CN201276609Y - 单晶生长加热装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种单晶生长加热装置,属单晶硅制备设备技术领域;结构中包括,坩埚,坩埚上方设置导流筒,坩埚底部设置支撑坩埚的坩埚支架,包围坩埚设置筒状加热器,加热器外围设置保温筒,其特征在于:所述的导流筒结构设计为带隔热空腔的环状结构,其隔热空腔下厚上薄,本实用新型的导流筒,可在拉晶过程中有效屏蔽周围热量、提高结晶速度和质量,合理调整导流筒底部与液面的距离可使炉内热场更加适于拉晶要求,本新型设备采用四瓣埚、可使其寿命延长从而降低了成本,同时使石英埚的变形应力得到有效缓解。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种单晶生长加热装置,属单晶硅制备设备技术领域。
背景技术
随着节能技术应用的日益广泛,单晶硅的需求量日益增大,对单晶硅拉制炉的要求也日益增高,目前业内使用的单晶生长加热装置的导流筒均为空心锥形结构,其空心内腔为等厚度环腔,热屏蔽效果不够理想,从而影响拉晶质量和合格产品的产量,另外、现有大直径单晶硅生长加热装置的坩埚多采用三瓣埚,在高温环境、温度变化的环境中容易损坏,更换成本较高,同时、石英埚的热变形应力不易得到缓解,影响石英埚的使用寿命,同样提高了生产成本。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供一种单晶生长加热装置,通过对其导流筒和坩埚的结构改进,提高产品的产量和质量,降低生产成本。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:
单晶生长加热装置,结构中包括,坩埚,坩埚上方设置导流筒,坩埚底部设置支撑坩埚的坩埚支架,包围坩埚设置筒状加热器,加热器外围设置保温筒,所述的导流筒结构设计为带隔热空腔的环状结构,其隔热空腔下厚上薄。
本实用新型的技术方案的进一步改进在于:导流筒内孔上部为锥形导流段,下部为柱形导流段,二者结合处平滑过渡。
本实用新型的技术方案的进一步改进在于:坩埚为竖直均匀分隔的四瓣结构。
由于采用了上述技术方案,本实用新型取得的技术进步是:
本实用新型的导流筒,由于导流筒底部的隔热层较厚,可在拉晶过程中可有效屏蔽周围热量、提高结晶速度和质量,合理调整导流筒底部与液面的距离可使炉内热场更加适于拉晶要求。采用四瓣埚可使其寿命延长,降低成本,同时使石英埚的变形应力得到有效缓解。
附图说明
图1是单晶生长加热装置的结构剖视示意图。
其中:1、导流筒,1-1、隔热空腔,1-2、锥形导流段,1-3、柱形导流段,2、坩埚,3、加热器,4、坩埚支架,5、保温筒。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步详细说明:
如图1所示,本实用新型结构包括,坩埚2,坩埚2为竖直均匀分隔的四瓣结构,坩埚2底部设置支撑坩埚2的坩埚支架4,包围坩埚2设置筒状加热器3,加热器3外围设置保温筒5,坩埚2上方设置导流筒1,导流筒1结构设计为带隔热空腔1-1的环状结构,其隔热空腔1-1下厚上薄,导流筒1内孔上部为锥形导流段1-2,下部为柱形导流段1-3,二者结合处平滑过渡。
Claims (3)
1、一种单晶生长加热装置,结构中包括,坩埚,坩埚上方设置导流筒,坩埚底部设置支撑坩埚的坩埚支架,包围坩埚设置筒状加热器,加热器外围设置保温筒,其特征在于:所述的导流筒结构设计为带隔热空腔的环状结构,其隔热空腔下厚上薄。
2、根据权利要求1所述的单晶生长加热装置,其特征在于所述导流筒内孔上部为锥形导流段,下部为柱形导流段,二者结合处平滑过渡。
3、根据权利要求1所述的单晶生长加热装置,其特征在于所述坩埚为竖直均匀分隔的四瓣结构。
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2008
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Jinglong Industry Group Co., Ltd. Assignor: Ningjin Jingxing Electronic Material Co., Ltd. Contract record no.: 2010130000043 Denomination of utility model: Single crystal growth heating device Granted publication date: 20090722 License type: Exclusive License Record date: 20100628 |
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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