11、第二探针12、第三探针13和第四探针14，其中，所述第一探针11和第四探针14的针尖的连线为所述平行四边形的较长的对角线。其中第一探11针或者第四探针14都可以选择放置于晶片的栅极区A用于测试，剩下的三个探针放置于晶片的漏极区B，三个探针其中的一个探针用于通电流测试，至于选择哪个探针用于通电流测试，则是取决于工作人员的实际操作情况，其他的两个探针起到稳定整个探针卡的作用，避免探针卡左右晃动。
优选的，第一探针11和第二探针12之间的距离为350um，第二探针12和第三探针13之间的距离为300um，第三探针13和第四探针14之间的距离为350um。
接着，请参考图5至图7，图5至图7是本实用新型在不同晶片上的测试示意图，其中，图5中的晶片和背景技术中的图1中晶片一样，图6中的晶片和背景技术中的图2中晶片一样，图7中的晶片和背景技术中的图3中晶片一样，图5至图7中所用的都是本实用新型的探针卡，在图5中，栅极区位于晶片的右上角，第四探针14位于所述晶片的栅极区A，其他三个探针位于所述晶片的漏极区B，测试时，第三探针13中通电流，和第四探针14一起，测试晶片上的需要的电性参数，而第一探针11和第二探针12中则不通电流，仅仅用于稳定平衡的作用，或者测试时，第一探针11中通电流，和第四探针14一起，测试晶片上的需要的电性参数，而第二探针12和第三探针13中则不通电流，仅仅用于稳定平衡的作用。在图6中，栅极区A位于晶片的右下角，本实用新型同样适用于这种晶片，测试时，第四探针14位于所述晶片的栅极区，其他三个探针位于所述晶片的漏极区B。在图7中，晶片尺寸变小，栅极区A位于晶片的左上角，所述第一探针11位于所述晶片的栅极区A，其他三个探针位于所述晶片的漏极区B，测试时，第二探针12中通电流，和第一探针11一起，测试晶片上的需要的电性参数，而第三探针13和第四探针14则不通电流，仅仅用于稳定平衡的作用。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型。本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
Claims (6)
1.一种探针卡，用于对一具有栅极区和漏极区的晶片进行电性测试，其特征在于：所述探针卡包括四个探针，所述四个探针的针尖的连线成一平行四边形。
2.根据权利要求1所述一种探针卡，其特征在于四个探针包括第一探针、第二探针、第三探针和第四探针，其中，所述第一探针和第四探针的针尖的连线为所述平行四边形的较长的对角线。
3.根据权利要求2所述一种探针卡，其特征在于所述探针卡与晶片的连接关系为：第一探针连接至所述晶片的栅极区，其他三个探针连接至所述晶片的漏极区。
4.根据权利要求3所述一种探针卡，其特征在于所述晶片的漏极区的三个探针中有一个探针通电流用于测试。
5.根据权利要求2所述一种探针卡，其特征在于所述第四探针位于所述晶片的栅极区，其他三个探针位于所述晶片的漏极区。
6.根据权利要求5所述一种探针卡，其特征在于所述探针卡与晶片的连接关系为：第四探针连接至所述晶片的栅极区，其他三个探针连接至所述晶片的漏极区。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008201583534U CN201364347Y (zh) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | 探针卡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008201583534U CN201364347Y (zh) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | 探针卡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201364347Y true CN201364347Y (zh) | 2009-12-16 |
Family
ID=41475015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2008201583534U Expired - Lifetime CN201364347Y (zh) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | 探针卡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201364347Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104459512A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-03-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mosfet被探测区探针数量计算方法及探针位置设计方法和探针卡生成方法 |
-
2008
- 2008-12-30 CN CNU2008201583534U patent/CN201364347Y/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104459512A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-03-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mosfet被探测区探针数量计算方法及探针位置设计方法和探针卡生成方法 |
| CN104459512B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-06-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mosfet被探测区探针数量计算方法及探针位置设计方法和探针卡生成方法 |
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| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20091216 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |